Форум РадиоКот

Утро: решил переделать преобразователь «Авто 400»(рис. 1) на +-35В нашёл супер феррит (тороид, 50*30*20, цэфф5200, Внас0,35) и стал я рассчитывать транс.
Полдень: понял что всё не так сложно т.к. нашёл проги «Transformer 3.0.0.0» и «Программа расчета трансформатора ИБП v1.03» плёвое дело.
Вечер-ночь: бьюсь в конвульсиях, у рву на башне волосы от чувства беспомощности и неграмотности.
Короче вопросы по прогам:
1. расчитывать преобразование 12В в 35В, получим 35В, а после, наматывать две первички и две вторички соединив их, чтоб получить +-35В, т.к. проги не считают сразу двухполярку, я правильно мыслю?
2. я считал (рис. 2) получилась херня, 8 витков первички, 8 вторички, ну чушь же!! Почему?
Вобщем помогите, а то плохо мне уже, работа не радует, жена тоже, один феррит у меня остался)

****

M-M-D-S писал(а):... расчитывать преобразование 12В в 35В, получим 35В, а после, наматывать две первички и две вторички соединив их,

Я думаю, что если нагрузки по обоим напряжениям одинаковы, то расчитывайте вторичку на 70 В. Мотайте, конечно, две обмотки по половине.

1. расчитывать преобразование 12В в 35В, получим 35В, а после, наматывать две первички и две вторички соединив их, чтоб получить +-35В, т.к. проги не считают сразу двухполярку, я правильно мыслю?

Рассчитываем две вторичные обмотки по 35 Вольт. с одной первичкой в 12 Вольт.
Напряжение питания (первички)- 10-12-14 В
Эфф.магнитная проницаемость 5200 - уверены?
Ток вторичной обмотки - 12 Ампер - чушь - перестарались.

Рассчитываем две вторичные обмотки по 35 Вольт. с одной первичкой в 12 Вольт.
Напряжение питания (первички)- 10-12-14 В
Эфф.магнитная проницаемость 5200 - уверены?
Ток вторичной обмотки - 12 Ампер - чушь - перестарались.

Но на самом деле первички две значит и в расчёт брать надо две?
Эфф.магнитная проницаемость 5200 - уверен, я ж говорю феррит адский. А 12 ампер это 400вт, мне надо 400 вт как мне иначе?
скажите что такое "напряжение Uкэ.нас транзисторов" и где его братьть?
to Дармидонт Акакиевич
вы имеете ввиду так(рис.1):

M-M-D-S писал(а):скажите что такое "напряжение Uкэ.нас транзисторов" и где его братьть?

Это напряжение насыщения перехода Коллектор-Эмиттер полностью открытого транзистора при данном токе (иначе говоря, Uкэ.нас показывает, какое напряжение будет падать на ключевом элементе - в данном случае БТ), чем этот параметр меньше, тем лучше. Берется из справочников, естессно.

M-M-D-S писал(а):Но на самом деле первички две значит и в расчёт брать надо две?

А зачем вам 2 первички-то?

По поводу методики рассчета - советую глянуть это.

M-M-D-S писал(а):Вобщем помогите, а то плохо мне уже, работа не радует, жена тоже, один феррит у меня остался)

Программа «Transformer 3.0.0.0» устарела, а на её смену пришла новая версия программы «Design tools pulse transformers 4.0.0.0». Программу можно скачать тут, а справку по ней тут. Можете воспользоваться любой другой программой или методикой расчёта по Вашему усмотрению. Насколько мне известно, все программы для расчётов импульсных трансформаторов не лишены недостатков, т.к. ещё не создана общая методика без эмпирических зависимостей.
Принимаем эффективную индукцию равной 0,21 Тл при справочной величине индукции насыщения 0,35 Тл. Так как трансформатор д.б. не насыщающимся эффективная индукция ни в коем случае не должна быть равна 0,35 Тл, т.к. иначе произойдёт авария. Принимаем магнитную проницаемость в 4000 при справочной величине в 5200 ввиду снижения из-за деградационных процессов на шок-эффект, окислительно-восстановительную реакцию феррита с кислородом воздуха и пр.
При скважности в 1,3 ориентировочное эффективное напряжение одной вторичной полуобмотки трансформатора должно быть примерно 43 В, а амплитудное около 49 В. То есть, чтобы получить двуполярное выходное постоянное напряжение 35+35 В нужно намотать импульсный трансформатор с двумя выходными полуобмотками, имеющими среднюю точку, с амплитудным выходным напряжением 49+49 В.
Т.к. усилитель потребляет от ИИП мощность либо от одного плеча либо от другого, то при расчётах вносим данные только одной вторичной полуобмотки. Другая вторичная полуобмотка будет точно такой же. Вторичная обмотка должна состоять из 16+16 витков. Провод литцендрат или, что хуже, коса из 16 жил диаметром 0,4 мм.
Первичная обмотка должна содержать 4+4 витка. Провод литцендрат или коса из 24 жил диаметром 0,8 мм.
В поле ввода «Напряжение насыщения транзисторов» или «напряжение Uкэ.нас транзисторов» вводим падение напряжения на одном ключевом транзисторе во время его насыщения. Данное напряжение легко найти по закону Ома, зная расчётное значение тока и найдя по справочнику сопротивление транзистора в открытом состоянии.

Евгений! Если это действительно вы, конечно, а не залетный тролль: Вам самому не смешно, что вы тут нафлудили? А, ну, если прочитать ваше сообщение внимательно? Шерсть же дыбом встаёт от ахинеи!!!

Thomas писал(а):Если это действительно вы, конечно, а не залетный тролль

Да, это я. Не зелёный троль, а коричневый увалень

Thomas писал(а):Вам самому не смешно, что вы тут нафлудили? А, ну, если прочитать ваше сообщение внимательно?

Конечно, мне смешно. Стараюсь не печалиться, ибо, IMHO, железки не стоят печали никого из нас. Впрочем, это вопрос философский.

Thomas писал(а):Шерсть же дыбом встаёт от ахинеи!!!

Укажите конкретно, что именно у Вас вызывает сомнения.

M-M-D-S писал(а):нашёл супер феррит (тороид, 50*30*20, цэфф5200, Внас0,35)

А вы уверены, что такой феррит вобще будет работать? Bнас слишком низкая, да и вобще ферриты с такой проницаемостью не для БП делаются. Даже у эпкоса 2800 для БПшников идет. А этот вобще загнется сразу.

Чтоб посчитать трансформатор нормально, советую почитать Раймонда Мэка и Марти Брауна, а не пользоваться непонятно какими и по каким формулам программами. Ну и естественно, учитывать топологию - прямоход, обратноход, полумост, мост, ПП, косой полумост/обратноход и.т.д.

Ну и придерживаться правила - работает - не лезь.

Moskatov писал(а):Укажите конкретно, что именно у Вас вызывает сомнения.

Пожалуйста! Преобразователь вроде как повышающий по условию? А вот что вы пишете:

Moskatov писал(а):вторичная полуобмотка будет точно такой же. Вторичная обмотка должна состоять из 16+16 витков. Провод литцендрат или, что хуже, коса из 24 жил диаметром 0,8 мм.
Первичная обмотка должна содержать 4+4 витка. Провод литцендрат или коса из 16 жил диаметром 0,4 мм.

Явно для вас между биполярными и полевыми транзисторами разницы нет, а её для данной задачи надо бы было принять во внимание. Хотя бы прикинуть, сколько времени заряд на базе рассасываться будет, ведь вы же транзистор в насыщение загоняете. Ну и т.д.

Кстати, в ваших книжках тоже полно ошибок, о чём уже говорилось у нас на сайте.

Irbis писал(а):А вы уверены, что такой феррит вобще будет работать? Bнас слишком низкая.

Индукция насыщения в 0,35 Тл для феррита - это очень даже высокая индукция. Хотя у ферритов 2500НМС1 она выше и составляет 0,45Тл при Н=240А/м, а у феррита 1500НМ индукция насыщения 0,35Тл при Н=800А/м.

Irbis писал(а): да и вобще ферриты с такой проницаемостью не для БП делаются. Даже у эпкоса 2800 для БПшников идет. А этот вобще загнется сразу.

Давным-давно в стародавнее советское время выпускали феррит 6000НМ с начальной магнитной проницаемостью 6000 и максимальной магнитной проницаемостью в 10000. Правда граничная частота при тангенсе угла потерь меньше 0,1, МГц у этого феррита была всего 5 кГц. Но для маломощных ИИП на 400 Гц хватало.

А вы знаете, что означает буква С в названии феррита? То, что он предназначен для СИЛЬНЫХ магнитных полей, т.е в ферритах. Ничего не приходит в голову?

Moskatov писал(а):у ферритов 2500НМС1 она выше и составляет 0,45Тл при Н=240А/м, а у феррита 1500НМ индукция насыщения 0,35Тл при Н=800А/м.
...
Давным-давно в стародавнее советское время выпускали феррит 6000НМ с начальной магнитной проницаемостью 6000 и максимальной магнитной проницаемостью в 10000. Правда граничная частота при тангенсе угла потерь меньше 0,1, МГц у этого феррита была всего 5 кГц. Но для маломощных ИИП на 400 Гц хватало.

Евгений, а вы понимаете разницу в ферритах "для слабых магнитных полей" и "сильных магнитных полей"? Вы бы хоть в справочник заглянули, чтобы не писать такое, в частности про 1500НМ.

Учите матчасть!

Thomas писал(а):А вот что вы пишете:

Moskatov писал(а):вторичная полуобмотка будет точно такой же. Вторичная обмотка должна состоять из 16+16 витков.

Вы очень удачно вырвали фразу из контекста. В оригинале было так: "Другая вторичная полуобмотка будет точно такой же". То есть обе половины обмотки, составляющие вторичную обмотку с отводом от середины, должны быть одинаковы (при условии что токи через полуобмотки одинаковы).

Thomas писал(а): Явно для вас между биполярными и полевыми транзисторами разницы нет, а её для данной задачи надо бы было принять во внимание. В момент насыщения на любом биполярном транзисторе, на MOSFET, и IGBT будет падать напряжение. Это напряжение обычно не велико и составляет от долей вольт до нескольких вольт. Причём чем более высоковольтный транзистор, тем выше напряжение насыщения.

Thomas писал(а): Хотя бы прикинуть, сколько времени заряд на базе рассасываться будет, ведь вы же транзистор в насыщение загоняете.

В ИИП ключевые транзисторы переходят из насыщения в отсечку и обратно. Естественно, процесс рассасывания носителей заряда не м.б. мгновенным. Чтобы через транзисторы не потёк сквозной ток длительность мёртвого времени выбираем всегда больше времени рассасывания носителей заряда. Чтобы учесть мёртвое время в программу вводим значение скважности.

Thomas писал(а): Ну и т.д.

Пока ни одного достойного аргумента. Жду

Irbis писал(а):А вы знаете, что означает буква С в названии феррита? То, что он предназначен для СИЛЬНЫХ магнитных полей, т.е в ферритах. Ничего не приходит в голову?

Посмотрите повнимательнее на фразу "1500НМ индукция насыщения 0,35Тл при Н=800А/м". А именно на "Н=800А/м". Н - это напряжённость магнитного поля, А/м. Именно эта цифра показывает сильно или слабо магнитное поле. Так вот, в маломощных ИИП (P примерно до 200 Вт) при высокой магнитной проницаемости (более 1300) такая напряжённость поля достигнута не будет. Обычно Н может достигать сотни - двух. Вы всегда можете меня перепроверить, рассчитав величину H. Только в мощных ИИП, сварочниках нельзя использовать феррит для слабых магнитных полей. Впрочем, об этом Вы уже сами сказали.

Thomas писал(а): Евгений, а вы понимаете разницу в ферритах "для слабых магнитных полей" и "сильных магнитных полей"? Вы бы хоть в справочник заглянули, чтобы не писать такое, в частности про 1500НМ. Учите матчасть!

Прочтите то, что я написал в выше. Постотрите на стр. 10 и 11 книги "Матвеев Г. А., Хомич В. И. Катушки с ферромагнитными сердечниками. - М.: Энергия, 1967. - 64 с., ил.", особенно обратите внимание на значения напряжённостей полей. Боюсь Вам можно рекомендовать освежить в памяти матчасть. Рекомендую начать с замечательного справочника по ферритам "Михайлова М. М., Филиппов В. В., Муслаков В. П. Магнитомягкие ферриты для радиоэлектронной аппаратуры: Справочник / Под ред. А. Е. Оборонко. - М.: Радио и связь, 1983. - 200 с., ил".
Достойных аргументов всё ещё нет. Жду

Господин Москатов, не передергивайте. Во-первых, я этого не писал:

Moskatov писал(а):

Thomas писал(а): Явно для вас между биполярными и полевыми транзисторами разницы нет, а её для данной задачи надо бы было принять во внимание. В момент насыщения на любом биполярном транзисторе, на MOSFET, и IGBT будет падать напряжение. Это напряжение обычно не велико и составляет от долей вольт до нескольких вольт. Причём чем более высоковольтный транзистор, тем выше напряжение насыщения.

Я написал так:

Thomas писал(а):Явно для вас между биполярными и полевыми транзисторами разницы нет, а её для данной задачи надо бы было принять во внимание. Хотя бы прикинуть, сколько времени заряд на базе рассасываться будет, ведь вы же транзистор в насыщение загоняете. Ну и т.д.

Во-вторых, я указал на то, что у вас для повышающего преобразователя напряжения суммарное сечение для вторичной обмотки получилось больше, чем для первичной. Вы этого так и не поняли. На книги незвестного происхождения вашей молодости можете не ссылаться – в отличие от вас я пользуюсь НТД: ГОСТами и ТУ. И там есть четкое деление на ферриты для слабых и сильных магнитных полей. Очень советую ознакомится с величиной напряженности магнитного поля, по которой происходит данное деление.

Также поинтересуйтесь циклом и режимами работы ключевых транзисторов в преобразователях напряжения, а также их параметрами и что от чего зависит. Вам полезно.

Спорить я дальше не намерен: котята уже напоролись на кривизну ваших покрытых мраком "коммерческой тайны" программ и паутину ложных сведений в ваших книгах. Вы даже не удосужились проверить то, что в них писали – и об этом также говорилось у нас на форуме. Очень жаль, что в современных условиях к изданию технической литературы и преподаванию стали допускать всех, кого не попадя.

москатов не указал тип магнитной проницаемости, видимо, она у него одна на все случаи жизни
ну а раз так, беру инициативу на себя.
а для невежд - вложение...

Thomas писал(а):Господин Москатов, не передергивайте.

Я не господин и не товарищ.

Thomas писал(а):На книги незвестного происхождения вашей молодости можете не ссылаться.

Тогда будем ссылаться на мои книги.

Thomas писал(а):И там есть четкое деление на ферриты для слабых и сильных магнитных полей. Очень советую ознакомиться с величиной напряженности магнитного поля, по которой происходит данное деление.

Тут дело не в делении на ферриты для слабых и сильных полей, а на то какое именно поле будет в магнитопроводе. Если поле слабое, то можно использовать феррит для слабых магнитных полей. Вижу, Вы распускаете страшилки о полях, не представляя чему равна напряжённость. А найти напряжённость поля (и, значит, определить годится ли феррит для данного ИИП или нет) в магнитопроводе очень просто. Согласно справочнику, индукция насыщения феррита 1500НМ B=0,35Тл, начальная магнитная проницаемость 1500, максимальная напряжённость магнитного поля Н=800А/м. Напряжённость поля в магнитопроводе можно найти по формуле:
H = B / (Mo * Mu),
где В - индукция при частной петле гистерезиса,
Mo - магнитная постоянная вакуума Mo = 4 * Пи * 10-7,
Mu - магнитная проницаемость феррита.
Индукция при частном цикле петли гистерезиса меньше индукции насыщения и обычно 0,5-0,7 от Bнас, т.е. 0,175Тл. В и H, естественно, - векторные величины. Чем сильнее магнитное поле, тем больше падает начальная магнитная проницаемость. Например, при определённых обстоятельствах она может упасть до 1000.
Считаем:
H = 0,175 / (4 * Пи * 10-7 * 1000) = 140 А/м.
Получили 140 А/м << 800А/м. Вот и доказательство того, что магнитопровод работает в слабых магнитных полях и можно использовать феррит для слабых магнитных полей. Поэтому даже для ИИП на 500 Вт - 1 кВт в советское время умудрялись создавать импульсные трансформаторы с магнитопроводами из ферритов, не предназначенных для сильных магнитных полей. И эти изделия работали, а многие работают до сих пор. Практика подтверждает теорию. Следовательно, Thomas, учите матчасть!

Thomas писал(а):Также поинтересуйтесь циклом и режимами работы ключевых транзисторов в преобразователях напряжения, а также их параметрами и что от чего зависит. Вам полезно.

Это полезно Вам для снижения уровня глупости.

Thomas писал(а):Спорить я дальше не намерен.

Я тоже спорить не намерен: с кем поведёшься... Тьфу, тьфу, не дай Бог...

Thomas писал(а):Вы даже не удосужились проверить то, что в них писали – и об этом также говорилось у нас на форуме.

Я считаю, что написанное является правильным. Причём ничего принципиально нового я не написал, а лишь взял идеи из фундаментальных научных книг. Рекомендую Вам пойти учиться в государственный университет и там, наконец, получить знания.

Thomas писал(а):Кстати, в ваших книжках тоже полно ошибок, о чём уже говорилось у нас на сайте.

Мне жаль, что Вы не можете отличить правильные утверждения от ошибочных и распространяете ложные сведения.

Старый ржавый электронщик писал(а):москатов не указал тип магнитной проницаемости, видимо, она у него одна на все случаи жизни

Нет, не одна на все случаи жизни. Вы в материале вложения указали проницаемость для ферритов Epcos, предназначенных для работы в полосе частот от 25 кГц, всё правильно. К Вашему посту ещё добавлю, что чем на более низкую частоту рассчитан феррит, тем больше у него технологически можно получить магнитную проницаемость.