Форум РадиоКот

[uquote="Николай_С",url="/forum/viewtopic.php?p=4662821#p4662821"]А может пускай преподы этим занимаются? Они хотя бы за это деньги получают.[/uquote]Я уже как-то объяснил, зачем я этим занимаюсь. Повторяться не буду, но одно скажу: мне оно действительно надо.

[uquote="mickbell",url="/forum/viewtopic.php?p=4662831#p4662831"]мне оно действительно надо.[/uquote]Охота пуще неволи.

[uquote="mickbell",url="/forum/viewtopic.php?p=4662815#p4662815"]ВАХ диода видели? Что можете сказать? А там есть о чём сказать.[/uquote]

Если подавать прямое напряжение, то есть от анода к катоду, то ток будет стремительно расти. Если подать обратное, то есть от катода к аноду, то тока либо не будет, либо совсем маленький. И когда диод начнет проводить ток в таком направлении, то можно зафиксировать напряжение пробоя диода.

То есть по сути показывает то, что я вам ответил про диод.

Как ведёт себя кремниевый диод при подаче на него прямого напряжения, скажем, триста милливольт?

[uquote="mickbell",url="/forum/viewtopic.php?p=4662850#p4662850"]Как ведёт себя кремниевый диод при подаче на него прямого напряжения, скажем, триста милливольт?[/uquote]

Кремниевый диод при таком напряжении будет проводить совсем маленький ток, потому что у кремниевых диодов значение, при котором они начинают проводить заметный ток, является 0.6 - 0.7 В (600-700 мВ), в отличие от германиевых, у которых 0.2-0.3В. И вот уже германиевый при таком напряжении проводил бы значительный ток.

Теперь следите за мыслью. Диод - это PN-переход. Эмиттерный переход транзистора (как и коллекторный, но это сейчас не интересно) - тоже PN-переход, и имеет сходные свойства с диодом. Поэтому мы с чистой совестью можем сказать, что при малых напряжениях на базе ток в неё практически не идёт, соответственно, нет и коллекторного тока. Значит, при напряжении на базе милливольт до четырёхсот он не откроется. А теперь - внимание, вопрос! Допустим, мы хотим повысить это пороговое напряжение - хотя бы для того, чтобы небольшого уровня помехи не открывали транзистор, и такой порог установим на уровне - ну, скажем, 4 В. Как мы это можем сделать?

[uquote="mickbell",url="/forum/viewtopic.php?p=4662878#p4662878"]Теперь следите за мыслью. Диод - это PN-переход. Эмиттерный переход транзистора (как и коллекторный, но это сейчас не интересно) - тоже PN-переход, и имеет сходные свойства с диодом. Поэтому мы с чистой совестью можем сказать, что при малых напряжениях на базе ток в неё практически не идёт, соответственно, нет и коллекторного тока. Значит, при напряжении на базе милливольт до четырёхсот он не откроется. А теперь - внимание, вопрос! Допустим, мы хотим повысить это пороговое напряжение - хотя бы для того, чтобы небольшого уровня помехи не открывали транзистор, и такой порог установим на уровне - ну, скажем, 4 В. Как мы это можем сделать?[/uquote]

Полагаю, что необходимо увеличить номинал резистора на базе. Тогда, например, при 4В и резисторе в 1МОм, ток на базе будет маленьким и не будет коллекторного тока.

Вариант плохой, даже негодный, и вот почему. Ваша задача - получить определённый ток коллектора при определённом входном напряжении. Увеличивая номинал резистора, включенного последовательно с базовым выводом, вы уменьшаете базовый ток, и считаете, что так же уменьшится и коллекторный ток. Так-то да, коллекторный ток действительно зависит от базового, однако на эту зависимость влияют температура, экземпляр транзистора, даже сам коллекторный ток, причём очень сильно. Придумайте что-то другое. Обратите внимание: пороговое напряжение база-эмиттер (свыше которого начинает расти коллекторный ток) гораздо меньше подвергается посторонним влияниям.

[uquote="mickbell",url="/forum/viewtopic.php?p=4662898#p4662898"]Вариант плохой, даже негодный, и вот почему. Ваша задача - получить определённый ток коллектора при определённом входном напряжении. Увеличивая номинал резистора, включенного последовательно с базовым выводом, вы уменьшаете базовый ток, и считаете, что так же уменьшится и коллекторный ток. Так-то да, коллекторный ток действительно зависит от базового, однако на эту зависимость влияют температура, экземпляр транзистора, даже сам коллекторный ток, причём очень сильно. Придумайте что-то другое. Обратите внимание: пороговое напряжение база-эмиттер (свыше которого начинает расти коллекторный ток) гораздо меньше подвергается посторонним влияниям.[/uquote]

Есть теория, что нужно использовать резистивный делитель, как пример, чтобы получить из 4В напряжение меньше, которое пойдет на базу, и при котором транзистор не откроется. То есть на рисунке видно, что диод не горит, значит, и коллекторного тока нет, как я понимаю.

Внимательно, очень внимательно посмотрите на свою схему. Ничего необычного, странного не видите? Идея-то правильная, но вот реализация...

[uquote="mickbell",url="/forum/viewtopic.php?p=4662937#p4662937"]Внимательно, очень внимательно посмотрите на свою схему. Ничего необычного, странного не видите? Идея-то правильная, но вот реализация...[/uquote]

Если честно, то не понимаю... В моей голове так: Входное напряжение (4В) поступает на R1, далее R1 соединен с R2 для создания делителя напряжения и R2 уже соединяется с землей, чтобы через R2 мог идти ток. Далее из точки соединения R1 и R2 выходит уменьшенное напряжение делителем, и в базу уже придет маленькое напряжение, которое не даст транзистору открыться, следовательно, не будет коллекторного тока.

На вашей схеме нет никаких R: ни R1, ни R2; есть только номиналы резисторов. Как вы собираетесь разбираться со схемой без позиционных обозначений элементов?

[uquote="mickbell",url="/forum/viewtopic.php?p=4662996#p4662996"]На вашей схеме нет никаких R: ни R1, ни R2; есть только номиналы резисторов. Как вы собираетесь разбираться со схемой без позиционных обозначений элементов?[/uquote]

Хорошо, вот что я имел ввиду. R1 - тот, у которого номинал 20кОм, R2 - у которого номинал 1 кОм. Тогда из точки соединения этих двух резисторов выйдет уменьшенное напряжение на базу. Вот так я себе это представляю.

Как определить, насколько входное напряжение уменьшилось делителем по пути к базе? Ответив правильно на этот вопрос, вы увидите странность нарисованной вами схемы.

а нельзя рисовать проще, ведь 20к II 10К =6,7K ?

Я думал, он сам в конце концов это обнаружит. Не случилось.

но, возможен, и похожий вариант с несколько другими особенностями

Понял свою ошибку. В моем случае, если я правильно понимаю, входные 4В идут и на базу, и на сам делитель, поэтому напряжение на базе в этом случае будет отличаться от расчетного, ведь при таких значениях должно быть где-то 190мВ ((4*1)/(20+1)), а было 521 с чем-то. А в приведенной схеме planetcat, 4В заходят только на сам делитель, и уже с него выходит уменьшенное напряжение на базу.

Если я, конечно, сделал правильные выводы.

Добавлено after 15 minutes 25 seconds:
И еще из сообщения planetcat заметил, что резистор на 20кОм подключался параллельно к резистору базы на 10 кОм и тогда получалось уменьшение сопротивления на базе ((20*10)/(20+10)=6,7kOm) и, как следствие, больший ток на базе и, следовательно, большее напряжение напряжение на базе, чем должно было быть.

А в случае схемы, как от planetcat, у нас нет такой ситуации, где сопротивление на базе уменьшается из-за параллельного подключения. И тогда на базу уже будет приходить напряжение, которое и высчитывается по формуле.

Этот вывод по идее более верный, чем тот, который я написал выше.

[uquote="planetcat",url="/forum/viewtopic.php?p=4663039#p4663039"]но, возможен, и похожий вариант[/uquote]R3 зачем?

[uquote="mickbell",url="/forum/viewtopic.php?p=4663059#p4663059"]R3 зачем?[/uquote]

Токоограничивающий резистор базы. На сколько я знаю, ток коллектора определяется током базы. То есть меняя номинал этого резистора, мы будем уменьшать/увеличивать ток базы, следовательно, и менять ток коллектора. Если это мне вопрос.