Форум РадиоКот

fedyaok писал(а): Если на базе 0, то транзистор будет закрыт наглухо
А вот про минимальный ток базы по-подробнее

спасибо за ответ, а то я совсем запуталась. в литературе пишут, про запирающий ток и у меня с моделированием что-то не получается, заземляю базу, а в коллекторе всё равно есть ток...

про минимальный ток базы: у транзистора ток коллектора макс = 10А, мне нужен ток коллектора 4А, h21=80. минимальный ток базы=4А/80=0.05А. что-то не так?

Ну если минимальный бэта по справочнику 80(не смотрю, верю Вам), то всё ОК

candoliza писал(а):про минимальный ток базы: у транзистора ток коллектора макс = 10А, мне нужен ток коллектора 4А, h21=80. минимальный ток базы=4А/80=0.05А. что-то не так?

если вы собираетесь снять 4А в режиме усиления (могли бы и больше 4А, но не даете) то да, Iб=Iк/h21. но если же вы используете его как ключ, в режиме насыщения (выдаете в нагрузку сколько только можете, допустим нагрузка 2.3 ом на 10в питания) то делите h21 на десяток, то есть типа полампера надо в базу зарядить

ничего не поняла.
да, я использую его как ключ. в режиме насыщения у меня максимальный ток коллектора должен быть 4А.

Вот и установите ток базы таким при котором транзистор сможет пропускать ток не менее 4А.

вот то что вы высчитали через h21 годится только для ситуации когда напряжение на коллекторе все еще выше напряжения на базе. допустим питание 9 вольт, сопротивление нагрузки коллектора 2 ома, ток коллектора 4 ампера, Uбэ=0.9в, Uкэ=1в. вот для этого, все еще линейного, режима годится формула Iб=4а/80 = 50мА. но при этом на транзисторе рассеивается 1в*4а=4вт что нам не нравится и хотелось бы уменьшить Uкэ до 250мв и рассеивать 1вт, но это означает Uкэ<Uбэ, Uб>Uк, то есть переход в режим насыщения, а там уже h21 не подходит. вот во сколько раз вам от 50мА придется увеличить ток базы чтобы достичь Uкэ=250мв это будет глубиной насыщения. при этом с одной стороны вы будете экономить на рассеивании Iк*Uкэ но начнете быстро терять на Iб*Uбэ, к тому же чем глубже насыщение тем больше задержка при выключении транзистора, поэтому надо найти какой-то оптимум.

как высчитать оптимальную глубину насыщения и соответственно ток базы из стандартных характеристик, я не уверен. обычно пишут 'в несколько раз больше' и все. возможно следует поделить паспортные Uбэнас/Uкэнас, с точки зрения энергопотерь на открытом ключе это будет оптимум, но не с точки зрения потерь при переключении.

а вот ещё такой вопрос, простите. если у меня в цепи базы стоит рц-цепь. получается, что транзистор медленно будет переходить в область насыщения?

медленно. так вы наверное и ставите rc чтобы медленно включать ключ а не разом

а почему?.. ведь получается, что импульс первый зарядит конденсатор и не повлияет на время появления напряжения Uбэ. конденсатор повлияет, когда будет разряжаться....

как это не повлияет? у вас же конденсатор параллельно база-эмиттер стоит? чтобы его зарядить через резистор нужно время, а первоначально весь ток через него пойдет и напряжение на нем (и на базе) будет ноль

подождите, вы так его предлагаете включать?..

http://picasaweb.google.com/lh/photo/v_ ... directlink

ну. и тут работает правило что напряжение на конденсаторе (как ток через индуктивность) нельзя поменять мгновенно, иначе потребовался бы бесконечный ток. так что и открываться и закрываться транзистор у вас будет постепенно

candoliza писал(а): http://picasaweb.google.com/lh/photo/v_ ... directlink

а какая это схема? с общей базой или эмиттером?

скажите, пожауйста, какое включение n-p-n транзистора в данном случае является верным и почему.
и почему в первом случае эмиттер фактический (по обозначениям) называют коллектором и наоборот?

Вторая схема работать не будет (перепутана полярность)

Первая - схема с общим коллектором.

почему в первом случае эмиттер фактический (по обозначениям) называют коллектором и наоборот?

Эмиттер он и в Африке эмиттрер. Собственно как и коллектор с базой. Кто так называет - не знаю.

спасибо за ответ.
по поводу коллектора и эмиттера. получается, что в справочнике как максимальный ток нагрузки мне надо смотреть на ток эмиттера? обычно не смотря на обозначения смотрят на ток коллектора...

На самом деле вторая схема при определённых ограничениях вполне работоспособна, а именно, напряжение питания не должно превышать максимально допустимое обратное Э-Б, усиление при этом становится очень маленьким или вообще отсутствует. Для некоторых типов транзисторов даже параметры нормируются при таком включении, просто в этой схеме эмиттер превращается в коллектор а коллектор в эмиттер.

можете посоветовать книгу, где это всё можно точно прочитать?

Книгу посоветовать не могу, в институтах не учился могу предложить поискать по фразе инверсное включение транзистора

спасибо
поясните про первую схему включения, пожалуйста. как по справочнику искать максимальный ток нагрузки - это будет ток эмиттера или коллектора всё же (потому что эмиттера в основном не приводится)?