все равно не понял. ну, ладно, пишу как видится мне. к сожалению, буду по частям, потому как время, знаете ли. а тут для конкретности считать необходимо.
EMiq писал(а):По поводу С5 и С7 - промоделируйте с реальными моделями и емкостями переходов и увидите влияние этих емкостей на вид разомкнутой ЛАФЧХ и устойчивость. Поиграйтесь со сменой моделей этих транзисторов на более и менее высокочастотные со своими емкостями переходов. Влияние С5 и С7 напоминает влияние согласующей цепи для комплексной нагрузки, параметры которой зависят от свойств транзисторов.
здесь свалены в одну кучу свойства двух полюсов, которые при анализе необходимо понимать и разделять. я так понимаю, речь идет о следующем
1 полюс. может быть, это новость, но С5 и С7 на ЛАФЧХ и устойчивость в правильно спроектированном усилителе практически не влияют. и подбирать их с помощью замены транзисторов не имеет смысла. полюс образован этими емкостями плюс паразитные емкости транзисторов и входным сопротивлением выходного драйвера вместе с выходной проводимостью Т2 и R11. при настройке усилителя мы на него не обращаем внимания. в нашем случае он будет располагаться на частоте порядка 140 кГц.
2 полюс. вот это критично. это с ним мы боремся введением коррекции, именно его мы убираем под линию ООС. возникает он из-за ограниченных частотных свойств транзисторов. эти свойства не зависят от паразитных емкостей переходов, а только физикой, например, временем пролета неосновных носителей, и не компенсируется. вот здесь можно попробовать попытаться подобрать транзистор при настройке. для КТ815 этот полюс будет где-нибудь на 3 МГц, а влияние его будет заметно уже на 1 МГц.
в свете сказанного возникает недоумение, зачем в усилок были установлены С5С7?
кстати. СИМ - это инструмент, с помощью которого мы проверяем свои идеи. чтобы правильно задать вопрос, необходимо знать на него 90% ответа. а для этого нужно знать схемотехнику, уметь "на пальцах" объяснять, и предварительно просчитывать, физику процесса.
EMiq писал(а):Скорость заряда емкости в первом приближении ( для оценки), при условии, что емкость заряжается генератором тока ( линейно) определится из выражения Uc=Ic*dT/C - упрощенный вид дифференциального уравнения для напряжения на емкости от времени на отрезке времени dT. Усилитель напряжения ( 1 и 2 каскады ) данной топологии - преобразователь тока в напряжение ( опять же, для оценки)
если генератором тока - таки да. но тока где здесь генератор тока?
С5,С7 на положительном полупериоде перезаряжаются через резистор R11, это явно не генератор тока. на отрицательном - через открытый транзистор Т2. с некоторым допущением можно назвать его источником. однако ток перезаряда конденсаторов всё равно будет переменным, поскольку из общего тока будет вычитаться ток R11.
первый каскад, Т1. это преобразователь напряжения в ток. Это действительно источник тока, но только для рабочего режима, типа, линейного. однако мы сейчас обсуждаем режим, когда возникает необходимость в высокой скорости нарастания. а он возникает тогда, когда на вход подается сигнал, его перегружающий. в этом случае транзистор запирается (отпирается), а напряжение на выходе усилителя начинает нарастать с некоторой скоростью, определяемой перезарядом неких внутренних конденсаторов, до того момента, когда ООС выйдет из режима перегруза и замкнет контур отслеживания.
итак, Т1 в перегрузе. предположим, на вход подали положительный перепад. тогда Т1 заперт, Т2 тоже запирается, а конденсатор С4 начинает перезаряжаться через R11,R8,R4. где тут источник тока? Скорость нарастания будет на уровне 15 В/мкс.
предположим, на вход подали отрицательный перепад. Тогда Т1 открыт, и С4 перезаряжается через R12,R8,к-э Т2. Влиянием R4, хотя и не совсем корректно, пренебрегаем, чтобы не мешался. Здесь Т2 тоже выступает источником тока. Величину скорости не считаю, но, наверно, тоже довольно большая.