Форум РадиоКот

svic писал(а):А Вы прозвоните их меж собой - станет ясно.

Так одно дело на постоянке, а другое — на ВЧ
У микроконтроллеров тоже выводы питания и земли между собой звонятся.

Да там, похоже, прямо на кристалле всё меж собой соединено, а по ногам разбросано для удобства разводки внешних цепей и потом на её частотах какие-то завязки вряд-ли возникнут. IMHO....

киракосян ашот писал(а):у к174пс1 обязательно заземлять выводы 1,4,6,9,14. или можно заземлить только один из них

Все заземляйте. Совсем недавно с этим накололся.

tedikgb писал(а):у этой рации мощность 10Вт http://kenwood1.ru/catalog/kenwood-raci ... l-band-10w
Вообще не много-ли для законодательства РФ? (10мВт)

Для радиостанций на СиБи диапазон мощностью до 10вт регистрация не требуется.

Такой вопрос. Вот, например, транзистор BFR93A. В даташите на каждой странице "NPN 6 GHz wideband transistor". Однако S параметры приведены только на промежутке от 100 до 1200 МГц - где подвох?

Так 6 ГГц это частота единичного усиления.

А если мне нужно работать на частоте 2ГГц, скажем?

Или лыжи не едут, или я торможу... Но я там вижу от 40МГц до 3ГГц. на Ваших 2ГГц усиление в районе 7. А на 3000МГц оно падает до 5 -- ниже график не построен -- считают не актуальным. Но можем мысленно достроить, зная что на 6ГГц он упадёт до 1.

Хм... Ан-нет, таки я туплю. Там только усиление на этом отрывке. S-характеристики и правда сокращены... Возможно они не видят актуальности выше 1,2ГГц?

Думаю, должен быть запас по частотным характеристикам транзистора. Если не ошибаюсь, на частоте Ft коэффициент усиления по току уменьшается до единицы, т.е. усилительные свойства теряются полностью.
А если нужен усилитель на бОльшие частоты, так можно взять транзисторы с бОльшей граничной частотой, благо что сейчас это не проблема.

Хотя схема включения ОБ позволяет делать усилители на частоты, приближающиеся к граничной частоте транзистора, но запас облегчает жизнь.

Я обычно сразу полосу делю на 3.

просто КОТ писал(а): Хм... Ан-нет, таки я туплю. Там только усиление на этом отрывке. S-характеристики и правда сокращены... Возможно они не видят актуальности выше 1,2ГГц?

Дело не в актуальности, а в ПОВТОРЯЕМОСТИ этих самых S-параметров.
Что толку их публиковать, когда на частотах выше 1200 МГц они могут иметь неприличный для расчетов разброс...

Добрый день, подскажите почему напряжение отсечки на рисунке изображено таким образом?
http://screenshot.su/show.php?img=67f76 ... 32a746.jpg

А то и обозначает, что если напряжение на переходе б-э меньше, чем Uотс, то транзистор закрыт и ток через него не течет.

Спасибо!!!
Добрый день, почему сигнал на транзистор подается с отвода катушки? почему не из точки соединения катушки и конденсатора?

http://screenshot.su/show.php?img=9e2b3 ... 6333eb.jpg

Что бы не шунтировать контур транзистором.
Если поставить полевой транзистор то можно будет включить контур полностью,так как у полевика большое входное сопротивление.

То есть сопротивление нижней части катушки должно быть меньше входного сопротивления транзистора?

Допустим входное сопротивление транзистора 2кОм. При полном включении эти 2кОм шунтируют контур. Если подключить транзистор к части контура с коэффициентом включения 0.5(например),то результирующее сопротивление,шунтирующее контур,будет 2кОм/(0.5)^2 = 8 кОм
Шунтировать контур в данном случае плохо - губиться добротность.
2 RA3WSI А можно БП транзистор подключить к контуру целиком, через разделительный конденсатор малой емкости(не хочу делать катушку с отводами)? В этом случае спротивление транзистора не шунтирует контур.

В любом случае, если от контура отбирается хоть какая-то энергия, контур шунтируется каким-то эквивалентным сопротивлением. Последовательный конденсатор в принципе поставить можно, но он внесет дополнительный сдвиг фаз, за счет этого генерация может сорваться. Лучше конденсатор С2 контура заменить на 2 последовательных, и базу подключить к их средней точке. Но все это требует или расчетов, или макетирования.

lcleo как Вы это посчитали 2кОм/(0.5)^2 = 8 кОм?

Формула такая есть: R делить на квадрат коэффициента включения в контур