Форум РадиоКот

На входе +5В. На эмиттере первого 6В. На базу второго приходит 6В. На эмиттере второго 1В.

Не 1В, а 5В.

Пухич писал(а):

На входе +5В. На эмиттере первого 6В. На базу второго приходит 6В. На эмиттере второго 1В.

Не 1В, а 5В.

Ага, печатка. И температурный коэффийиент - отрицательный. Т.е. чем выше температура тем ниже Uбэ. Теперь я понял, о чем говрил INFERION.
В этот раз читаю вдумчиво и внимательно (правда очень медленно выходит), но теперь вижу тучу опечаток. Ужас. Типа Uк=Uкк/Rк или в этом духе что-то.

Дочитал до эбберса молла или как его там на двоих зовут. Пока не хочу начинает его читать, так как пару-тройку вещей еще не допонял.

Итак:

1)


Сказано что для T1 убрано влияние температуры и эффекта Эрли и типа супер точность. Но что-то тут не договорили. Посмотрим на T2. У него-то влияние Эрли и температуры на месте! Т.е. напряжение на эмиттере Т2 плывет! А следовательно и напряжение на коллекторе Т1 плывет! Кроме этого, я так понимаю, Т2 должен быть всегда открыт больше, чем Т1, чтобы не ограничивать ток, который может пройти через Т1. Прошу комментария.

2)


По этой схеме не понял фразу из книги "С помощью R1 устанавливается смещение транзистора Т2 и потенциал коллектора Т1, причем это потенциал меньше, чем напряжение Uкк на удвоенную величину падения напряжения на переходе, тем самым уменьшается влияние эффекта Эрли".
Не понял нескольких вещей:
1) какой переход имеет ввиду (до этого в тексте не упомянут)
2) почему именно удвоенную величину?
3) зачем тут Т2 вообще? Что он тут делает, если уже после Т1 и резистора нужный ток установлен?


3)

Сказано, что сопротивление коллектора просто мегаомное в отличие от эмиттера. Я не понял, что имеется ввиду. Оно же не может быть буквально мегаомным, иначе никакого реально тока не прошло бы через него. Речь идет о схеме с общим эмиттером, где на коллекторе стоит резюк и он определяет выходное сопротивление схемы.

мяу у меня тоже вопрос есть по этой книженции ...почему эквивалентная схема делителя напряжения представляется как 2 паралельно соединенных резистора а не последовательно?

Neo-N писал(а):мяу у меня тоже вопрос есть по этой книженции ...почему эквивалентная схема делителя напряжения представляется как 2 паралельно соединенных резистора а не последовательно?

Номер рисунка какой?

стр.18 рисунок 1.10 в левом столбике внизу ...

Ну блин! Они логически разнесли делитель и нагрузку. Соотвественно сам делитель заменен на эквивалентное сопротивление, а нагрузка нагрузкой и осталась. Т.е. нагрузка подключенная через делитель экварвалентно нагрузке с последовательно подключенным резистором.

Я никогда такую литературу не читал и всё ещё живой. Несмотря даже на то, что меня тут часто рвут на части из-за неграмотности .

А мне, чтоб быстрей понять, что написано в книге, надо взять в руки паяльник. Вот тот самый источник тока - почитал теорию, спаял, померил везде напряжения, токи, поменял что-нибудь, тогда во-первых доходит быстрее, во-вторых запоминается чётко. Сухую теорию сложнее запомнить. Но паяльник, как известно, не всегда под рукой, а информации выше крыши.

ploop писал(а):А мне, чтоб быстрей понять, что написано в книге, надо взять в руки паяльник. Вот тот самый источник тока - почитал теорию, спаял, померил везде напряжения, токи, поменял что-нибудь, тогда во-первых доходит быстрее, во-вторых запоминается чётко. Сухую теорию сложнее запомнить. Но паяльник, как известно, не всегда под рукой, а информации выше крыши.

Это конечно хорошо и практика есть но ведь можно и в мультисиме к примеру ...

Neo-N писал(а):Это конечно хорошо и практика есть но ведь можно и в мультисиме к примеру ...

Мультисим не способен передать те ощущения, которые возникают при коротком замыкании во время эксперементов. И уж тем более когда схема тебе дарит заряд "бодрости" на весь день .

Сказано что для T1 убрано влияние температуры и эффекта Эрли и типа супер точность. Но что-то тут не договорили. Посмотрим на T2. У него-то влияние Эрли и температуры на месте! Т.е. напряжение на эмиттере Т2 плывет! А следовательно и напряжение на коллекторе Т1 плывет! Кроме этого, я так понимаю, Т2 должен быть всегда открыт больше, чем Т1, чтобы не ограничивать ток, который может пройти через Т1. Прошу комментария.

Очевидно, что напряжение на коллекторе Т1 в такой схеме гораздо стабильнее, чем в схеме с одним транзом. Ибо теперь, при изменении нагрузки и напруги питания, изменение напряжения приходится на коллектор Т2, а не Т1. Известно (кури ХХ), что эффект Эрли оценивается как dUбэ= -0.001*dUкэ. Т.е. если на КЭ у Т2 напруга изменилась на 1В, то на его БЭ она изменилась на 1мВ. И этот 1мВ изменения попадает на коллектор Т1, где он (по той же формуле для Эрли) превращается в 1мкВ изменения БЭ-напруги у Т1. Учитывая стабильность базового напряжения (условие задачи), все это выливается в изменение на 1мкВ напруги на эмиттерном резюке Т1). А при однотранзисторной схеме был бы не 1мкВ, а 1мВ. Значит в этой схеме меньше будет плавать напруга на эмитетрном резисторе. А отсюда вывод - ток эмиттерного резистора будет стабильнее. А этот ток является задающим для всей схемы. И если он стабильнее, то и вся схема стабильнее. Насчет устранения влияния температуры - ИМХО ошибочно. Ибо температура будет влиять и на БЭ-напругу Т1, и это ничем не устранится. А температурное изменение БЭ-напруги у Т2 еще и на коллектор Т1 попрет в ничуть не ослабленном виде, ухудшив тем самым проблему Эрли.

1) какой переход имеет ввиду (до этого в тексте не упомянут)

Любой БЭ-переход. Они типа одинаковые.

почему именно удвоенную величину?

Потому что между R1 и Uкк именно два БЭ-перехода. Смотри картинку.

зачем тут Т2 вообще? Что он тут делает, если уже после Т1 и резистора нужный ток установлен?

Как зачем? Т2 собственно выполняет функцию источника тока. А Т1, на коллекторе которого относительно его же эмиттера достаточно стабильные 1,2В (2 по 0,6В, а 0,6В - падение на БЭ-переходе), выполняет функцию задатчика стабильного напряжения для R2 (который является эмиттерным резистором для источника тока Т2, то есть резистором-задатчиком, стабильность тока которого, собственно, и важна и обеспечивается стабильность тока R2 благодаря стабильности напряжения). Стабильность напряжения на КЭ у Т1 обеспечивается тем, что при значительном изменении КЭ у Т2, на БЭ у Т2 изменения в тысячу раз меньшие, а значит КЭ-напруга Т1 меняется мало, отсюда и стабильная КЭ-напруга у Т1. Схема сильно похожа на предыдущую - и там, и там два транза, только схемотехника несколько иная. Один работает как собственно источник тока, а другой, опираясь на малые колебания БЭ-напруги первого транза, имеет еще меньшие колебания собственной БЭ-напруги, которая юзается для задания тока.

Сказано, что сопротивление коллектора просто мегаомное в отличие от эмиттера. Я не понял, что имеется ввиду. Оно же не может быть буквально мегаомным, иначе никакого реально тока не прошло бы через него. Речь идет о схеме с общим эмиттером, где на коллекторе стоит резюк и он определяет выходное сопротивление схемы.

Где это сказано? Уточни.

INFERION писал(а):Мультисим не способен передать те ощущения, которые возникают при коротком замыкании во время эксперементов. И уж тем более когда схема тебе дарит заряд "бодрости" на весь день

Зато Мультисим помогает быстро понять те эффекты, которые возникают в схемах, и которые иногда сложно получить на практике.

Ответы буду завтра вечером анализировать. Тут думать надо. Про эффекти Эрли и температурный я уже вкурил, кожффициенты в конспект выписал (я кратко конспектирую все, чтобы топом страничку сделать, чтобы важное ничего не забыть, а то у меня память как к рыбы уже - 5 минут и все забыл).

Касательно того, где сказано про коллекторное сопротивление:
Глава 2,
2.07 Усилитель с общим эмиттером
подтема "Входное и выходно сопротивление усилителя с общим эмиттером" (стр 84), 2-й параграф
Вот и не понимаю, что они имеют ввиду под мегаомным сопротивлением коллектора.



Multisim поставил сегодня, еще не копался. Еще поставил бесплатный ltspice, но он какой-то глюкавый, мне кажется.

Вообще сопротивление коллектора - некая абстракция, ибо прямому измерению в схеме не поддается и смысла такое измерение не имеет. Давай рассуждать так - при весьма большом изменении напряжения на коллекторе (например при изменении нагрузки или сопротивления), ток коллектора меняется мало, ибо он определяется вообще-то сигналом на эмиттере и (в малой степени) эффектом Эрли. Т.е. при большом изменении напряжения имеем ОЧЕНЬ малое изменение тока. Сопротивление коллектора в таком случае Rдин=dU/dI, что с учетом большого dU и малого dI дает большое Rдин. Вот и все.

по 1)

Очевидно, что напряжение на коллекторе Т1 в такой схеме гораздо стабильнее...

Ага, т.е. вторым резистором мы фактически уменьшили влиянием эффекта Эрли в 1000 раз. мВ перевели в мкВ. НО! Какой смысл так напрягаться, если температурный коэффициент на Т1 все равно -2мВ/С ?
Там у нас микровольты, а тут милливольты. Это конечно лучше, но толку то. Не так и хорошая эта схема выходит, как ее описали. А я так верил ХХ, а выходит что тоже надо ухо(точнее глаз или мозг) на стреме держать. Никому верить нельзя!

по 2)

понял, но пока я с ней игрался в LTSpice собрал дебильную схему



И удивился! Чего-то я пропустил. Напряжение между эмиттером и базой - 9В! между К и Э - 0.2В примерно. Ну т.е. разумеется транзюк в режиме насыщения. И что? В режиме насыщения Uэб может быть настолько далеко от заветных 0.6 ??? Если заменить R 1Ом на 2КОм, то Uбэ =0.3В. Опа? опять не 0.6. Чего то я не понял. Он какой-то особенный этот 2n2907? В даташите ничего обсеннного не нашел про него.

по 3)
Про сопротивление понял. Могли бы и написать что имеют ввиду динамическое сопротивление или как-то намекнуть вообще.

Ага, т.е. вторым резистором мы фактически уменьшили влиянием эффекта Эрли в 1000 раз. мВ перевели в мкВ. НО! Какой смысл так напрягаться, если температурный коэффициент на Т1 все равно -2мВ/С ?
Там у нас микровольты, а тут милливольты. Это конечно лучше, но толку то. Не так и хорошая эта схема выходит, как ее описали. А я так верил ХХ, а выходит что тоже надо ухо(точнее глаз или мозг) на стреме держать. Никому верить нельзя!

Ну ты хохол! Что ж теперь, любая схема и от Эрли должна быть защищена, и от температуры?!? Если есть необходимость, то такие схемы есть. Но не всегда нужно бороться и с тем и с другим. Конкретно эта схема обещала уничтожение Эрли - и она это делает. Этой схеме тыща применений, ибо огромное количество источников тока в которых температура почти не гадит, а вот напруга на коллекторе плывет (с вытекающими). Есть наоборот - напруга на коллекторе мало меняется, зато схема на Марсе - днем жарко, ночью холодно. Тут уже нужна предпредыдущяя схема - где два транза борются с температурой. Надо ж условия задачи ставить, а под них схему точить.

Книжке ХХ верить можно и нужно. Но с головой.

И удивился! Чего-то я пропустил. Напряжение между эмиттером и базой - 9В! между К и Э - 0.2В примерно. Ну т.е. разумеется транзюк в режиме насыщения. И что? В режиме насыщения Uэб может быть настолько далеко от заветных 0.6 ??? Если заменить R 1Ом на 2КОм, то Uбэ =0.3В. Опа? опять не 0.6. Чего то я не понял. Он какой-то особенный этот 2n2907? В даташите ничего обсеннного не нашел про него.

Между эмиттером и базой в симуляторе может быть что угодно. Но если это "что-то" порядка нескольких вольт - явно лажа.

Теперь смотрим - чего ты там нарисовал. Вот почему R2=1 Ом? Если на его верхней ножке будет 9,4 вольт (как и должно было бы быть из-за перехода БЭ), то через него пойдет 9,4 ампера. И все это через базу и (частично) R1. Конечно тебе абы что покажут при таком токе базы. Надо увеличивать R2. Притом сильно.

Затем ты поставил R2 равное 2К. Это похвально. При этом делитель из R1 и R2 дает на базу целых 10В*62Ом/(62Ом+2000Ом)=0.3В. Констатирую - твоя прога работает.

А теперь серьезно - резисторы для транзисторных ключей выбираются не от балды, а требуют расчета. Особенно в части R1 - впервые вижу, чтобы в транзисторном ключе на БЭ стояло 62Ом. Не может быть такого Iкбо, чтобы понадобилось туда совать 62Ом.

Если тебе нужен расчет транзисторного ключа - пошукай по поиску, я тут уже выкладывал примерную (приближенную) методику.

Или ты не транзисторный ключ хотел собрать??

Да я ничего не хотел, как сделать что нибудь "крайнее" и потыкать, посмотреть, что с токами и напряжениями и насколько оно совпадает с поим пониманием. Вот и поставил 1 Ом. И посмотрел. И не понял.

Т.е. программа откровенно "гонит", показывая между Б и Э напряжение 9В?

Но я все равно не понял, почему 0.3? Точнее почему 0.3 понятно - резистивный делить он и есть резистивный делитель. Но этот вот как=то у меня не совпадает с тем что в ХХ написано. А в ХХ они так смело раз и говорят, что если на Б подано Х, то на Э будет напряжение на Б + 0.6 (для pnp). А как тут это приложить? И вообще вопрос тогда, когда это правда, а когда нет?


Начал читать про Эберса-Молла. В шоке. Все перековеркали. Сначала было
Iк=Iб*h12э
а теперь заявляют, что вообще Iк зависит от Uбэ
а вот Iб уже равно Iк/h12э, которое все плывет в зависимости от всего. Т.е. по сути система уравнений, которая сама себя решает, как ты любишь гворить.
Но! Когда говорят такие вещи, подразумевают, что Uбэ модно управлять, чтобы управлять Iк, но они же сами говорят, что Uбэ в общем равно около 0.6 (и далее в схемах смело принимают его за 0.6), а управляют током коллектора через ток базы. Ыыыыыыы, мне спалили МОСК.

Т.е. программа откровенно "гонит", показывая между Б и Э напряжение 9В?

Да нет же, не гонит она. Она только считает. По расчету выходит, что малое сопротивление БЭ-перехода и резюк в 1Ом образуют такой делитель, что на БЭ-переходе будет 9В. На практике это означало бы тепловой пробой указанного перехода, вследствие чего ты не увидел бы те самые 9В. Но в программе пробоя нет и не будет. Вообще все модели отрабатывают перегруз некорректно - либо игнорируют его и просто умножают перегрузочный ток на свое динамическое сопротивление, либо выдают косяки похуже. Посему за условиями соблюдения предельных параметров должен следить ты.

Но я все равно не понял, почему 0.3? Точнее почему 0.3 понятно - резистивный делить он и есть резистивный делитель. Но этот вот как=то у меня не совпадает с тем что в ХХ написано. А в ХХ они так смело раз и говорят, что если на Б подано Х, то на Э будет напряжение на Б + 0.6 (для pnp). А как тут это приложить? И вообще вопрос тогда, когда это правда, а когда нет?

Чорт побери, да здесь же делитель первичен по отношению к остальной схеме! Делитель дает на переход напругу в 0,3В. Переход при такой напруге закрыт, его сопротивление велико, посему делитель работает как делитель. Вот если бы делитель был иной, чтобы он давал 0,7В сам по себе, тогда уже включился бы БЭ-переход, транз открылся бы, частично зашунтировал бы переход, чем изменил бы делитель. Напруга на БЭ-переходе упала бы с 0,7В на, например, 0,6В. Может упасть и меньше (зависит от параметров делителя и транза), посему транз может частично и призакрыться. Итак, делитель надо рассчитывать. Этот делитель должен при отключенном транзюке давать такую напругу между Uпит и средней точкой, чтобы она была больше напруги открытия транза. Тогда он откроется при подключении к такому делителю, и изменит его параметры, но делитель рассчитан так, чтобы удерживать транз открытым. Без расчета тут не обойтись. А рассчитывать надо конкретную схему. Просто поглядеть тут не выйдет. Ты уже нагляделся на нечто, согласись?

Начал читать про Эберса-Молла. В шоке. Все перековеркали. Сначала было
Iк=Iб*h12э
а теперь заявляют, что вообще Iк зависит от Uбэ
а вот Iб уже равно Iк/h12э, которое все плывет в зависимости от всего. Т.е. по сути система уравнений, которая сама себя решает, как ты любишь гворить.
Но! Когда говорят такие вещи, подразумевают, что Uбэ модно управлять, чтобы управлять Iк, но они же сами говорят, что Uбэ в общем равно около 0.6 (и далее в схемах смело принимают его за 0.6), а управляют током коллектора через ток базы. Ыыыыыыы, мне спалили МОСК.

Тысяча чертей! Но это, к сожалению, так и есть. Вопреки популярному среди молодежи мнению "вся соль жизни в h21э" все не так просто. По факту, ток коллектора определяется напругой на базе. Там же вводится и зависимость тока коллектора от температуры (через Uт) и еще черте от чего, что скрыто в Iнас (которое тоже зависит от температуры). Как ты верно припомнил - там есть некая СНАУ, которая сама себя решает.

Насчет постоянного Uбэ - все верно. Ориентироваться на Uбэ, как на регулирующую величину, очень сложно. Там дальше ты прочтешь, что изменение Uбэ на 60мВ дает удесятерение тока. Не очень-то удобно управлять! Управлять токов базы тоже пошловато - ток базы через диодную характеристику связан с Uбэ, а Uбэ...... А наше любимое h21э совсем никуда не годно.

Посему и вводят эмиттерный резистор. Благодаря ему мы можем заявить - не боись! Пусть на базе у нас есть смещение покоя, например 3В (задано делителем). На эмиттере будет 2,4В (примерно, тут уже +-5% за счет Эберса-Молла и прочих мужчин в пиджаках вполне сгодятся). Из этого подбираем такой эмиттерный резюк, чтобы обеспечить нужный ток покоя коллектора. Разумеется тут опять имеет место система уравнений (в которой участвует делитель, эмиттерный резюк, транзистор и все остальное, в зависимости от требуемой точности), которую решает проектировщик. Затем она уточняется на практике.

А про h21э забудь, как про страшный сон. Этот коэффициент служит для упрощенных расчетов ключей (там он вполне катит, ибо транз иначе включается), а также для быстрого определения по справочникам пригодности транза - типа если h21э=10-20, а нам надо не меньше 100, значит берем другой транз, у которого 120-200.

Мда.. ну и дела. Сейчас я задам тучу маленьких вопрос. Надеюсь на них можно получит вразумительные четкие и не очень длинные ответы.

1) Про волтаж на БЭ и делителе я понял, что мы сначала управляем напряжением БЭ, которое управляет током коллектора и меняет делитель при этом так, что напряжение БЭ становится, как ты сказал, "например" 0.6В. Только что точно значит твоя фраза " частично зашунтировал бы переход" ? Это в смысле что переход БЭ поткрыли и подключили к земле через R2 в моей схеме? Это имеешь ввиду?
То что делитель на базе надо считать, я, конечно же, понимаю. Но я специально крайности смотрели в программе.
А что значит "частично перезакрыться?" Это звучит как "немножко беременна".

Может ли быть такая ситутация, что делитель дает какое-то недалекое от порога открытия напряжение, транз открывается, напряжение падает, транз закрывается, напряжение опять восстанавливается и траз опять открывается и так по кругу?

Ну главный вопрос (который в книге мягко обойден пока). Ну вот я взял делитель, который даст мне 0.7В, траз откроется. А как узнат на сколько при этом упадет напряжение на БЭ, чтобы точно удостоверится, что 0.7В с делителя достаточно. В книге они смела принимают напряжение БЭ за 0.6 и фигачат дальше. Я фигею.


2) Что же такое Iнас? Оно определено в книге, как "обратный ток эмиттерного перехода". Мне оно вообще не помогает. Что за обратный ток? Когда и как он проявляется?

3) Чуть ранее в книге сказано что эффект Эрли deltaUбэ=0.001deltaUбк, однако здесь уже сказано deltaUбэ=alpha*Uбк, где alpha приерно равно 0.0001. Так 0.001 или 0.0001 ?

4) В книге то говорится, что rэ (собственное R эмиттера) считается последовательно, потом говорится, что параллельно, потом говорится, что оно параллельно Rэ с Rнаг, потом опять последовательно. Пипец. Наверно трудности перевод блин. Вот схема, как я себе это представляю. Это верно?


5) Что такое ток затухания? Они достали уже вводит терми
на в пользование без определения и объяснения.


6) Сказано, что rэ=25/Iк для МАЛОГО сигнала. А для большого что?
И что считается за большой сигнал? А для сигналов не больших и н емаленьких что?

7) Если сказано, что коэффиент усиления по напряжению для эмиттероного повторителя равен 0.97, то не означает ли, что если падать на базу 1В, то на выходе будет 0.97В?

Пока все. Дальше двигаться не буду, пока с этим не разберусь.

1) Про волтаж на БЭ и делителе я понял, что мы сначала управляем напряжением БЭ, которое управляет током коллектора и меняет делитель при этом так, что напряжение БЭ становится, как ты сказал, "например" 0.6В. Только что точно значит твоя фраза " частично зашунтировал бы переход" ? Это в смысле что переход БЭ поткрыли и подключили к земле через R2 в моей схеме? Это имеешь ввиду?
То что делитель на базе надо считать, я, конечно же, понимаю. Но я специально крайности смотрели в программе.
А что значит "частично перезакрыться?" Это звучит как "немножко беременна".

Открытый БЭ-переход шунтирует R1. Ведь он к нему подключен.

Частично ПРИзакрыться - это когда БЭ-переход едва-едва открыт. Как ты понимаешь он ведь не резко в точке 0,6В открывается. Имеет место процесс постепенного открытия с ростом напряжения на переходе.

Может ли быть такая ситутация, что делитель дает какое-то недалекое от порога открытия напряжение, транз открывается, напряжение падает, транз закрывается, напряжение опять восстанавливается и траз опять открывается и так по кругу?

Такого быть не может. Система уравнений найдет свое решение где-то между этими состояниями, причем за один проход. Т.е. БЭ-переход, открываясь, начнет шунтировать R1, напруга будет падать, рано или поздно открытие перехода прекратится.

Ну главный вопрос (который в книге мягко обойден пока). Ну вот я взял делитель, который даст мне 0.7В, траз откроется. А как узнат на сколько при этом упадет напряжение на БЭ, чтобы точно удостоверится, что 0.7В с делителя достаточно. В книге они смела принимают напряжение БЭ за 0.6 и фигачат дальше. Я фигею.

На самом деле 0,6-0,7В это примерные величины. Напруга БЭ-перехода меняется, но меняется мало, кроме того, как я выше писал, никто не управляет транзом через напругу БЭ-перехода, поэтому точное значение Uбэ не всегда важно (хотя соответствующие зависимости базового тока от напруги БЭ есть). Главное, чтобы напруги у делителя ПРИ ОТКРЫТОМ ПЕРЕХОДЕ хватило однозначно. Для этого его и рассчитывают.

Что же такое Iнас? Оно определено в книге, как "обратный ток эмиттерного перехода". Мне оно вообще не помогает. Что за обратный ток? Когда и как он проявляется?

Обратный ток эмиттера Iбэо представляет собой составляющую эмиттерного тока, значения которого определяется процессами генерации носителей в эмиттере, базе и в области эмиттерного перехода (цитата). Почему он вылез в формуле - вопросы к Эберсу-Моллу. Мне вывод формулы неизвестен.

3) Чуть ранее в книге сказано что эффект Эрли deltaUбэ=0.001deltaUбк, однако здесь уже сказано deltaUбэ=alpha*Uбк, где alpha приерно равно 0.0001. Так 0.001 или 0.0001 ?

Не знаю, где ты это увидел. У меня как было 0.001, так и осталось. Может опечатка?

4) В книге то говорится, что rэ (собственное R эмиттера) считается последовательно, потом говорится, что параллельно, потом говорится, что оно параллельно Rэ с Rнаг, потом опять последовательно. Пипец. Наверно трудности перевод блин. Вот схема, как я себе это представляю. Это верно?

В разных схемах rэ по-разному включено по отношению к разным резисторам. То, что ты нарисовал, вполне себе бывает в жизни. Не вижу особых проблем. Или я вопрос не понял?

5) Что такое ток затухания? Они достали уже вводит терми
на в пользование без определения и объяснения.

Сразу ссылку давай, где читать. Ибо это может быть что угодно (в контексте).

6) Сказано, что rэ=25/Iк для МАЛОГО сигнала. А для большого что?
И что считается за большой сигнал? А для сигналов не больших и н емаленьких что?

Так это же не из головы берется. Эта формула производной Uбэ по Iк, а производная - отношение малых величин (сигналов). По факту речь идет о малом изменении сигнала (либо, что то же самое, о малом абсолютном сигнале в окрестности нуля).

7) Если сказано, что коэффиент усиления по напряжению для эмиттероного повторителя равен 0.97, то не означает ли, что если падать на базу 1В, то на выходе будет 0.97В?

Во-первых я, опять же, хочу знать, где ты это прочел (ибо вырванная из контекста фраза может быть превратно понята), а во-вторых, конечно же не будет 0,97В. На базе у эмиттерного повторителя всегда больше на 0,6В, чем у эмиттера. Если на эмиттере 1В, то на базе около 1,6В. Просто они хотели сказать, что коэффициент усиления по напруге у эмиттерного повторителя меньше единицы.