Форум РадиоКот

Тут про транзистор прочитал, получается сам принцип создания транзистора в том, что база тонкая, и носители (не основные) не помешаются в базе и заходят в коллектор из-за диффузии? Хм... транзистор понять легче чем диод ? о_О

yaotzin писал(а):база тонкая, и носители (не основные) не помешаются в базе и заходят в коллектор из-за диффузии? Хм... транзистор понять легче чем диод ? о_О

Не то, чтобы они там не помещались. Они успевают пролетель тонкую базу, не рекомбинировав с основными носителями заряда базовой области.

Нет в книге пишут - (транзистор N-P-N)

лишь небольшого количества этих электронов хватит для заполнения дырок в области P

Получается источник напряжения между эмиттером и базой - заполняет ковалентные связи P материала, после заполнения электроны проходя в свободной зоне - переходят в коллектор.
Т.е смысл в том что когда дофига электронов - не получается барьер P области.

Gudd-Head писал(а):Они успевают пролетель тонкую базу, не рекомбинировав с основными носителями заряда базовой области.

yaotzin писал(а):Т.е смысл в том что когда дофига электронов - не получается барьер P области.

Вы оба правы!
Но Gudd-Head описывает линейный режим работы транзистора, который собственно и используется для усиления сигналов,
а yaotzin описывает так называемый режим насыщения, когда база полность истощена и барьер PN-перехода перестал существовать.

Нифига себе я в чем-то прав О_о

yaotzin писал(а):Нифига себе я в чем-то прав О_о

Ага, и я тоже

Кстати коллектор делают больше чем эмиттер, замеряя сопротивление между базой - коллектор, база-эмиттер, мультиметром(в диапазоне сопротивление мегомм) можно найти что база коллектор сопротивление меньше чем база эмиттер - потому как площадь у коллектора больше. И коллектор всегда делают на корпус - потому как p=u*i(больше тепла выделяется на коллекторе) а напряжение между база коллектор всегда выше чем на эмитторе.

Не доходит почему при том когда подключение транзистора с общим эмиттером, два напряжения входит в эмиттер - напряжение управления транзистора входит и напряжение которое выходит с коллектора. При этом всем коллектор делают больше чем эмиттер. По идее 2а напряжения входит в эмиттер и его площадь нужно делать больше.???

насколько помню теорию, тонкость базы не является неотъемлемым свойством транзистора обязательным для работы. базу делают тонкой чтобы повысить быстродействие, в связи с очень низкой скоростью движения носителей. а так по идее и база милиметровой толшины не помешает использовать транзистор в нч схемах, носители пролетят между коллектором и эмиттером несмотря на толщину

rustot писал(а):носители пролетят между коллектором и эмиттером несмотря на толщину

Не пролетят, а рекомбинируют.

yaotzin писал(а):Не доходит почему при том когда подключение транзистора с общим эмиттером, два напряжения входит в эмиттер - напряжение управления транзистора входит и напряжение которое выходит с коллектора. При этом всем коллектор делают больше чем эмиттер. По идее 2а напряжения входит в эмиттер и его площадь нужно делать больше.???

через этот пирог к-б-э проходит насквозь один и тот же ток, но сопротивление области к во много раз больше чем б и э, а значит и мощность там выделяется больше. это как нихромовая проволока у которой толщина меняется по длине, где тоньше там и греется сильнее. в полностью открытом транзисторе, в насыщении, вероятно коллектор и эмиттер греются одинаково

rustot писал(а):в полностью открытом транзисторе, в насыщении, вероятно коллектор и эмиттер греются одинаково

Согласно вашей логике, анод и катод у ламп тоже должны греться одинаково? Не буду утверждать (давно уже почти всё подзабыл), но у n-p-n транзистора электроны являются неосновными носителями заряда: они преодолевают переход Б-Э, смещённый в прямом направлении, пролетают базовую область, для которой являются неосновными носителями заряда и втягиваются переходом Б-К, смещённым в обратном направлении, т.к. его поле является для электронов ускоряющим... А затем электроны тормозят в коллекторе, разогревая его.

yaotzin писал(а):Кстати коллектор делают больше чем эмиттер, замеряя сопротивление между базой - коллектор, база-эмиттер, мультиметром(в диапазоне сопротивление мегомм) можно найти что база коллектор сопротивление меньше чем база эмиттер - потому как площадь у коллектора больше.

А вот это уже очень далеко от истины...

Области эмитерная, базовая и коллектроная отличаются легированием!

Эмитер обычно имеет очень сильное легирование, за счет чего имеет очень высокую концентрацию основных носителей и очень малую концентрацию неосновных.

База должна иметь высокую подвижность носителей и как следствие должна иметь совершенную структуру полупроводника и как следствие низкую степень легирования.

Коллектор обычно делаю слаболегированым, для увеличени толщины области пространственного заряда, как следствие уменьшения емкости перехода база-коллектор, значительно снижающей быстродействие транзистора.

Сопротивление перехода определяется в первую очередь не размерами области, а величиной и характером её легирования.

Gudd-Head писал(а):

rustot писал(а):в полностью открытом транзисторе, в насыщении, вероятно коллектор и эмиттер греются одинаково

Согласно вашей логике, анод и катод у ламп тоже должны греться одинаково? Не буду утверждать (давно уже почти всё подзабыл), но у n-p-n транзистора электроны являются неосновными носителями заряда: они преодолевают переход Б-Э, смещённый в прямом направлении, пролетают базовую область, для которой являются неосновными носителями заряда и втягиваются переходом Б-К, смещённым в обратном направлении, т.к. его поле является для электронов ускоряющим... А затем электроны тормозят в коллекторе, разогревая его.

хм... почему это вдруг N неосновные, в N всегда основные электроны, тем более n-p-n пропускает через себя электроны.

Kotische писал(а):

yaotzin писал(а):Кстати коллектор делают больше чем эмиттер, замеряя сопротивление между базой - коллектор, база-эмиттер, мультиметром(в диапазоне сопротивление мегомм) можно найти что база коллектор сопротивление меньше чем база эмиттер - потому как площадь у коллектора больше.

А вот это уже очень далеко от истины...

Области эмитерная, базовая и коллектроная отличаются легированием!

Эмитер обычно имеет очень сильное легирование, за счет чего имеет очень высокую концентрацию основных носителей и очень малую концентрацию неосновных.

База должна иметь высокую подвижность носителей и как следствие должна иметь совершенную структуру полупроводника и как следствие низкую степень легирования.

Коллектор обычно делаю слаболегированым, для увеличени толщины области пространственного заряда, как следствие уменьшения емкости перехода база-коллектор, значительно снижающей быстродействие транзистора.

Сопротивление перехода определяется в первую очередь не размерами области, а величиной и характером её легирования.

Померяй сопротивление База - Коллектор - и База - Эммитер. база-коллектор сопротивление меньше потому как коллектор сделан больше.

rustot писал(а):

yaotzin писал(а):Не доходит почему при том когда подключение транзистора с общим эмиттером, два напряжения входит в эмиттер - напряжение управления транзистора входит и напряжение которое выходит с коллектора. При этом всем коллектор делают больше чем эмиттер. По идее 2а напряжения входит в эмиттер и его площадь нужно делать больше.???

через этот пирог к-б-э проходит насквозь один и тот же ток, но сопротивление области к во много раз больше чем б и э, а значит и мощность там выделяется больше. это как нихромовая проволока у которой толщина меняется по длине, где тоньше там и греется сильнее. в полностью открытом транзисторе, в насыщении, вероятно коллектор и эмиттер греются одинаково

б-к сопротивление меньше!!!

yaotzin писал(а):б-к сопротивление меньше!!!

Какое сопротивление?! Прямое или обратное?

Если обратное - то всё логично - меньше легирование - больше неосновных носителей - больше ток утечки - меньше сопротивление.
Если прямое - то тоже логично - меньше легирование - меньше концентрация основных носителей - меньше диффузионныйток - меньше барьерный потенциал - что при том же самом токе дает меньшее падение напряжение на переходе - что дает меньшее кажущееся сопротивление перехода.

как это все сложно.

yaotzin писал(а):хм... почему это вдруг N неосновные, в N всегда основные электроны, тем более n-p-n пропускает через себя электроны.

Пля, в n-p-n транзисторе база состоит из р-полупроводника. Учите матчасть.

Gudd-Head писал(а):

yaotzin писал(а):хм... почему это вдруг N неосновные, в N всегда основные электроны, тем более n-p-n пропускает через себя электроны.

Пля, в n-p-n транзисторе база состоит из р-полупроводника. Учите матчасть.

тю я не так понял, ну для N и N области электроны основные а для P неосновные.

rustot писал(а):насколько помню теорию, тонкость базы не является неотъемлемым свойством транзистора обязательным для работы. базу делают тонкой чтобы повысить быстродействие, в связи с очень низкой скоростью движения носителей. а так по идее и база милиметровой толшины не помешает использовать транзистор в нч схемах, носители пролетят между коллектором и эмиттером несмотря на толщину

я тут два диода соединил, они транзистором не являются - за счет того что база вышла большая, И данный так сказать "транзистор" - не работает.