Форум РадиоКот

Жонглирование цифрами без понимания физического смысла до добра не доведёт. Для ответа на вопрос надо прежде всего нарисовать (можно просто представить в уме) схему, а потом думать, что с ней делать. А делать надо вот что. Напряжения измерять относительно общего провода, к которому, надо полагать, подключен исток. Если на затворе относительно общего провода напряжение десять вольт, то оно такое независимо от того, сколько вольт на стоке. Ничего вычитать не надо, смысла в том нет.

Разумеется относительно общего провода(земли). Почему тогда по определению для открытия N-канального полевого транзистора нужно подать положительное напряжения относительно истока.

Тогда непонятно, что из чего и, главное, зачем вычитать?

masvad писал(а):Допустим имеем N-канальный полевик. На сток приходит 19В, на истоке 0В, на затворе 0В. Подаём на затвор-исток 10В, транзистор открывается, но теперь на переходе затвор-исток=10В-19В=-9В и транзистор должен закрыться?

чего это ради там - 9в ? как было так и осталось если току не дать течь. только с ростом частоты на напряжения на стоке имеет место существенная обратная связь на затвор

masvad писал(а):Разумеется относительно общего провода(земли). Почему тогда по определению для открытия N-канального полевого транзистора нужно подать положительное напряжения относительно истока.

Потому что собственно канал расположен в непосредственной близости от истока. Ибо топологически полевой транзистор с индуцированным каналом выглядит как кристалл с подложкой образующие тело СТОКА, на поверхности которого сформирован небольшая площадь низкоомного перехода истока и вокруг него колечко затвора. Сиречь вся эффективно управляемая область канала сосредоточена рядом с ИСТОКОМ. Именно поэтому пробивное напряжение затвор-исток практически никогда не превышает 30 вольт, а чаще 20. У транзисторов с низким порогом даже 12.

КРАМ писал(а):У транзисторов с низким порогом даже 12.

и даже это значение, по сравнению с некоторыми транзисторами, в два раза выше.

Кончено выше вот в DC-DC стартующих от 1В и максимум 6В врятли там полевики на 12В.
Кстати а IGBT с какого какого перепуга стал полевиком? Это ж биполярник он сила а полевик только управление за счёт которого не входит режим насыщения?

Кстати а есть полевики без диода обратного что бы был линейным скажем в пределах 1/-1В?

Какой пара идет у этого транзистора IRFZ46NPBF, Транзистор, N-канал 55В 46А [ТО-220АВ]

Скорее всего такого не существует... Выбирайте по параметрам, которые в вашей схеме, просто максимально близким...

Может такой:
IRF4905
IRF5305

Foton-4n писал(а):Кончено выше вот в DC-DC стартующих от 1В и максимум 6В врятли там полевики на 12В.

речь шла о максимальном напряжении на затворе.

Foton-4n писал(а):Это ж биполярник он сила а полевик только управление за счёт которого не входит режим насыщения?

«As the final stage of a pseudo-Darlington, the PNP is never in heavy saturation and its voltage drop is higher than what could be obtained from the same PNP in heavy saturation».

Вопрос такой.
Мне надо подобрать из 6-ти транзисторов 2N5484

Спойлер

http://alltransistors.com/ru/mosfet/transistor.php?transistor=11

ближний по параметрам КП303Ж (буква Ж видимо принципиальна)

Мой транзистор тестер показывает кофициент усиления обычных транзисторов, а у полевых показывает 2 цифры , вроде mV и mA (сейчас он не под рукой). Кофициент усиления я там не вижу.

И по каким параметрам надо стремиться к аналогу КП303Ж, которого у кеня нет и его параметры посмотреть негде?
Посоветуйте как быть.

Здравствуйте!

Помогите подобрать замену полевого транзистора 2N7002 (SMD)

Работает как ключ, управляет обмоткой реле. В свою очередь ключом управляет микросхема 4066. Я хочу из схемы вообще убрать реле (для снижения энергопотребления), а транзистор поставить помощнее, чтобы 500 мА / 14в без проблем держал. В целом понятно как подбирать, смущает один параметр Vgs (th) - я так понимаю это напряжение, при котором транзистор открывается (начинает открываться?).

Нашел на замену IRLML6344 (30в / 5А), у него Vgs (th) = 1в, а у сейчас установленного 1-2.5в. Можно ли заменить?

И еще вопрос - Vgs (th) -это напряжение на затворе, при котором транзистор начинает открываться, а как обозначается напряжение, при котором транзистор полностью открыт?

Gate Threshold Voltage — это напряжение, при котором транзистор начинает открываться. Для IRLML6344 это максимум 1,1 В. Дальше смотрите Fig 3 в спецификации.

Спасибо большое! Вроде разобрался. В зависимости от величины приложенного к затвору напряжения изменяется сопротивление сток-исток и, соответственно, падение напряжения на нем.

Помогите разобраться. Есть аккумуляторная батарея на 12 Вольт и кипятильник на 12 Вольт мощностью 100W. Ток его потребление 100/12=8А. Как можно уменьшить мощность кипятильника с помощью MOSFET транзистора?
Я так понимаю что регулируя напряжение на затворе мы регулируем канал исток - сток, тем самым можем уменьшить пропускную способность и понизить мощность кипятильника. Для примера мне нужно что бы кипятильник потреблял ток в 1А через транзистор, и не более. Или я ошибаюсь? И затвор имеет только 2 состояния открытое или закрытое.

Proteus вроде показывает что так можно отрегулировать.

Все вроде разобрался . Затвор транзистора имеет два состояния только открытое или закрытое, и регулировать им нагрузку как показано на схеме нельзя он либо открыт либо закрыт. Но регулировку все же осуществляют с помощью шим сигналов который в зависимости от частоты и скважности очень быстро то открывает то закрывает транзистор и регулирую скважность такого сигнала можно регулировать проходящую нагрузку через транзистор.

strengerst писал(а):Как можно уменьшить мощность кипятильника с помощью MOSFET транзистора?

Регулировать мощность можно шимом.

можно, кто мешает, только теперь транзистор становится кипятильником. Выбирать MOSFET необходимо в соответствии с графиком FBSOA. R1 в схеме можете исключить.

А что за график такой, в даташите вроде нет такого. Получается можно и без шима регулировать, только он очень грется будет. А я хорошее охлаждение поставлю. Ну привсем этом каковы будут потери тока? Больше чем 1А затраченные на кипятильник не должны ведь быть так как в теории остальные транс не пропустит.
http://www.irf.com/product-info/datashe ... ircz44.pdf

R1 в схеме можете исключить

Тогда не работает.

При такой мощности и тем более при работе от аккумулятора лучше использовать ШИМ, а не линейный регулятор.

см. график 8, только там нет режима DC, но данный транзистор подойдёт.