Форум РадиоКот

Тут дело в обратной связи, которая должна стабилизировать рабочую точку.
Даже у одного конткретного транзистора (ВС847) при одних и тех же условиях БЭ может быть в диапазоне 580 ... 660 (тип.значение) ... 700 мВ.
Не говоря уже о том, что оно с увеличением температуры уменьшается примерно на 2 мВ/К. Это вы сидя дома можете прикинуть, что у вас температура будет от 18° зимой до 28°С летом.

Понятно , что обратная связь по току в цепи эмиттера с увеличением температуры сдвигает входную ВАХ влево на 2мВ/K,так же понятно что с ростом температуры пляшет ток базы, для этого и ввели делитель и резистор в цепи эмиттера . Все эти вещи я знаю как очи наш, пни ночью встану на автомате расскажу. Но опять же у вас промелькнула фраза типовое 0.7 В , откуда это типовое взялось???? То что контактная разность потенциалов сдыхает после 0.7В , отсюда????

dimitriy91 писал(а):откуда это типовое взялось????

Из ДШ.

Нет, она просто уменьшается ниже 0,7 В, и транзистор теряет заданные характеристики. Это относится к кремниевым структурам. Для германиевых это в диапазоне от 0,09 до 0,2 В. Как правило- у мощных транзисторов величина выше, у маломощных- ниже.

Вот http://www.transistor.by/i/pdf/kt3189.pdf , то же даташит . Не слова про типовое БЭ . Как я понял вы имеете введу , что бери из этого диапазона(0.6-0.7) и транзистор подгонит себя сам .

Больше — не меньше. Лишнее упадёт на базовом резисторе.

Можно на основе этой всей темы , статью по транзисторам написать =))))

Все украдено написано до нас!
Вот посмотри на характеристики КТ315 и осознай. что выбирать рабочую точку по напряжению не стоит -
с напряжением смещения 0,6 вольта при температуре +20 гр. ток базы 0,4 мА, при -40 гр. - 0,1 мА, а при +100 - вообще полное насыщение. Если же в эмиттере поставить резистор, на котором будет падать напряжение 1 вольт, то во всех этих случаях ток коллектора будет изменяться на всего на +/-10%, что вполне допустимо для абсолютного большинства схем.

alkarn - мы выше это уже осудили и это всё я знаю как "оче наш" , тут вопрос был немного не таков . Вопрос заключался в том , что всё равно как не крути придётся задавать потенциал базы.

Вот я и спросил что лучше . alkarn , посмотрите пожалуйста я вам личное сообщение отправил, если есть минутка.

Там вопрос слишком глобальный, надо обмыслить.
А по поводу напряжения Uэб добавлю, что если напряжение на эмиттерном сопротивлении 0,1-0,3 Ек, как рекомендуют в книжке, то, какое бы ты значение Uэб не взял (в пределах 0,4-0,8 вольт ), ток коллектора будет отличаться не более 10%. Проверь расчетом.

Ужас какой то, всё учишься учишься и всё сложнее кажется жизнь =)))) Спасибо вам .

В общем много опять у меня вопросов по схемам включения биполярного транзистора p-n-p допустим :
Во-первых не совсем понятно почему в схеме с общим коллектором входное сопротивление больше выходного ? Ведь как я понял поле уже будет слабее при подключении нагрузки к общему проводу ,электрическое поле между эммитером и базой будет уже слабее и уже будет не способно перебросить электрон в область коллектора через потенциальный барьер , следовательно выходное сопротивление будет ещё меньше ? Так как понять ?

Vendein_RaZoR писал(а):В общем много опять у меня вопросов по схемам включения биполярного транзистора p-n-p допустим :
Во-первых не совсем понятно почему в схеме с общим коллектором входное сопротивление больше выходного ?

Бред вырезан.
Что же ты там читаешь, что у тебя такая мешанина в голове?
Прежде чем лезть в схему ОК, надо разобраться с ОБ и ОЭ. Причем, досконально, чтобы от зубов отскакивало.
Потом разобраться, как на них строятся усилители. Однокаскадные, многокаскадные.
Потом разобраться с теорией обратной связи в усилителях.
И только потом можно браться за схему ОК, потому что в ней имеется 100% отрицательная обратная связь, благодаря которой схема ОК имеет такие параметры.

Действительно , нес ерунду
Движение электронов и дырок всегда путаю

Vendein_RaZoR писал(а):Действительно , нес ерунду
Движение электронов и дырок всегда путаю

Для определения вх и вых сопротивлений вам не нужно задумываться о таких вещах как напряжённость электрического поля , движений дырок и электронов, концентрация , градиент и т.д. Перейдите на уровень абстракции выше . Для определения вх и вых сопротивлений вам поможет Т- образная эквивалентная схема и немного знаний электротехнике. Если хотите разобраться скачайте книгу -"Электроника и микропроцессорная техника", Гусева . Откройте стр 295 и сидите разбирайтесь, превосходный материал для обучения. Удачи Во оно как в жизни , профессор старался , разрабатывал учебник , чтобы хоть немного деньжат заработать, а мы берём и с наглым выражением лица скачиваем (крадём) и в наглую читаем , вот мы не хорошие.

"Электроника и микропроцессорная техника"

Мне ещё пока рановато к микропроцессорам переходить (ну всмысле сам не хочу пока)
Именно с этого уровня абстракции всё начинается

книга состоит из нескольких частей, микропроцессорная техника рассматривается в конце, а то что тебе надо я написал на какой странице . Скажи мне пожалуйста , кто тебе сказал это

Именно с этого уровня абстракции всё начинается

, где ты это прочитал ????
Для определения сопротивлений , как раз нужна т- образная эквивалентная схема или схема построенная по h,y - параметрам ( Джиаколетто).
а вот это

электрическое поле между эммитером и базой будет уже слабее и уже будет не способно перебросить электрон в область коллектора

Это вообще чушь. Эмиттерный переход в в нормальном режиме смещён в прямом направление , запорного слоя соответственно там нету , какое поле нафиг? поле создаётся на коллекторном переходе (если речь идёт о нормальном включении), так как он смещён в обратном направление.
Ты ведать не понял работы транзистора. Если переход ЭБ (эмиттерный ) сместить в прямом направление , а переход КБ - коллекторный в обратном , то получится следующее:
Т.к. эмиттерный слой делают с большим количеством примеси , по сравнению с базовым , то поток электронов из Э будет намного больше чем поток дырок из базового слоя , потоком дырок тогда можно пренебречь ( для случая n-p-n транзистора) . Тогда на границе эмиттерного перехода со стороны базы будет накапливаться значительная часть электронов , т.к. они попросту не будут успевать рекомбинировать. Тогда следствии диффузии электроны будут продвигаться в глубь базы . Базу делают намного меньше диффузионной длины электронов, следовательно практически все электроны достигнут коллекторного перехода 98-99% (часть рекомбинирует с дырками в базе создавая базовый ток) . Достигнув кол. перехода ( он смещён в ОБРАТНОМ НАПРАВЛЕНИИ!!!! ) они подхватываются электрическим полем и перебрасываются к кол. выводу , создавая таким образом кол. ток. Таким образом эмиттерным током управляет напряжение БЭ , увеличение Uбэ вызывает увеличение эмиттерного тока, увеличившийся эмиттерный ток вызывает пропорциональное увеличение тока базы и коллектора соответственно Iэ = Iб + Iк , следовательно для изменения тока коллектора по определенному закону( закону усиливаемого сигнала ) , необходимо приложить напряжение БЭ изменяющееся по этому закону. Заметь , кстати , что не меньшую работы выполняет резистор в цепи коллектора , т.к. изменяющийся ток коллектора по заданному закону должен вызвать падение напряжение на Rк , чтобы потенциал кол. изменялся по закону усл напряжения .Rк одновременно помогает задать потенциал коллектора в статическом режиме и так же является преобразователем ток - напряжение , для усиливаемого сигнала .

Как ты тут определишь вх и вых сопротивление???? С таких рассуждений видно что сопротивление Э < Б < К . И не более.

Читай Гусева, я даже страницу тебе сказал !!!!

Привет всем дружным котятам радиолюбителям. Я неделю назад скачал книгу
Гринфилд Дж. – «Транзисторы и линейные ИС – 1992». Объясните мне, пожалуйста, что обозначает Ico в формуле a = (Ic – Ico)/Ie? Это не опечатка? Искал это значение в гугле и не нашел. (

Похоже на "темновой" ток коллектора.