Страница 205 из 2115
Re: Мелкие вопросы по теории
Добавлено: Ср авг 18, 2010 17:24:43
YAA
I=C*dU/dt, отсюда время dt, за которое разрядится конденсатор, ёмкостью С, током I, на разность напряжений dU, равнo dt=С*dU/I.
Напимер, С=4700мкФ=4,7*10-3Ф, I=20мА=2*10-2А, dU=16В. dt=4.7*10-3*16/2*10-2=3.76 сек. Напряжение на конденсаторе, при разряде постоянным током, будет уменьшаться линейно, со скоростью 1В за 0,235сек.
Re: Мелкие вопросы по теории
Добавлено: Пт авг 20, 2010 14:48:36
RadistRoma
У меня такой вопрос про обозначения на плате.
resistanse - R
capacity - C
Так почему Индуктивность обозначается буковкой L и транзистор VT?
Re: Мелкие вопросы по теории
Добавлено: Пт авг 20, 2010 14:56:20
Gudd-Head
Транзистор ещё обозначается как Q и M.
Re: Мелкие вопросы по теории
Добавлено: Пт авг 20, 2010 15:09:55
Света
RadistRoma писал(а):У меня такой вопрос про обозначения на плате.
resistanse - R
capacity - C
Так почему Индуктивность обозначается буковкой L и транзистор VT?
Согласно ГОСТ2.710-81 ЕСКД. Обозначения буквенно-цифровые в электрических схемах.
Взяли латинский алфавит и каждую букву привязали к какому-нибудь элементу. А соответствует ли какая-нибудь буква названию элемента, исследуйте сами.
Кстати:
V - приборы электровакуумные, полупроводниковые
VD - диод
VL - прибор электровакуумный
VT- транзистор
VS - тиристор
Re: Мелкие вопросы по теории
Добавлено: Пт авг 20, 2010 19:25:57
RadistRoma
Спасибо)
Для запоминания для меня проще установить связь с названием, нежели зубрить ГОСТ)
Re: Мелкие вопросы по теории
Добавлено: Пт авг 20, 2010 20:10:38
Света
Зубрить не за чем, а вот когда непонятно, как обозначить на схеме, например, цифровую микросхему, то стоит посмотреть ГОСТ и увидеть, что её нужно обозначить как DD, а если аналоговую, то как DA.
Re: Мелкие вопросы по теории
Добавлено: Пт авг 20, 2010 20:26:30
Soir
Света писал(а):RadistRoma писал(а):У меня такой вопрос про обозначения на плате.
resistanse - R
capacity - C
Так почему Индуктивность обозначается буковкой L и транзистор VT?
Согласно ГОСТ2.710-81 ЕСКД. Обозначения буквенно-цифровые в электрических схемах.
Взяли латинский алфавит и каждую букву привязали к какому-нибудь элементу. А соответствует ли какая-нибудь буква названию элемента, исследуйте сами.
Кстати:
V - приборы электровакуумные, полупроводниковые
VD - диод
VL - прибор электровакуумный
VT- транзистор
VS - тиристор
Я думаю, обозначения для элементов придумали не авторы ГОСТа. ЕСКД лишь упорядочивает и стандартизирует, чтобы мы с вами понимали друг друга, а также наших зарубежных коллег.
Что касается индуктивности - символ L был взят в честь Ленца Эмиля Христиановича (Heinrich Friedrich Emil Lenz).
Re: Мелкие вопросы по теории
Добавлено: Сб авг 21, 2010 13:58:02
Coco
помогите разобраться в рассчете рассеиваемой мощности резистора
на схеме стоит резистор на 51 ом через этот участок схемы максимум может пройти 3А так как перед резистором стоит предохранитель
при расчете мощности рассеивания по формуле ток2*сопротивление получаем 459 ВТ как я понимаю
но не ставить же нам такой резистор в схему
подскажите как правильно считать
Re: Мелкие вопросы по теории
Добавлено: Сб авг 21, 2010 14:21:19
AI_Disable
Всё верно. Если через резистор 51Ом будет теч ток 3А, то на нём будет выделяться 459Вт.
Re: Мелкие вопросы по теории
Добавлено: Сб авг 21, 2010 14:25:47
Gudd-Head
Coco писал(а):может пройти 3А так как перед резистором стоит предохранитель
1. Если там такой предохранитель стоит, то номинальный ток может быть на порядок меньше. 2. Где сама схема?
Re: Мелкие вопросы по теории
Добавлено: Сб авг 21, 2010 14:45:58
Coco
схема вот
резистор Р3
и какого номинала тогда ставить резистор?
2ВТ?
как узнать какой номинал резистора сможет рассеять полученное количество энергии?
Re: Мелкие вопросы по теории
Добавлено: Сб авг 21, 2010 14:54:51
Света
Через этот резистор никаких 3 А не будет идти. Через него будет идти ток перезаряда конденсатора. Примерно 0,5 Вт вполне там пойдёт.
Re: Мелкие вопросы по теории
Добавлено: Сб авг 21, 2010 15:05:09
Coco
спасибо
так не подскажете как расчитывать номиналы резистора в зависимости от мощности рассеивания?
Re: Мелкие вопросы по теории
Добавлено: Сб авг 21, 2010 15:23:06
Arlleex
Сопротивление резистора зависит от нужного тока в этой цепи, находящейся под известным напряжением!
А там и мощность легко рассчитывается:
P=UI
или
P=U^2/R
Re: Мелкие вопросы по теории
Добавлено: Сб авг 21, 2010 22:47:04
Alliksey4
Помогите начинающему с двумя бип транзисторами!
Если их соединить паралельно, не Дарлингтоном, а Б к Базе, К к К, Э к Э ,
то параметры их складываются?
А коэффициент шума тоже?
Re: Мелкие вопросы по теории
Добавлено: Сб авг 21, 2010 23:23:23
VT1
Мощность увеличивается, коэффициент шума уменьшается.
Этим часто пользуются при создании малошумящих усилителей.
http://www.radiomaster.ru/stati/radio/4_28.php
Для снижения собственных шумов в некоторых случаях во входном каскаде применяют параллельное включение двух и более транзисторов. Они также включаются по схеме с общим эмиттером, и при числе транзисторов N - значение тока в нагрузке увеличивается в N раз, а среднеквадратичное значение шумового тока увеличивается только в корень квадратный из "N" раз (по сравнению с каскадом на одном транзисторе).
Re: Мелкие вопросы по теории
Добавлено: Сб авг 21, 2010 23:32:54
Alliksey4
А предельные параметры? спс
Re: Мелкие вопросы по теории
Добавлено: Сб авг 21, 2010 23:40:22
VT1
Re: Мелкие вопросы по теории
Добавлено: Сб авг 21, 2010 23:44:01
Alliksey4
Сори за назойливость..
а как скажется на работе , если h21 будут отличаться?
Re: Мелкие вопросы по теории
Добавлено: Сб авг 21, 2010 23:51:32
VT1
При строго одинаковых транзисторах суммарная допустимая мощность возрастает в два раза, если транзисторы здорово отличаются по параметрам, то суммарная допустимая мощность будет меньше.
Часто в цепь эмиттера ставят резисторы, что уравнивает режимы транзисторов за счет ООС создаваемой этими резисторами.
