Страница 1 из 2

выбор топологии ИИП

Добавлено: Чт фев 11, 2016 18:14:54
IRIISC
Уважаемые форумчане,
хотел бы услышать ваше мнение по выбору топологии в однотактных гальваноразвязанных источниках питания светодиодов на 100-200 Вт между обратноходом и прямоходом.что предпочтительней с точки зрения энергоэффективности, компактности, стабильности тока, возможности регулировки тока, реализация ККМ.

и почему на западе в ИИП бытовой технике отдают предпочтение именно обратноходам.

Re: выбор топологии ИИП

Добавлено: Чт фев 11, 2016 20:24:16
Starichok51
IRIISC писал(а):почему ... отдают предпочтение именно обратноходам
обратноход проще и дешевле.

Re: выбор топологии ИИП

Добавлено: Пт фев 12, 2016 10:08:02
IRIISC
в рамках данной темы хочется собрать обоснования выбора в пользу той или иной топологии по определеным критериям.
вот например Райдмон Мэк в книке импульсные источники питания в качестве основного критерия указывает мощность (см файл) .
совершенно понятно, что в маломощных применениях (<=50 Вт) доминируют обратноходы, а далее? в диапазоне мощностей 100-200 Вт а то и 300Вт уже и при выходных токах 3-6 А хочется иметь больше обоснований выбора.

Re: выбор топологии ИИП

Добавлено: Пт фев 12, 2016 14:51:34
charchyard
я за двухтранзисторный прямоход. там трапециидальный ток в первичке. а у обратнохода треугольный. и с индуктивностью рассеяния воевать придется неподетски. на токах 5..6А в первичке. это имхо :write:

Re: выбор топологии ИИП

Добавлено: Пт фев 12, 2016 15:13:53
Телекот
charchyard писал(а):там трапециидальный ток в первичке. а у обратнохода треугольный.
Как рассчитаешь трансформатор, может и трапецеидальный быть.

Re: выбор топологии ИИП

Добавлено: Пт фев 12, 2016 15:24:47
charchyard
может и трапецеидальный быть
запросто :) только толку от этого будет маловатто, а вот вреда реально докуя :)))

Re: выбор топологии ИИП

Добавлено: Пт фев 12, 2016 15:47:27
Телекот
charchyard писал(а):а вот вреда реально докуя
Интересно узнать какой в этом вред, Многие заводские блоки работают с неразрывным током трансформатора. И в программах старичка есть возможность задать неразрывность тока.

Re: выбор топологии ИИП

Добавлено: Пт фев 12, 2016 20:27:57
YS
Интересно узнать какой в этом вред
По большей части он сводится к сложности компенсации петли ОС в режиме неразрывного тока. Потому что обратноходы, что повышающие преобразователи проще проектировать для режима разрывных токов.

Re: выбор топологии ИИП

Добавлено: Пт фев 12, 2016 20:37:54
Телекот
Если ОС подобрана уже до нас.

Re: выбор топологии ИИП

Добавлено: Пт фев 12, 2016 23:47:59
charchyard
вред №1: транзистор открывается на открытый выходной диод, т.е. на индуктивность рассеяния. а она весьма мала. но хорошо, что хоть она есть. пока диод восстанавливает свои запирающие, ключ открыт на практически чистую козулю и жизть транзистора целиком в руках шима: хватит ли быстродействия по входу Isens :dont_know:
вред №2: старт транзистора не с нулевого тока никак не повлияет на порог отсечки, значит импульс будет короче. да и кривую перемагничивания это никак не растянет

Re: выбор топологии ИИП

Добавлено: Сб фев 13, 2016 00:28:30
Телекот
Белиберда одна.
За время закрывания диода ток ключа не достигнет порога срабатывания Isens, и тем более опасной величины. Из за той же индуктивности рассеивания. Вы же не будете использовать диоды для 50Гц.
charchyard писал(а):хватит ли быстродействия по входу Isens
Интересное высказывание, при пробое диода хватает, а так не хватит. :)))
Старт начнётся не с нулевого тока и что из этого? Зато импульсный ток ключа меньше.
Я тоже не люблю этот режим из за сложности настройки ОС, но его часто применяют в заводских аппаратах. И нечего довольно успешно работают.

Re: выбор топологии ИИП

Добавлено: Сб фев 13, 2016 07:06:44
Starichok51
charchyard писал(а):вред №1: транзистор открывается на открытый выходной диод,
в прямоходе абсолютно та же самая ситуация - выходной диод открыт током дросселя.
так что, в этом плане вред неразрывного тока одинаковый в обеих топологиях.

Re: выбор топологии ИИП

Добавлено: Сб фев 13, 2016 07:32:47
charchyard
это все равно как подливать вино в еще не допитый бокал: бутылка один хрен не влезет, лишнее будет на столе :dont_know: а насчет диодов. так шимы могут и на 500кГц работать, а там время восстановления даже супер быстродействующих играет значительную роль имхо. про импульсный ток меньше это мне кажется сказки: наоборот при закрытии диода транзистором как раз и возникает ударный импульс тока + емкость первички ещё перезаряжается. вообщем, склоняемся к разрывному току больше :tea:

Re: выбор топологии ИИП

Добавлено: Сб фев 13, 2016 08:48:34
Телекот
charchyard писал(а):емкость первички ещё перезаряжается. вообщем, склоняемся к разрывному току больше
Тогда уже к квазирезонансному режиму.

Re: выбор топологии ИИП

Добавлено: Пн фев 15, 2016 14:15:47
IRIISC
касательно прямоходов, необходимость обмотки размагничивания. приводятся схемы как с ней так и без нее. например классическая схема её содержит, 2-х транзисторный и с демферной цепью её не содержит.

Re: выбор топологии ИИП

Добавлено: Пн фев 15, 2016 14:53:21
Телекот
Там для размагничивания используется основная обмотка.

Re: выбор топологии ИИП

Добавлено: Пн фев 15, 2016 15:28:46
IRIISC
разве для размагничивания сердечника не нужно создавать обратнонаправленный ток?

Re: выбор топологии ИИП

Добавлено: Пн фев 15, 2016 15:34:25
Starichok51
а с чего ты взял, что там обратнонаправленный ток?
при размагничивании ток тот же самый, только спадающий до нуля.

Re: выбор топологии ИИП

Добавлено: Пн фев 15, 2016 15:37:08
IRIISC
я имею ввиду что в обмотке размагничивания после закрытия ключа возникает обратнонаправленый ток, размагничивающий сердечник

Re: выбор топологии ИИП

Добавлено: Пн фев 15, 2016 17:54:11
Телекот
Обмотка размагничивания выкачивает энергию накопленную в магнитном поле трансформатора, нет там обратного тока.