Форум РадиоКот

xterro писал(а):как усиливает транзистор?

Почитайте хотя бы здесь.
http://radiokot.ru/forum/viewtopic.php?p=21481#p21481
Можно еще здесь в этой же теме почитать.
http://www.radiokot.ru/forum/viewtopic. ... 3#p1098093

А я догадывался что он нифига не усиливает, интуиция не обманет

Это все от избытка желания быть оригинальным. Поскольку ток коллектора транзистора более сильный, чем ток базы, то он усиливает ток.

Господа, помогите пожалуйста найти ошибку в моей логике:
Если мы подключим pnp транзистор как полагается, плюсом к эмиттеру, минусом к коллектору, то утверждается во всех книгах, что эмиттерный переход будет открыт, а коллекторный закрыт. При этом напряжение источника большое, допустим, порядка 12 В. И далее, говорится, что если мы приложим к переходу база-эмиттер напряжение всего лишь порядка 0.6 В, то откроем коллекторный переход.
И вот вопрос - почему под огромным напряжением коллектор-эмиттер 12 В переход база-эмиттер открыт и казалось бы дырки из эмиттера абсолютно спокойно должны попадать в базу и экстрагироваться в коллектор, для них ведь не существует потенциального барьера, т.к. они - неосновные носители и им все равно, что второй переход закрыт.
Но утверждается, что только если мы приложим к переходу база-эмиттер какие-нибудь 0.6 В, то сразу барьер исчезнет. Которого, повторюсь, изначально-то и не должно было быть, т.к. носители заряда - неосновные. Да и кроме того, прикладываем к переходу база-эмиттер, а исчезает барьер коллектор-база! Как это возможно?
Или все зависит от того, как рассматривать направление движения зарядов. И считать, что ток течет из коллектора в эмиттер, а не наоборот?

Понять, почему один переход закрыт, а другой открыт, можно, если представить переходы коллектор-база и база-эмиттер как два диода, включенных последовательно-встречно.

Света писал(а):Понять, почему один переход закрыт, а другой открыт, можно, если представить переходы коллектор-база и база-эмиттер как два диода, включенных последовательно-встречно.

Я их представляю так: И тогда если первый диод открыт, то дырки попадают в n-область, которая в транзисторе общая и для второго. И что получается? Что мы в n-область второго диода вкачиваем дополнительно плюсовые заряды, т.е. еще больше его закрываем, раз на нем плюс.

Света писал(а):если представить переходы коллектор-база и база-эмиттер как два диода, включенных последовательно-встречно.

Такие рисунки часто встречаются в книжках. Посмотрев, я в школьные годы пытался так сделать транзистор - соединяя два диода Д7. Не получилось! Почему - не мог понять, ведь сделал как на картинке!

Lanfren2 писал(а):... дырки попадают в n-область...

Откуда дырки туда попадают, если тока нет?
Без тока никакие дырки, электроны не могут куда-то попадать...

Во многих симуляторах кстати все транзисторы работают на основание модели Эберса-Молла.

Lanfren2 писал(а):Господа, помогите пожалуйста найти ошибку в моей логике:
... почему под огромным напряжением коллектор-эмиттер 12 В переход база-эмиттер открыт и казалось бы дырки из эмиттера абсолютно спокойно должны попадать в базу и экстрагироваться в коллектор, для них ведь не существует потенциального барьера, т.к. они - неосновные носители и им все равно, что второй переход закрыт.

1. Биполярный транзистор открывается не напряжением, а током. Следовательно, пока тока через переход база-эмиттер нет, переход база-коллектор тоже не будет открываться.
2. На самом деле даже через закрытый коллекторный переход идёт ток утечки из-за собственной проводимости полупроводника. И он даже способен помешать в некоторых случаях, например, в мощных транзисторах при повышенной температуре из-за попадания в базу и последующего усиления. Для предотвращения этого эффекта и ставят резистор между базой и эмиттером.

Lanfren2 писал(а):... прикладываем к переходу база-эмиттер, а исчезает барьер коллектор-база! Как это возможно?

Ток, проходя по эмиттерному переходу, вызывает эмиссию основных носителей из эмиттерной области, которые попадая в базовую область становятся там уже неосновными, но попадая в область закрытого коллекторного перехода, там снова становятся основными. Они не успевают рекомбинировать в базовой области из-за:
1. преднамеренно слабого легирования базовой области и преднамеренно сильного легировнаия эмиттерной области. Кстати, коллекторная область тоже легирована слабее эмиттерной, т.е. свойства коллекторного и эмиттерного переходов разные;
2. малой тощины базовой области (единицы-доли микрона, тогда как в некоторых кристаллах толщина эмиттера и коллектора может достигать 0,1-1мм).

Lanfren2 писал(а):Или все зависит от того, как рассматривать направление движения зарядов. И считать, что ток течет из коллектора в эмиттер, а не наоборот?

В каком-то смысле - действительно, нужно обязательно учитывать направление движения зарядов через pn-переход.
)

SmarTrunk писал(а):... я в школьные годы пытался так сделать транзистор - соединяя два диода Д7. Не получилось! Почему - не мог понять, ведь сделал как на картинке!

Аналогично. Только гораздо позже выяснилось, что дело в основном в толщине базы. В тех книжках про это почему-то не было написано.

Многие начинающие радиолюбители думают , что инжектированные электроны из эмиттера , после экстрагированные в коллектор имеют одну и ту же природу (одни и те же ), так думать неправильно. По сути перемещается заряд. Маятник Ньютона демонстрирует действительность вещей, или бильярдные шары, если положить несколько штучек в ряд и ударить по крайнему , до двинутся не все , а только последний, они тупо энергию передают "от брата к брату" Извините , что бредни несу, мне просто заняться нечем ))))

О. Вспомнил один вопрос. Из глубокой юности. Только знакомился с транзисторами. Есс-но с помощью "мордобоя". Пропускал через Э-Б прямой ток (ок. 100мА) от 1,5 В батарейки. А на коллекторе, висящем в воздухе, вдруг появлялось около 30 вольт по отн. к эмиттеру. Вот только полярностей не помню. Как называется этот эффект, чтоб поискать инфу, а то я тогда всё на Цешку грешил?

А Вы уверены, что тот эффект таки был? Тогда почему бы Вам не провести тот же эксперимент повторно? Какие там транзисторы-то были?

...

Света писал(а):

Lanfren2 писал(а):... дырки попадают в n-область...

Откуда дырки туда попадают, если тока нет?
Без тока никакие дырки, электроны не могут куда-то попадать...

А, простите, почему тока нет? У нас же включен источник напряжения, который гонит плюсы к эмиттеру и электроны к коллектору. Это за ток не считается?

Вы же сами писали, что переход коллектор-база закрыт. Значит тока в цепи нет и не было.
Ток через этот переход появится только тогда, когда потечёт ток база-эмиттер. При отключенной базе никакого тока не будет в цепи.

Света писал(а):Вы же сами писали, что переход коллектор-база закрыт. Значит тока в цепи нет и не было.
Ток через этот переход появится только тогда, когда потечёт ток база-эмиттер. При отключенной базе никакого тока не будет в цепи.

Я докопался до истины, прочитав книгу из списка на вашей странице - Сворень, шаг за шагом. И он пишет вот что:" При нулевом управляющем напряжении Uэб коллекторный ток в схеме с ОЭ (он же сквозной, или начальный) значительно больше, чем в схеме с ОБ. Это связано с тем, что некоторая часть коллекторного напряжения приложена к эмиттерному переходу и отпирает его, даже если внешнее управляющее напряжение равно нулю".
Я в своем вопросе пытался понять, почему, собственно, этот сквозной ток обязан быть очень маленьким, почему бы ему не быть большим. И вот теперь да, учитывая то, что сворень и написал, и то, что вы, Света, написали про представление транзистора в виде двух диодов я понимаю, что сопротивление открытого - несколько Ом, у закрытого - Мом, поэтому I=U/R=12 В/ 1 Мом=1.2 e-5 А. Спасибо!

Ariadna-on-Line писал(а):Пропускал через Э-Б прямой ток (ок. 100мА) от 1,5 В батарейки. А на коллекторе, висящем в воздухе, вдруг появлялось около 30 вольт по отн. к эмиттеру.

Не, ну мне этот вопрос спокойно спать на работе не даёт...

Может, на коллекторе было не 30 В, а таки 30 мВ?

Не будет там никогда 30В, по закону сохранения энергии. Я чушь писал.

Главное - во-время понять это.