Форум РадиоКот

White_Pit писал(а):Уважаемые разработчики стабилизаторов со свермалой разницей входного и выходного напряжений. А не забыли ли вы о том, что напряжение в сети ни разу не стабильное и может гулять до +-10%, а по факту и все +- 20% не редкость.

Всё суммируется. На первый взгляд это не очевидно, но даже в простом сетевом источнике (не импульсном) выгоднее использовать LDO-стабилизаторы. Так как не нужно делать запас на падение напряжения на этом стабилизаторе. Запас на просадку сети, само собой, остается, но при низких выходных напряжениях стабилизатора он соизмерим с минимальным падением на обычных стабилизаторах. Так что применение LDO может дать существенный выигрыш в КПД.

Была такая тема: http://radiokot.ru/forum/viewtopic.php?f=21&t=109958

Берём ломовой полевик IRFP4468. Вот это вещь - 100 вольт 195 ампер! И хотим сделать на нём линейный стабилизатор вольт на 30-40. Смотрим в даташите ОБР: http://radiokot.ru/forum/viewtopic.php? ... 1#p2186931 И видим, что при 40 вольтах от него можно отбирать не больше 0,1 ампера.

Смотрим ОБР для транзистора КТ825: http://radiokot.ru/forum/viewtopic.php? ... 9#p2265109 И видим, что при 40 вольтах от него можно отбирать не больше 2 ампер.

Разница больше, чем на порядок, и не в пользу полевика.

А если посмотреть ОБР для IRF4905, то ОБР для статического режима вообще не указана! Спрашивается, как для него режим выбирать?

Что полевик что биполярник надо выбирать правильно, а не какой попался. Я вам могу привести кучу обратных примеров.
Сообщение не о чём.

Максимальную рассеиваемую мощность смотреть и какие условия для этого нужны( тепловое сопротивление , площадь радиатора, естественное или принудительное охлаждение и т.д.).

Телекот писал(а):Я вам могу привести кучу обратных примеров.

Приведите, пожалуйста. Буду благодарен. Очень хочется сделать линейный стабилизатор на 50 вольт, на полевике.

noise1 писал(а):Максимальную рассеиваемую мощность смотреть...

Да нормально там с мощностью и тепловым сопротивлением. Более, чем нормально. Но речь идёт именно об ОБР. Нельзя же заходить за границы ОБР.

Где там? Был вопрос о выборе транзистора и теплового режима, но исчез он.

Что-то я не въезжаю. Кто исчез? Тепловой режим?
Речь идёт о том, чтобы транзистор работал в пределах ОБР. А то, что тепловой режим при этом в норме - само собой разумеется.

Барсик писал(а):Приведите, пожалуйста. Буду благодарен.

Возтмите BUZ900 Там ток ограничен практически мощностью транзистора. Да и в большинстве случаев мощность ограничена корпусом транзистора и способностью отведения тепла от кристалла. Так что для мощных блоков надо выбирать в металлическом корпусе. Или параллелит несколько штук как поступают в усилителях и электронных нагрузках. При использовании нескольких транзисторов улучшается отвод тепла, так как транзисторы можно рассредоточить по радиатору. При точечном источнике тепла нужен радиатор с очень толстым основанием.
К тому же нельзя увлекаться высоковольтными полевиками у них большое сопротивление канала.
Идеальный вариант для использование полевиков это источники питания до 50в.

Телекот писал(а):Сообщение не о чём.

очень хорошее сообщение!

Барсик писал(а):и не в пользу полевика.

Starichok51 писал(а):очень хорошее сообщение!

Бестолковое сообщение. Просто приводится констатация факта, что IRFP4468 имеют узкую ОБР в области высоких напряжений - и всё. А что, как и почему - ни слова. Ответ на этот вопрос находится по ключевым словам "Spirito effect". Он заключается в том, что в области высоких напряжений и малых токов может возникать термическая положительная обратная связь, так как имеется участок, где при фиксированном напряжении затвор-исток зависимость тока стока от температуры имеет положительный наклон. Этот эффект может проявляться в любых MOSET, но наиболее заметен в Trench-MOSFET высокой плотности. Поэтому "берём ломовой полевик IRFP4468" - как раз "ломовой" к таким и относится. Практически нет этого эффекта у MOSFET с планарной структурой, в своем линейном БП я применял "HEXFET" 3-го поколения от IR, они этим не страдают. А вот, например, для IRL3713 даже выходило обновление datasheet с исправлением: "Updated Fig8-SOA curve with Spirito effect on page 4". Поэтому прав Телекот: транзистор надо выбирать правильно.

Леонид Иванович писал(а):транзистор надо выбирать правильно.

так и я за это двумя руками за!

Леонид Иванович писал(а):Бестолковое сообщение.

Здесь не тусовка профессионалов, а радиолюбительский форум. Поэтому, для вас, хранителей тайных знаний, это сообщение кажется бестолковым. А для меня, заете, это не столько сообщение, сколько вопрос. Спасибо, что снизошли с высот Ваших знаний, и объяснили мне, тупому, в чём проблема.

Не надо обижаться. Нужно было посмотреть несколько datasheet на разные MOSFET, прежде чем их огульно хаять. Для большинства ОБР шире, чем для биполярных транзисторов с похожими максимальными параметрами. Плохо обстоит с ОБР только у Trench-MOSFET, которые оптимизированы для работы в ключевом режиме и имеют очень низкое значение Rds_on. Но для линейного режима это ни к чему, просто нужно выбрать другой транзистор. Я не знаю, на какой ток Вы хотите сделать стабилизатор 40 В, поэтому здесь посоветовать конкретный тип транзистора нельзя. Посмотрите, например, на IRFP250, при напряжении 40 В допустимый ток стока у него более 4 А.

Спасибо за наводку.
А как принято выравнивать токи при параллельном соединении полевых транзисторов? Ставить резисторы в истоки, так же как ставят в эмиттеры биполярных?

да

Для полевых транзисторов выравнивание тока резисторами в истоках недостаточно эффективно. Лучше выравнивать активным способом. Например, Agilent в своих БП выравнивает так:

Обычно ставлю резисторы 0,22 ом и своим прибором не могу заметить отличие токов транзисторов. Вот специально сейчас проверил ток совпадает. Главное использовать транзисторы одного производителя и желательно из одной партии. Хотя ставил и из разных партий. Транзисторы при испытании стоят RFP50N06. Отлично подходят для линейных схем.

Леонид Иванович писал(а):Agilent в своих БП выравнивает так:

Интересно. Надо разбираться. Спасибо.

Телекот писал(а):Обычно ставлю резисторы 0,22 ом...

Для линейных схем 0,22 Ома, это достаточно мало. Потерями на них можно принебречь. Попробуем, пощупаем... Спасибо.

Телекот писал(а):Транзисторы при испытании стоят RFP50N06. Отлично подходят для линейных схем.

Да, хороший транзистор для линейных схем, у него ОБР ограничена только мощностью. Где-то читал такую мысль, что чем больше у транзистора Rds_on, тем больше шансов, что он будет хорошо работать в линейном режиме. Не совсем точно, но общая тенденция действительно такая. А насчет 5-го поколения HEXFET я сначала написал, а потом подумал, что все-таки ухудшение есть, хоть и не такое значительное. Вообще, с ОБР связано много противоречий. На сайте IRF есть документ, где приведены пересмотренные графики ОБР (в основном для их радиационно-стойких транзисторов), причем туда добавлены кривые для DC. Интересно, что с учетом эффекта Spirito получается очень консервативный результат, поэтому основную информацию получают при испытаниях. В результате ОБР получается шире.