Форум РадиоКот

Продолжаем поднимать базовый ток. 1 мкА - 2.7 В, 2 мкА - 2.1 В, 3 мкА - 1.5 В, 4 мкА - 1.0 В, 5 мкА - 0.5 В, 6 мкА - 0.3 В, 7 мкА - 0.2 В и т. д. А теперь по этим точкам нарисуйте график зависимости напряжения на коллекторе от базового тока и всё станет видно невооружённым глазом: одна часть, другая часть и переход из одной части в другую - ни туда, ни сюда. Нарисуете - расскажу.

намулевал. как мог

Сойдёт! Не хватает только трёх точек для 8, 9 и 10 мА и точки надо соединить между собой, чтобы получилась кривулина.

правильно нарисовал?

Почти правильно. Только входной параметр (у нас ток базы) принято размещать по горизонтали, а выходной по вертикали. Я перевернул картинку и соединил точки линией. Теперь хорошо видно два участка: наклонный и горизонтальный. Наклонный - режим усиления: меняется ток базы, в соответствии с ним меняется напряжение на коллекторе. Горизонтальный - режим насыщения. Ток базы меняется, а напряжение на коллекторе - нет (вообще-то, почти не меняется, но на незначительное изменение можно не обращать внимания. Транзистор тут работает замкнутым выключателем.
Рассказал я не всё, жду вопросы.

Спойлер

спасибо, интересно.
у меня другой вопрос.
можно ли, как-то, по информации приведенной в даташите судить о том какой могут быть длительности фронты использовав транзистор как ключ в схеме с общим эмиттером? как это оценить

31001ки
Время нарастания фронта зависит от массы причин, и транзистор здесь - не самая большая проблема. Для начала надо суметь загнать нужный фронт в имеющийся транзистор. Потом уже думать, как этот фронт от него получить на выходе. Озвучьте желаемое время нарастания.

Добрый день
5 нС нужны фронты.можно меньше

31001ки
Полагаю, и схему хочется на одном транзисторе, типа "ключ с резистором в коллекторе" и алга? Собственно, с транзистором нет проблем, но могу только из советских что-то вспомнить - 2Т633А для умеренной нагрузки или 2Т939А для нагрузки помощнее. По импорту не шарю, надо искать всё, что выше 350 МГц и с ёмкостью коллектора не более 5-6 пФ.
В общем, тут надо возвращаться к пункту №1. Источник сигнала какой, и сможет ли он в этот транзистор вкачать пять наносекунд с приемлемым током базы или эмиттера.
А до кучи озвучить пункт №2. Для получения нужного фронта надо понимать, что там в нагрузке. Хотя по идее, лучше сразу делать для согласованной линии 50 Ом.

А почему бы не использовать AD8009? Классная же штука и весит всего пару грамм. У меня есть гена на 1 нс - так он весит 9 кг, гора металлолома.

Вообще имеет смысл собирать что-то похожее на базовый элемент К531 или, как вариант, сделать на полевиках имитацию К1554. Наше ТЗ строго фиксирует присутствие биполярного транзистора? Можно ли добавить в схему диоды Шоттки и ещё пару-тройку транзисторов?

oldbulb, можно и на полевых транзисторах, если на них проще сделать быстродействующий ключ. И транзисторов может быть не один. Если есть схема как это сделать поделитесь. Спасибо

Не просто есть схема, есть готовые устройства копеечной цены.
Предназначены именно для этого - для получения импульсов с фронтами заданной длительности.
Например: https://www.promelec.ru/fs/sources/db/4 ... 74e0bf.pdf

Беда в том, что повторить на дискретных элементах эти устройства ниуазможно, транзисторов таких нет.
Для ознакомления можно полистать: В.Л.Шило. Популярные цифровые микросхемы

31001ки, для чего нужен быстродействующий ключ? Если это не военная тайна, хотелось бы знать, чтобы не советовать что-то вслепую.

12943
Фронт/спад не более 2,5 нс, что такого особенного в этой микре, чего низзя сделать на транзисторах? Будет чудище огромно, стозевно и лайяй - но наносекунду даст, причём не абы какую, а на нагрузку 50 Ом. Но в целом я ЗА модные решения - если задача заключается не конкретно в изнасиловании биполярных транзисторов.

HochReiter, конкретно пока ни для чего, просто интересно как это делается. поглядеть бы на схемы какие-то.
12943, микросхемы посмотрел. но они на 5В, а надо на 12, но интересно
oldbulb, как бы посмотреть на ключ этот транзисторный.
спасибо всем

31001ки
Ключа такого на транзисторах я не собирал, но есть заводские генераторы с формирователями на транзисторах, в серии Г5 и в серии И1, которые дают и наносекунду, и даже меньше, схемы и характеристики их есть в интернете. Но при 12 вольтах формирователь должен иметь приличную мощность и не менее приличную скорость нарастания (беру в расчёт работу на линию 50 Ом).
Если именно биполяры интересуют - посмотрите на схему базового элемента ТТЛШ серии К531/К1554 и масштабируйте под свои нужды.

ну да, вроде решаемо, например чтоб перезарядить 100pF на 12V за 1nS
нужен ток всего 1.2A. только надо имет ввиду что 100pF это на все, включая выходные емкости самих транзисторов.
и к току добавится активная составляющая нагрузки, если она есть.

спасибо друзья

[uquote="oldbulb",url="/forum/viewtopic.php?p=4394391#p4394391"]12943
Фронт/спад не более 2,5 нс, что такого особенного в этой микре, чего низзя сделать на транзисторах?[/uquote]
Ещё раз говорю: "особенного в этой микре" - те самые транзисторы из которых она состоит.
Сначала повтори её параметры на дискрете, потом скажешь, можно или низзя.

12943
Уже повторяли в прошлом веке. 2,5 нс - это не для начинающих, но это и не что-то заоблачное. Речь не о том, чтобы пойти на принцип и уделать микроэлектронику. Речь о том, что это было сделано и реально работало (и работает). А значит, это можно повторить. Зачем это делать сейчас - другой вопрос (ну делают же зачем-то детекторные приёмники).

Где надо было наносекундные фронты, мне понравилась идея управлять аналоговым мультиплексором, который коммутирует землю/питание.