Форум РадиоКот

Резать теперь буду болгаркой.

Вот она где правда то зарыта!

Kalibry - нашел ваш пост и схему про переменку на выходе, теперь ясно. Просто сначала проглядел видимо...

WandererSc, максимальный ток у Вас должно быть 130-150А? Если да, то резать может и получится металл до 2мм длинной дугой (мм в 3-4). Но не советую. На таких токах инвертор скорее будет наплавлять, в силу особенностей переноса металла.
И 4 квадрата - вторички? Жестко. Хотя, сам пока нашел нужный провод задолбал всех знакомых электриков:))

Для резки можно перемотать транс на 150В и ток до ~20А, купить горелку для плазменной резки от слабых плазменных резаков и с обалденным качеством резать до 8мм цветных и черных металлов.

ploop, бывает Я вот не могу найти путного материала по составным транзисторам на ток ~200-250А и драйверам к ним. Нигде не попадалось?

А если просто IGBT-шек запараллелить побольше?

Кстати, на счет переменки, вы не подумали, сколько тепла выделится на ключах при переключении? Это всё-таки не 20А коммутировать, а 200!

Просто параллелить IGBT нельзя в силу известных проблем, а MOSFET - очень хорошо так работают, но их расчет связан с сопротивлением канала (если не ошибаюсь), и я ничего не знаю про их драйвера в таком виде. Кстати и тепловыделение у них значительно меньше чем у IGBT получается. С десяток уживется на хорошем AMD-шном кулере.

Просто параллелить IGBT нельзя в силу известных проблем

Точно, я и забыл, что они по сути - биполярники.

А вот на счет тепловыделения я имел ввиду сам переходной процесс. Во-первых, кучу запараллеленых мосфетов надо еще раскачать. Во-вторых токи. Понятно, что на хорошем (читай - большом) радиаторе эта проблема решаема. Но 4 больших радиатора - это вес и габариты намного большие, чем остальная часть схемы.

Хотя за такие фичи придётся чем-то жертвовать...

Транзисторы IGBT одного типа и наименования можно соединять параллельно без эмитерных токовыравнивающих резисторов.... важно "поставить" все транзисторы в одинаковые температурные условия.....
Семенов Б.Ю. "Силовая электроника от простого к сложному." 2005. стр. 170.

На счет параллельно включенных мосфетов.
У меня 10шт 2sk962. фото выкладывал.
Хотел поставить 14, но радиатора не хватило.
Раскачивает "драйвер фиксатого" без гальванической развязки. Напряжение управления 0-18В.
Пока к.тр. = 3.5 радиатор транзисторов (от socket 478) холоднне чем подобный на выпрямителях (бояны из кд2997).

WandererSc писал(а):На счет параллельно включенных мосфетов.
У меня 10шт 2sk962...

Полевики это не IGBT...
Этож какой драйвер нужно чтоб управлять такой пачкой ПТ.. т.е ихними затворами.. ох и не легкое это дело - разряжать емкость затворов .. а она там не маленькая будет..
У меня когда то тоже такая мысль была - взять десяток ПТ - вовремя сообразил и люди подсказали - нельзя так делать - можно в копеечку влететь.
хотя идея использования ПТ остается.. Может по 2..3 штуки ПТ взять и трансформаторными управлять..

Может по 2..3 штуки ПТ взять и трансформаторными управлять..

В смысле одна обмотка на 2-3 полевика? И так все в пачку? А что, идея неплохая.

WandererSc писал(а):На счет параллельно включенных мосфетов.
У меня 10шт 2sk962. фото выкладывал.
Хотел поставить 14, но радиатора не хватило.

Вы конечно меня сильно забавляете. Хотел...., но бензин кончился...
Что это за транзистор я не знаю, но примерно они все на одно лицо.
Входная ёмкость MOSFET примерно 1500 пФ. Десять в параллель, получаем 15 нан. Попробуйте просто повесить на 3845 15 нФ и не надо транзисторов, посмотрите формочку. Я уже не говорю про ток на выходе 3845, который не должен превышать 1 ампера.
Теперь берём заряд затвора Q=200 нКул, умножаем на частоту 40 кГц и ещё на 50 для получения приемлемых фронтов. Получаем на каждый затвор надо бы по 400 мА, а у Вас их десять. В общем дым коромыслом.

murzik писал(а):

WandererSc писал(а):На счет параллельно включенных мосфетов.
У меня 10шт 2sk962. фото выкладывал.
Хотел поставить 14, но радиатора не хватило.

......
Попробуйте просто повесить на 3845 15 нФ и не надо транзисторов, посмотрите формочку. Я уже не говорю про ток на выходе 3845, который не должен превышать 1 ампера.

murzik? не доцетировали вы моё сообщение, самое важное упустили.

WandererSc писал(а):Раскачивает "драйвер фиксатого" без гальванической развязки.

В общем там эмитерный повторитель на двух Дарлингтонах.
Кстати да ёмкость 1400пф по ДШ.

А по поводу "так не бывает, дым, бах и т.д." - уже работает. И осциллограммы красивые.

WandererSc писал(а):Раскачивает "драйвер фиксатого" без гальванической развязки.
В общем там эмитерный повторитель на двух Дарлингтонах.
Кстати да ёмкость 1400пф по ДШ.

Помню я про 2 дарлингтона. Всё-равно много току в импульсе. Поработает, конечно какое-то время.

Тайм аут

shev1975 писал(а):Транзисторы IGBT одного типа и наименования можно соединять параллельно без эмитерных токовыравнивающих резисторов.... важно "поставить" все транзисторы в одинаковые температурные условия.....
Семенов Б.Ю. "Силовая электроника от простого к сложному." 2005. стр. 170.

Шаманство однако:))

Про токи в управлении - никто не запрещает повторитель на транзисторах собрать.

murzik писал(а):Теперь берём заряд затвора Q=200 нКул, умножаем на частоту 40 кГц и ещё на 50 для получения приемлемых фронтов.

Частота немного другая, разговор начат за DC/AC приставку к инвертору, а там максимум 200Гц

А вот ускорить переключение, мда. На таких токах переходные процессы тепла мно-о-о-го дадут.

З.Ы. Расчетов составных MOSFET-тов значит ни у кого нет?

Kalibry писал(а):Тайм аут
Транзисторы IGBT одного типа и наименования можно соединять параллельно без эмитерных токовыравнивающих резисторов...
Шаманство однако:))

Никакого шаманства. Всё очень просто. Дело в том, что вот это самое MOSFET топология, по которой каждый транзистор состоит из 1000-10000 транзисторов соединённых параллельно, но внутри. Ну и что будет если ещё пару тысяч подвесим снаружи?
Поэтому и такая ёмкость на затворе.
Ну конечно же сопротивление может и будет не значительно отличаться от партии к партии.
А на счёт частоты я не в курсе. Просто хочу, что б было понятие. Просто предупреждаю.

Мяу всем..
murzik - ты немного запутался, строчка была про IGBT, а ты про MOSFET рассказываешь..
..
Параллелить теоретически можно до бесконечности..
Принцип такой:
1. Общий драйвер для раскачки /кому мало могут поставить 30ти амперный от IXYS/..
2. От драйвера через сопротивления к мощным транзисторам,
3. Перед каждым мощным транзистором ставится схема перезаряда затворной ёмкости..
..
Для IGBT рекомендуется закрывание отрицательным напряжением /примерно 4 вольта/....

МитяРа, расчеты в студию! Ну на крайний случай пошлите на... WWW... А если серьезно, принцип известен, расчеты нужны и/или пример.

murzik писал(а):Помню я про 2 дарлингтона. Всё-равно много току в импульсе. Поработает, конечно какое-то время.

И чем опасен этот ток? транзисторы драйвера теплые, не перегреваются. Управляемые mosfetы без нагрузки не греются - значит всё в норме.

Kalibry..
МитяРа, расчеты в студию!
мя разьве про какие-то расчёты упомянул?
Просто описал один из принципов "параллелизма" выходных ключей..
..
Если хочешь по поводу расчётов, то например тут: http://valvolodin.narod.ru/articles/FETsCntr.pdf
..
А вот ещё по поводу расчёта токов и драйверам: http://www.sea.com.ua/img/pdf/Sea_ChipNews_10.pdf

по поводу расчётов

можно еще у Мультика посмотреть - у него есть своя страница = http://multikonelectronics.com/
конкретно про драйвера - у В.Володина на форуме - целая тема посвящена = http://valvol.flyboard.ru/topic30.html

МитяРа писал(а):Мяу всем..
murzik - ты немного запутался, строчка была про IGBT, а ты про MOSFET рассказываешь..
..
Параллелить теоретически можно до бесконечности..
Принцип такой:
...
3. Перед каждым мощным транзистором ставится схема перезаряда затворной ёмкости..
...

IGBT сделаны точно так же. Отличие только во внутренней схеме каждой ячейки. Каждая ячейка состоит минимум из трёх транзисторов, отсюда отрицательный ТКR, там такой прикол, что транзистор, который сильнее нагреется, первым подзакроится. Поэтому и можно до бесконечности.
А вот про пункт 3 хотелось бы посмотреть.