Форум РадиоКот

Enman писал(а):Чтобы не путаться, то сразу выкладывай схемы, а не как в миниатюре Винокура - это играть, это не играть.
А так у тебя всё правильно получилось - если Rк=47К, то ток коллектора всего 100 мка, ты одним резистором в базе 2 МОм обеспечивал нужный ток базы 100мкА/Вст ( (4,5 В-0,6 В)/2 МОм=2 мкА ).....
Если бы ты в коллектор поставил 4К7, то тебе надо было бы обеспечить ток коллектора 1 мА, тогда и базовый резистор, который бы тебе задавал ток базы, был бы меньше. Только надо тоже учитывать, что параметр Вст - величина очень переменная, от типа и экземпляра транзистора, от тока коллектора, от температуры. Но если ты базовый резистор подсоединяешь в цепь коллектора, то это уже нужная обратная связь по постоянному току, которая в определённых пределах позволяет каскаду усиливать сигнал при разбросе параметров.

Спасибо , учту...

Только как-то странно, я всё равно теоретически не совсем понимаю что происходит, а вот повозившись со схемой практически, теперь знаю, где нужно задать нужные величины сопротивлений и напряжений чтобы в итоге получить нужный мне результат.

Михаил_ писал(а):Что интересно, чем меньше напряжение на БЭ тем большего усиления можно получить от транзистора.

Тогда делаем вот , что :
Закрываем эмиттерный переход , Uбэ = 0 и получаем Ку = бесконечности.

На самом деле Ку в вашей схеме равен Rk/rэ , где rэ = 0,025/Iэ , при условии , что источник сигнала имеет 0-ое сопротивление и отключена нагрузка.

Напряжение Б-Э не имеет практического значения в подавляющем большинстве случаев и у всех транзисторов примерно одного порядка. Имеет смысл значение НАПРЯЖЕНИЕ на базе относительно общего провода, когда в эмиттер включён РЕЗИСТОР.

"теоретически не совсем понимаю что происходит"
Теоретически - даём ток в базу 1 мкА, ток коллектора в Вст раз больше, например, 100 мкА. Даём в базу 2 мкА, ток коллектора - 200 мка ( если считать Вст постоянной величиной). А под этот ток и напряжение питания можно подобрать Rк, чтобы на нём упало несколько вольт. Но практически делается наоборот, выбирается Rк, потом Iк, а уже потом ток базы подбираем.

Enman писал(а):Напряжение Б-Э не имеет практического значения в подавляющем большинстве случаев и у всех транзисторов примерно одного порядка.

Точно. Нужно знать только его примерное значение, для расчетов. К тому же, оно меняется от температуры (где-то -2мВ на 1С) и от токов, конечно. В правильной схеме режимы (и работоспособность) не зависят от колебаний напряжения Б-Э, а также от точного значения h21э.

Выходит, рабочая точка биполярного транзистора (смещение) всё же задаётся током базы, напряжение второстепенно ? Ведь именно величина тока протекающего через БЭ изменяет величину сопротивления КЭ …. Я правильно мыслю ?

Да

В этом случае многое становится понятным.
Склеил
Gudd-Head
Нашлось ещё одно явление, приводящее меня в ступор. Имею усилитель на одном транзисторе с общим эмиттером , если не подключать на вход источник сигнала, то на выходе слышны шумы (шипение) достаточно громкое. Подключая к входу усилителя источник сигнала, шумы на выходе пропадают, вернее становятся намного тише. Это как то связанно с сопротивлением подключаемого источника сигнала ? В качестве источника обычный пъезоэлемент "звукоизлучатель". Пробовал закорачивать вход усилителя ёмкостью, шумы практически остаются на том же уровне что и без закорачивания входа. А вот пъезоэлемент подключённый к входу , резко снижает шум.

Как бы в этом разобраться ???

От чего питаете усилитель ? скорее всего шумы вызваны пульсацией источника питания . Источник сигнала подключаете через конденсатор ?

Батарейка крона 9В. На выходе белый шум,а не пульсации переменного тока (гудение).
Склеил
Gudd-Head
Источник сигнала подключается напрямую без конденсатора, так как это пьезоэлемент (он вроде не должен проводит постоянного тока иначе транзистор закрылся бы и не усиливал сигнала). И с ним шумы сходят на нет.

На одном транзисторе и уже слышите атмосферные шумы ? Что то не договариваете.

Почему атмосферные ? Это же не радиоприёмник. Обычный усилитель звуковой частоты, и без антены. Это внутренние шумы транзистора. Хотелось бы разобраться, как их уменьшит. Читал заумную книгу, в ней очень много формул, уравнений, а я их очень не люблю и не понимаю. Но смысл там был в том, что шумы усилителя каким то образом связанны с входными и выходными сопротивлениями усилительного каскада и источника сигнала.
Склеил
Gudd-Head
Вот как раз дробовой, фликкер тепловой шумы я и называю белым шумом. Одним словом шипение. С транзистора подаю сигнал на микросхему LM386 (это усилитель мощности для наушников)

Вот формулу откопал i^2 = (4kTΔf)/R , т.к. сопротивление базы имеет самое маленькое значение , то и основным источником шума будет колебания носителей заряда в базе. Давайте грубо прикинем i = sqrt ( 4 * 1,3 * 10^(-23) * 25 * 0.5 * 10^6) / 4 ~ 6 нА , не знаю может я гоню , но такой маленький ток вряд ли был бы слышен. Ну пусть приращение будет на коллекторе будет 15 мкВ , даже при Ку микросхемы 1000 , шум будет порядка 15мВ . Думаю это не с шумами связано , если я не прав поправьте меня.

От вида таких формул я прихожу в тихий ужас… многие значки мне неизвестны, что они обозначают понятия не имею…., треугольник.. стрелка направленная вверх…

И что получается ? Ток текущий через БЭ транзистора претерпевает флуктуации (изменения), образованные непостоянством сопротивления БЭ, на сопротивление перехода БЭ воздействуют внутренние силы и на входе транзистора появляется сигнал- шум, который этот же транзистор и усиливает ?
Склеил
Gudd-Head
Усиление микросхемы, по-моему равно 20. Можно не считать усиление микросхемы, она работаете как усилитель мощности для наушников, которыми я и слушаю усиленный транзистором сигнал. А вот усиление транзистора КТ3102E равно 400 – 1000. Реальное усиление по току , измерял, равно более чем 500 раз. Шуму больше негде возникнуть как только на БЭ переходе, так понимаю… сам шум мал, но его усиливает транзистор в 500 – 600раз. Ведь БЭ это вход усилителя. Возникающий шум на БЭ эквивалент сигнала звуковой частоты приложенного к входу усилителя (транзистора)

ну,бета большая,значит сопротивление базы намного меньше чем я писал.возьмите транз с меньшей бетой будет меньше шуметь,самое поганое, то что это низкочастотный шум,диф каскад собирите на край

Бета это коэффициент усиления ? Допустим. возьму я транзистор или транзисторы с меньшим КУ. Соберу на них усилитель с усилением 500раз и…, шумов будет меньше нежели с усилителем на КТ3102, усиление которого тоже будет равно 500 ?

А дифференциальная схема усиления даёт намного меньше шумов ?

Хотя , я ничего советовать не буду, сам стажёр
Склеил
Gudd-Head
ДА коэф усиления. На одном каскаде 500 никогда не вытянете или я вас не понял . Не путайте Ку по напряжению каскада и усиление по току транзистора или я опять не понял вас. Кстати в цепь эмиттера всегда включайте резистор примерно в 10 раз меньше коллекторного, это тоже снизит шумы , и токи не будут плясать .

Мм…. почему не вытяну, что мне может помешать ? Я усиливаю амплитуду входного сигнала.

я выше писал чему равен Ку для данной схемы.
Склеил
Gudd-Head
если не сложно выложите полную вашу схему

Если я подам на вход транзистора переменный ток амплитудой от нуля до 1мА. И Ку транзистора будет равен 50. То в цепи КЭ будет протекать ток усиленного сигнала в 50 раз. Амплитуда сигнала будет равна величине от 0 до 50мА. Получили усиление сигнала от одного транзистора в 50 раз. Так почему нельзя точно также усилить сигнал одним транзистором в 500 раз если Ку транзистора будет равен 500. ?


Пора на работу собираться, вечером нарисую схему и выложу

Вот накидал тут , почитай :

Спойлер

Эти формулы действительны при 0 сопротивление источника и отключенной нагрузки. Именно вот в таком включении рекомендуется применять .