Форум РадиоКот

Нубский вопрос по MOSFET. Безопасно ли подавать на затвор напряжение с обратным знаком? Если да, до какой величины? Есть мосфет SI2302 и схема, с которой на затвор летит переменный прямоугольный сигнал с амплитудой 1.5 В относительно истока. Может ли что-то произойти с транзистором от такого сигнала?

Обычно у мосфетов максимально допустимое напряжение затвор-исток ±N вольт (N ~ 20).

Просто берем даташит.
И смотрим:
Gate-Source Voltage Vgs ±8V
Вывод: ничего ему не будет.

Добавлено after 3 minutes 22 seconds:
Ну и... 1,5 В - немношко так маловато, у него Vgs(th) всего 1,3 В. То есть, в этом режиме мосфет только-только начинает открываться.

По факту у них Vgs(th) около 0.9..1.0 В - мне 1.5 В вполне хватает.

[uquote="watchmaker",url="/forum/viewtopic.php?p=4573944#p4573944"]Vgs(th) около 0.9..1.0 В[/uquote]
Сначала нужно понимать что такое Vgs(th).
А у него есть УСЛОВИЯ его измерения и для Si2302 оно составляет Vds = Vgs, Id = 250 μA. То есть транзистор по факту еще закрыт.
Поэтому нужно смотреть зависимость Rds от Vgs.

Добрый вечер народ. Помогите разобраться. В роботе пылесосе не включается помпа. Управляет помпой smd транзистор R4. Поискал и нашел что под этим кодом может быть или si3404 или WM03N57M. На родном пробой затвор сток. Вроде это полевик N каналный как я понял. Теперь без транзистора на затворе постоянно -4.5 вольта. Как мог работать до поломки если напряжение не меняется ни при включении влажной уборк когда полевик должен включить насос ни при сухой уборке когда полевик не включает насос. Прошу дайте наводку а то замучился с этим пылесосом.

Если у мосфета пробилась изоляция затвора, то напряжение, которое он коммутирует, прилетает на его управление и с немалой вероятностью его выжигает.

Логично. А найти источник не получается.

Добавлено after 3 minutes 35 seconds:
Может знает кто где можно найти схему на эти роботы?

В мощном повербанке сгорел мосфет AGM405Q, в магазинах такой не нашел, на Али есть но по 5штук и недешево. Пробовал найти аналог, но не совсем разбираюсь какие параметры должны быть идентичны. Собственно есть более мощные, напряжение выше, ток больше, мощность тоже больше, но вот например параметры Qg Total Gate Charge и Coss Output Capacitance сильно хуже. Приложил даташиты на оригинальный и на те что нашел в магазине. Подойдут ли?

ну раз уж в теоретическом разделке решаем задачи нежарит-непарит ...

базовых силовых параметра - всего 3 для FET:
1. Vds_max (гарантированное напряжение до начала электрического пробоя)
2. Rd-s (сопротивление полностью открытого канала, ну или его обратное значение -проводимость)
3. общая тепловая проводимость от кристалла к среде, но, поскольку этот параметр слишком "непонятный", в дш пишут вместо него макс рассеиваемую мощность при какихто условиях.

и макс ток - это вторичный параметр

базовые параметры управления:
Vgt - порог начала открытия
S - крутизна характеристики
Vg_on- напряжение на затворе при котором у транзистора нормировано Rd-s (обычно указывается как комментарий к условиям измерения Rd-s)
емкость затвора (чаще всего обозначают как input capacitance для common source)
емкость миллера (reverse transfer сapacitance)

или обьединеные синтетические параметры чтоб понимать сколько энергии или заряда надо перенести в затвор чтоб полностью переключить канал в какихто (например худших) условиях, c учетом всех основных параметров.

большой Vds_max обычно приводит к тому что в даташите чардж затвора считают под большее влияние миллера и он получается больше, но для использования на низких напряжениях он будет существенно меньше
так что выбирать fet c бОльшим Vds_max можно сравнительно смело.
а вот (кроме случаев прорыва технологий, когда появился более совершенный девайс) низкое Rds (высокая проводимость открытого канала) обычно получается ценой повышения входной емкости затвора и это уже может стать критической проблемой если исходный драйвер затвора не вывозит бОльшую емкость!

в пауэр банке теоретически :
мощные fet применяются чаще всего как аварийные ключи BMS (тоесть должны быстро однократно сработать на запирание не успев перегреть себе канал) обычно в схеме управления есть несколькократный запас по допустимой емкости затвора, но лучше изучить ее.

иногда в пауэрбанках есть всякие импульсные преобразователи - это совсем другое, там более жесткие требования к характеристикам управления fet. короче если в схеме есть дроссели - то транзистор с большим запасом по сопротивлению канала или току (а точнее с большей емкостью затвора) брать категорически ненужно.

Собственно 4 таких мосфета и стоят в цепи дросселя, а там максимальная мощность 100 ватт. По даташиту у тех что в наличии сопротивление Rd-s даже меньше, но вот емкость почти в 10 раз больше( А других в магазинах фиг найдеш

чем меньше сопротивление тем больше проводимость тоесть транзистор способен проводить больше тока при таком же нагреве.

попробуй параметрический поиск в магазине,
если напр чипдип то выбирай
n-канал
Rds отметь все скажем от 4 до 6 mOhm
а дальше отмечай подходящие корпуса
so8/sioc8 обладают теплопроводностью хуже но впринципе они подходят, еще может d-pack отлично подойти.

макс ток, не смотри.

IRFHM8326 есть напр в чипдипе, правда они неадекватно дороговаты для такого ремонта

еще если транзисторы параллельно соединены то можно заменить одним с меньшим Rds (примерно в 4 раза будет ок) при этом емкость не будет умножаться на 4.

Там стоит PDFN5*6, таких мало, большего размера не вкорячить ибо нет места. Цена тоже не радует, учитывая что придется менять все 4. Остается таки купить в Китае нужную модель, 10шт за 11.50уе, остаток потом продать)

уважаемые,может кто вкурсе по даташиту на транзистор STGW45HF60WD китайский.вопрос про минимальный номинал резистор затвора.питаю его драйвером IXDN604PI через резистор 13 ом.питание двухполярное +15в на открытие и -12в на закрытие.

Открываете DS на ваш транзистор, находите таблицу временнЫх ТТХ (table 6) и читаете номинал резистора затвора. Меньше него делать нельзя, производитель сказал.
Для IXDN604PI такой номинал уже выглядит приемлемо, т.к. его выходное сопротивление (1 канала) 3 Ом.
Стоит ли ставить минимум? А вот тут засада - увеличение скорости выключения приводит к более энергичному выбросу на выходе, а сама задержка выключения снижается мало. Как-бы не испортить то, что работает.

спасибо,оставлю 13 ом.вот выбросы то мне и нужны,схемой проверяю катушки зажигания и не только.таблицу 6 считать неумею,в даташите везде указанно 6,8 ом на 15 вольт вот я и пересчитал на 27 вольт вышло 13 ом,если конечно в даташите на 6,8 ом не двухполярное питание +15 и -15 вольт.

Вы имеете в виду, что при закрывании на выходе драйвера будет -12В, а на затворе +15В, отсюда и 27В/4А=6.8 Ом.
Не совсем так. При сбросе напряжения на затворе, напряжение сразу снижается до уровня активного (полуоткрытого) состояния и это примерно 4.5В. Это напряжение получается из-за перезаряда емкости затвор-выход в транзисторе (т.н. динамическая емкость). А значит, ток через резистор затвора будет исходить из 12+4.5 = 16В. Если учесть внутреннее сопротивление драйвера в 2.5 Ом, то внешний резистор можно ставить как 16/4 - 2.5; но для драйвера хорошо, когда внешний резистор не менее внутреннего, а лучше - в 2 раза больше его - это снижает мощность потерь в драйвере и он не перегревается. Т.е. внешний стоит делать 5 Ом и больше, тогда драйвер не ждет нежданная смерть.

транзистор открыт на затворе +15в,транзистор закрыт на затворе -12в.переключение драйвером мгновенное,значит ёмкость перезаряжаеться на 27вольт через 13 ом.а в даташите ёмкость перезаряжаеться на 15вольт через 6,8ом.вообщем оставлю в схеме 13 ом так как незнаю на сколько можно уменьшить этот номинал чтоб неспалить затвор транзистору.а драйвер быстрый и мощный ему пофиг.

сам по себе затвор - довольно прочная штуковина, это ж железяка по сути
представьте керамический конденсатор 10nF размером с кристалл толстого fet, залитый теплопроводящим компаундом и с теплоотводом, какой импульс он выдержит без повреждений ?

драйвер, даже "быстрый и мощный" - скорее пострадает от энергии переключения чем затвор. а назначение этого резистора - не ограничение тока через затвор (с этим отлично справится драйвер) а снижение добротности паразитных LC цепей и уменьшение осцилляций, которые могут нарушить задуманную работу схемы.

и для управления скоростью нарастания напряжения и тока транзистора, что часто немаловажно.