Форум РадиоКот

Всем доброго и приятного дня. Разбираясь с IGBT-транзисторами столкнулся с такой непоняткой. Как правило, в даташитах на IGBT указывают параметр Switching Frequency, который обычно составляет десятки (в лучшем случае сотню-две) килогерц. При этом все остальные временные параметры, а именно время нарастания, время спада, задержка включения и задержка выключения, составляют значительно меньше 1 микросекунды.
Возьмем к примеру первый попавшийся транзистор IRGP50B60PD1 (datasheet). У него указаны такие параметры:

Switching Frequency: 150 kHz
Rise time: 10 ns
Fall time: 11 ns
Turn-on delay time: 30 ns
Turn-off delay time: 130 ns

Получается как будто нестыковочка. Если исходить из последних четырех параметров, то транзистор должен уметь переключаться с частотой до нескольких МГц (и на практике он у меня это успешно делает на частоте 500 кГц, правда недолго, около 300 мкс, дальше 1 секунда отдыха; в длительном режиме я запускать не пробовал, поскольку не было пока необходимости). Что же тогда означает параметр Switching Frequency?

ns никак с КРУТИЗНОЙ фронтов не увязывается?

вы наверное взяли данные из DUT- теста с частными заявленными параметрами испытания. практически выходные параметры их задающего генератора и реакция транзистора(а не собственно даташыта).
у игбт входные емкости обычно очень большие..

Maykill, что вы имеете в виду? В даташите о крутизне ничего не сказано.

kaetzchen, данные из официального даташита. Входные емкости игбт - исключительно проблема драйвера, причем вполне решаемая. Например, драйверы TC4420/29 дают ток 6 ампер при частоте до 5 МГц. Этого достаточно для управления затвором транзюка из примера.

Cправа в таблице Conditions видите?, и еще правее Ref.Fig. Это результаты фактических замеров, но rise fall time etc.. -это даные их управляющих импульсов с генератора

kaetzchen.
Вы правы, для параметров с наносекундами указаны условия, при которых получены такие измерения, и приведена схема и даже осциллограммы фронтов. Спасибо что обратили внимание.
Но вопрос остается открытым. Схема у них вполне типичная, у меня примерно такая же. Фронты на осциллограммах имеют, как и сказано в таблице, длительность не более 50 нс. И неясно, что мешает, например, в этой конкретной схеме повторять такие импульсы с частотой, скажем, 2 МГц. Однако же текст "Switching frequency up to 150 kHz" почему-то от этого предостерегает. Хочется узнать, почему. Может быть, отгорит затвор, или что-то внутри транзистора накопится/насытится и он перестанет переключаться (временно) или пробьется.

gra писал(а):И неясно, что мешает, например, в этой конкретной схеме повторять такие импульсы с частотой, скажем, 2 МГц

Мешает защёлкивание IGBT (открывание паразитной тиристорной p-n-p-n-структуры => потеря управляемости IGBT с протеканием тока коллектор-эмиттер вне зависимости от управляющего напряжения затвор-эмиттер => выход транзистора из строя).

Схема устройства IGBT:


--

Не забудьте про токовый хвост IGBT.

--

Мощные IGBT в режиме мягкого переключения могут работать на значительно более высоких частотах нежели в режиме жёсткого переключения. Но их рабочий режим совсем не на мегагерцах.

Moskatov
Спасибо! Похоже, то что нужно. Буду читать.

Можете начинать читать со стр. 153 - 157 книги Семенов Б.Ю. Силовая электроника: от простого к сложному, 2006 год.

Благодарствую.

Здравствуйте подскажите по IGBT GT30G122 даташит на него есть но вот про частоту ничего.
хотелось бы раскочегарить его хотя бы до 150 кГц попадались мне статейки что в мягком режиме переключения это как бы возможно.
какие есть мысли у кого?
http://monitor.espec.ws/files/200910231 ... df_116.pdf