Форум РадиоКот

На днях решил рассортировать кучу различных транзисторов, различных диодов (из разных семейств) и прочие приборы, и подписать их.
Так как я только начинающий, без английского, трудно было с переводом сокращений в datasheet.
Полазив в нете готового списка как бы мне хотелось не нашел. В процессе сортировки сделал такой список из кусочков найденных в нете. Также постарался сортировать по алфавиту. Список еще будет корректироваться, добавляться.
Думаю это будет актуально для начинающих разбираться в даташитах, таких как я
если есть что либо подобное у котов, пжл добавляйте.
----------
VR Макс.обратное напряжение, В
VRRM Повторяющееся импульсное обратное напряжение. Repetitive peak reverse voltage
VRGM Предельное пиковое обратное напряжение затвора. Peak reverse gate voltage
VRWM Макс. имп. обратное напряжение, В
VDRM Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии Repetitive peak off-state voltage
VCES Напряжение коллектор-эмиттер Maximum permissible collector voltage
VCEsat Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Collector-emitter saturation voltage
Vcc (dd; ss; ee) Как правило, Vcc и Vdd обозначают одно и то же - положительное напряжение питания. Vss, Vee - минус питания. Voltage Collector Collector
VBR Напряжение (лавинного) пробоя. Avalache break-down voltage
VFM Импульсное прямое напряжение. Peak forward voltage
VTM Импульсное напряжение в открытом состоянии. Peak on-state voltage
VTO Пороговое напряжение диода. Threshold voltage diodes
VT(TO) Пороговое напряжение тиристора. On-state threshold voltage thyristor
VGT Отпирающее постоянное напряжение управления Gate trigger direct voltage
VF Прямое падение напряжения, В
VFM Макс. прям. падение напряжения, В
Vcf Скорость потока охлаждающего воздуха Velocity of air colling flow

IRRM Повторяющийся импульсный обратный ток Repetitive peak reverse current
IDRM Повторяющийся импульсный ток в закрытом состоянии Repetitive peak off-state current
IT(AV) Максимально допустимый средний ток в открытом состоянии Max. average on-state current
ITМ Импульсный ток в открытом состоянии Peak on-state current
ITSM Ударный ток в открытом состоянии Surge on-state current
ITRMS Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии Max. RMS on-state current
ITQRM Максимально допустимый повторяющийся запираемый ток Max. repetitive turn-off current
IC Постоянный ток коллектора DC collector current
ICM Импульсный ток коллектора Peak collector current
IF(AV) Максимально допустимый средний прямой ток Max. average forward current
IFM Импульсный прямой ток Peak forward current
IFSM предельный ток однократной (непериодической) перегрузки. Surge current
IFRMS Максимально допустимый действующий прямой ток Max. RMS forward current
IFSM Ударный прямой ток Surge forward current
IFGM Прямой импульсный ток управления Peak forvard gate current
IGT Отпирающий постоянный ток управления Gate trigger current
IG(ON) Минимальный поддерживающий ток управления Min. on-state gate current
IGQM Запирающий импульсный ток управления Peak gate turn-off current
IRM Импульсный обратный ток

TC Температура корпуса Case temperature
Tj max Максимально допустимая температура перехода Maximum permissible junction temperature

RDS(on) сопротивление канала в открытом состоянии
RMS среднеквадратичное, если V то- напряжение
Rth(j-c) Тепловое сопротивление переход-корпус Thermal resistance junction to case
rT Динамическое сопротивление On-state slope resistance

PRSM Ударная обратная рассеиваемая мощность Max. surge avalanche power dissipation

trr Время обратного восстановления Reverse recovery time
tgt Время включения (для тиристоров) Turn-on time
ton Время включения. Turn-on time
toff Время выключения. Turn-off time
tq Время выключения (для тиристоров) Turn-off time
tgq Время выключения по управляющему электроду (для GTO) Gate controlled turn-of time
ts Время задержки выключения Storage time
tf Время спада Fall time

(dvD/dt)crit Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии Critical rate of rise of off-state voltage
(dvD/dt)com Критическая скорость нарастания коммутационного напряжения Critical rate of rise of commutating voltage
(diТ/dt)crit Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии Critical rate of rise of on-state current

Md это рекомендуемый (или максимальный) момент затяжки винта при креплении корпуса типа TO-220. Mounting torque

VRGM Обратное импульсное напряжение управления Peak reverse gate voltage

Предельное пиковое обратное напряжение затвора.

IFSM Ударный прямой ток Surge forward current

Surge current - предельный ток однократной (непериодической) перегрузки. Родственное понятие - inrush current.

Vcc Voltage Collector Collector

Как правило, Vcc и Vdd обозначают одно и то же - положительное напряжение питания. Vss, Vee - минус питания.

VBR Напряжение лавинообразования Avalache break-down voltage

Напряжение (лавинного) пробоя.

RMS максимальное среднеквадратическое

Просто среднеквадратичное. Root Mean Square.

ton Время включения (для IGBT) Turn-on time

Необязательно для IGBT. Для MOSFET то же самое.

Md Крутящий момент Mounting torque

Mounting torque - это рекомендуемый (или максимальный) момент затяжки винта при креплении корпуса типа TO-220.

YS, спс. Все исправил

Должен же быть какой-то сборник сокращений? На работе сказали что есть, только надо найти, сколько не искал в инете, попадается либо совсем совсем краткий, либо что то совсем абстрактное. Никто не занимался этим вопросом?

Должен же быть какой-то сборник сокращений?

Никогда не встречал. Ну, кроме древних словарей технических терминов.

Проще всего взять англоязычный учебник (того же Горовица и Хилла в оригинале), и читать его. В ходе чтения все термины встанут на место. Опять же, есть туториалы, в которых объясняют, например, смысл параметров IGBT. Заодно и общее знание языка подтянется.

DSilver писал(а):Никто не занимался этим вопросом?

Как я и писал в первом сообщении- тоже, сколько не искал, подобного нет= вот и собрал из кусочков. Внести свои пять копеек за благодарность этому сайту и его обитателям

Проще всего взять англоязычный учебник (того же Горовица и Хилла в оригинале), и читать его. В ходе чтения все термины встанут на место. Опять же, есть туториалы, в которых объясняют, например, смысл параметров IGBT. Заодно и общее знание языка подтянется.

А вот это хороший совет, но не для лентяев Впрочем кто серьезно решил все таки этим заниматься- то не стоит лениться, со временем затраченное время окупится

еще: Условные обозначения и описание ножек ШИМ
внимание!

YS писал(а): Только один момент: это значения сокращений, применимые к конкретному даташиту. В других местах эти сокращения могут значить совершенно другое

конкретный даташит на описываемую МК не нашел, потому уточню: описываемая МК применяется в усилителях звуковой частоты.
http://gyrator.ru/pwm-controller - источник
_____
VC Вывод питания. Через этот вывод к микросхеме подводится питание. Не путайте его с выводом VCC.

VCC Вывод контроля питания. Обычно микросхема контроллера ШИМ управляет силовыми транзисторами (полевыми или биполярными). Если напряжение на ее выходе уменьшится, то транзисторы начнут открываться не полностью, быстро нагреются и выйдут из строя. Чтобы это исключить, нужно следить, что напряжение питания микросхемы выше определенного значения. Этот вывод нужен именно для этого. Если напряжение на этом выводе падает ниже заданного для данного контроллера, то контроллер выключается. Обычно эту ножку соединяют с VC.

OUT Выходное управляющее напряжение. Есть микросхемы с двумя выводами для управления двухплечевыми (двухтактными) выходными каскадами (пушпульный, полумост, мост, двухтактные обратноходовые преобразователи), а есть с одним выводом для управления одноплечевыми (однотактными) (прямоходовый, обратноходовый, повышающий, понижающий, инвертирующий). Кроме того выходной каскад может быть однотактным или двухтактным. Тут возникает некоторая путаница. Не следует путать двухтактный выходной каскад контроллера и контроллер управления двухтактным каскадом. Двухтактный выходной каскад предназначен для управления полевым транзистором. Полевой транзистор управляется напряжением. Чтобы его быстро закрыть, нужно быстро разрядить емкости затвор - исток и затвор - сток. Для этого используется двухтактный выходной каскад контроллера, который обеспечивает замыкание выхода на общий провод, когда нужно закрыть полевой транзистор. Для управления биполярным транзистором двухтактный каскад не нужен, так как управление осуществляется током. Чтобы закрыть биполярный транзистор, достаточно просто прекратить ток через базу. Замыкать базу на общий провод необязательно.

OUT VREF Опорное напряжение. Для удобства контроллер обычно дополнен функцией формирования стабильно опорного напряжения. Производители обычно рекомендуют соединять этот вывод с общим проводом конденсатором 1 мкФ. Это повышает качество и стабильность опорного напряжения.

ILIM Ограничение тока. Если напряжение на этом выводе превышает определенное (обычно 1 Вольт), то контроллер закрывает силовые ключи. Если напряжение превышает другой, больший порог (обычно 1.5 Вольта), то контроллер сбрасывает напряжение на ножке мягкого старта. После этого импульсы на выходе прекращаются, и, если у Вас собрана цепь мягкого запуска, то начинается процесс мягкого запуска (о нем ниже). У некоторых контроллеров есть специальная ножка (ILIMREF), напряжение на которой задает напряжение срабатывания ограничения тока. Тогда напряжение на ножке ILIM сравнивается с напряжением на ножке ILIMREF, а не с фиксированным напряжением. Закрывание силовых ключей происходит при превышении напряжения на ILIM над напряжением на ILIMREF, а сброс мягкого старта по-прежнему при превышении некоторого фиксированного напряжения.

SS Мягкий старт. Напряжение на этой ножке ограничивает максимально возможную ширину импульсов. На эту ножку контроллер подает ток фиксированной силы. Если между этой ножкой и общим проводом установить конденсатор, то он будет постепенно заряжаться, что приведет к постепенному увеличению ширины импульсов от нуля до расчетного значения. Это обеспечит постепенное, а не мгновенное нарастание силы тока и напряжения в системе. Это и есть мягкий старт. Если искусственно ограничить напряжение на этой ножке, например, путем подключения делителя напряжения и диода, то можно вообще исключить превышение ширины импульсов некоторого заданного значения. Это бывает нужно для повышения устойчивости работы конструкции.

RT, CT Резистор и конденсатор, задающие частоту работы контроллера (). Контроллер работает на определенной частоте. Импульсы следуют с этой частотой. Контроллер меняет длительность импульсов, но не частоту. Это значит, что чем короче импульс, тем длиннее пауза и наоборот, а частота следования остается постоянной. Конденсатор, подключенный между CT и общим проводом, и резистор, подключенный между RT и общим проводом, задают частоту работы контроллера.

CLOCK Импульсы синхронизации. Иногда необходимо заставить работать несколько контроллеров синхронно. Тогда к одному контроллеру (ведущему) подключают частотозадающие конденсатор и резистор. На ножке CLOCK ведущего контроллера появляются короткие импульсы напряжения. Эти импульсы подаются на ножки CLOCK других контроллеров (ведомых). Ножки RT ведомых контроллеров соединяются с VREF этих контроллеров, а ножки CT - с общим проводом.

RAMP Напряжение для сравнения. На эту ножку нужно подать пилообразное напряжение. В момент возникновения импульса синхронизации на выходе контроллера появляется открывающее управляющее напряжение. Далее, как только напряжение на RAMP превышает напряжение на выходе усилителя ошибки на определенную величину, на выходе возникает закрывающее напряжение. Так что импульс длится от момента синхронизационного импульса до момента превышения напряжения на RAMP над напряжением выхода усилителя ошибки. Этим и достигается ШИМ. В классической схеме на RAMP подается напряжение с CT. Там как раз отличная пила. Есть и другие варианты включения.

INV, NONINV Инвертирующий и неинвертирующий входы усилителя ошибки. На входе ШИМ контроллера стоит обычный операционный усилитель. Это его инвертирующий и неинвертирующий входы. Увеличение напряжения на неинвертирующем входе приводит к увеличению длительности импульсов, уменьшение - к уменьшению. С инвертирующим входом все наоборот. Обычно неинвертирующий вход подключают к ножке опорного напряжения, а на инвертирующий вывод подают выходное напряжение через делитель и цепь обратной связи.

EAOUT Выход усилителя ошибки. Казалось бы, нет ничего проще. Подаем на NONINV опорное напряжение, но INV - часть выходного напряжения, такую, чтобы она равнялась опорному при нужном выходном. Но так ничего не получится в связи с тем, что преобразователь напряжения имеет довольно медленную реакцию на управление. Пока выходное напряжение увеличится или уменьшится, проходит довольно большое время. Так что если подать выходное напряжение через делитель непосредственно на INV, то полученная отрицательная обратная связь на некоторой частоте из-за задержки превратится в положительную. Устройство возбудится, на выходе появится вместо требуемого сигнал сложной формы. Из-за возбуждения устройство, скорее всего, выйдет из строя. Чтобы победить возбуждение, используется
EOUT выход. С него сигнал через частотно зависимые цепи подается на INV, достигается частотная коррекция усилителя ошибки. Есть целая теория, которая описывает, как вычислить нужные номиналы частотокорректирующих цепей.

FB обратная связь, используется для регулировки напряжения

BOOT Вход начального нагружения (конденсатор 0.022…0.1 мкФ BOOT и PH) для плавного управления драйвером МОП-транзистора

COMP Выход компаратора напряжения, связанный внешней компенсационной цепью с входом компаратора VSENSE

PH Выход коммутатора

PWRGD/PGOOD Выход с открытым стоком сигнализации о правильности выходного напряжения (сигнал говорящий о том что шим работает и питание в порядке)

SS/ENA Задание плавности старта (программируется внешним конденсатором)/разрешение работы (подключение к общему проводу запрещает работу)

VBIAS Выход схемы стабилизации напряжения смещения (конденсатор 0.1…1мкФ между VBIAS и AGND)

VSENSE Инвертирующий вход компаратора напряжения

TON это сенсор напруги, которая поступает на верхий ключ, собственно он измеряет напругу которая будет проходить при открытии ключа.

VDDP это питание драйверов для управления затворами ключей.

EN/DEM это сигнал включения шима, переход в режим работы так сказать.

UGATE - это управляющая затвором верхнего ключа.

PHASE - общая фаза.

LGATE - управляющая затвором нижнего ключа

OC - настройка тока (ограничение).

VOUT - проверка выходного напряжения.

Условные обозначения и описание ножек ШИМ

Только один момент: это значения сокращений, применимые к конкретному даташиту. В других местах эти сокращения могут значить совершенно другое!

Например, Vc очень часто именно то же самое, что Vcc. Да, так бывает. Просто в данном конкретном случае так. Я, кстати, готов предположить (предположить, потому что ссылки на конкретный даташит нет), что Vcc в вашем случае - вывод питания выходных буферов.

Для управления биполярным транзистором двухтактный каскад не нужен, так как управление осуществляется током. Чтобы закрыть биполярный транзистор, достаточно просто прекратить ток через базу. Замыкать базу на общий провод необязательно.

Если вы считаете, что биполярный транзистор закрывается сразу после того, как мы прекратили вкачивать ток в базу, вы заблуждаетесь. Есть такое явление, как накопление заряда в области базы. За счет этого биполярный транзистор остается открытым еще достаточно долго после того, как он, казалось бы, должен быть закрыт. Это явление очень ощутимо сказывается на работе транзистора в импульсных режимах. Чтобы надежно и быстро закрыть биполярный транзистор, надо не просто подключить базу к земле, а подать на нее отрицательное напряжение. Проще всего этого можно достичь, применяя схему с форсирующим конденсатором.

SS Мягкий старт.

Это именно для этого контроллера. Еще это может быть, скажем, Slave Select.

RAMP Напряжение для сравнения.

А еще это может быть выход/вход т.н. slope compensation, механизма стабилизации преобразователя.

BOOT Вход начального нагружения

Это bootstrap, вольтодобавка. А ножка нужна для подключения конденсатора, входящего в ее состав...

И так далее, и так далее. Лучше дайте ссылку на конкретный даташит...

YS спс
отредактировал

Доброго времени суток. У меня есть транзистор TIP31CG. Хочу на его базе сделать стабилизатор напряжения, 12 - 5 вольт. А именно зарядку для телефона в машину на 5 вольт 2 ампера. Т.Е. на транзисторе должно гаситься 18 ватт, при условии что на заведенной машине напряжение 14 вольт. В dataset есть 2 цифры рассеиваемой мощности

Total Power Dissipation @ TC = 25°C Derate above 25°C | 40 / 0.32 | W W/°C

Total Power Dissipation @ TA = 25°C Derate above 25°C | 2.0 / 0.016 | W W/°C

Вопрос. Рассеиваемая мощность 40 ватт или 2 ватта?
У меня транзистор на небольшом алюминиевом радиаторе, с термопастой, при токе 1,9 ампер сильно греется, может я что-то не правильно рассчитал.

Считали-то как? По-хорошему делается так: задаётесь допустимой температурой корпуса транзистора, максимальной температурой воздуха вокруг него, далее, зная рассеиваемую транзистором мощность, считаете требуемое тепловое сопротивление радиатора. А потом или подбираете готовый радиатор с тепловым сопротивлением не более расчётного, или считаете потребную площадь пластины по известной формуле.

Спасибо за оперативный ответ. А не подскажите формулу по которой считать, и как считать. Ато я взял первый попавшийся радиатор и поставил его. Я думал он рассеивает с любым радиатором 40 ватт
И непонятно с dataset, что там одна рассеиваемая мощность 40 ватт и написано tc, а вторая 2 ватта ta, это что за мощности и почему такая разница 2 и 40 ватт?

К чему эти сложности с расшифровкой? На эту тему обозначений есть стандарты IEC, а у нас ГОСТ, который с IEC согласован.
Вот ссылка на один из документов http://vsegost.com/Catalog/31/3167.shtml
Если посмотреть рядом, легко найдёте и методики измерений и т.п.

p.s. Похоже, я возбудился на некротему. Ну да ладно, пусть будет напоминание о том, что есть стандарты...

Все просто.

Меньшая мощность - сколько транзистор сможет рассеять без радиатора, исключительно благодаря возможностям корпуса. Большая мощность - сколько из этого транзистора в принципе можно выжать, с самым лучшим радиатором.

Смысл рассчета радиатора сводится к тому, чтобы убедиться, что при максимальной окружающей температуре кристалл не перегреется. В документации приводится тепловое сопротивление кристалл-корпус. Для радиаторов приводится тепловое сопротивление радиатор-среда. Расчет ведется в рамках электрической аналогии - по закону Ома.

Эмпирика - примерно 20 кв. см. на один ватт рассеиваемой мощности.

[uquote="Oleevall",url="/forum/viewtopic.php?p=3227051#p3227051"]А не подскажите формулу по которой считать, и как считать. Ато я взял первый попавшийся радиатор и поставил его. Я думал он рассеивает с любым радиатором 40 ватт [/uquote]Даже с совсем никаким? Так не бывает, это должно быть понятно даже просто из здравого смысла. 40 ватт он рассеет с максимально хорошим теплоотводом. А считать можно так. Привожу крайне простую процедуру.
1. В даташите находите максимальную температуру корпуса, или сами ей задаётесь. Пусть будет: T1 = 80 градусов.
2. Если радиатор внутри корпуса, то рядом с ним температура точно не будет такой же, как за бортом. Примем, исходя из увиденого на потолке, T2 = 40 градусов.
3. Таким образом, разница температур на "концах" радиатора (один "конец" место установки транзистора, другой - воздух вокруг него) dT = T1-T2 = 40 градусов.
4. Исходя из схемотехники определяем рассеиваемую транзистором мощность. Если она разная, считаем максимальную. Пусть мы насчитали P = 40 Вт.
5. Определяем тепловое сопротивление радиатора: Rt = dT/P = 1 градус/Вт.
Если нам надо подобрать радиатор из готовых по известному Rt, то на этом расчёты заканчиваем. Если хотим определить требуемую площадь поверхности радиатора, то идём дальше.
6. Площадь поверхности радиатора считается так: S = 1000/(a*Rt), где S получается в квадратных сантиметрах, а коэффициент a - для обычного ребристого или пластинчатого радиатора из меди, алюминия без обдува, но с незатруднённой конвекцией он принимается равным 1.5. Таким образом, для нашего случая S = 1000/(1.5*1) = 667 кв.см. Если радиатор - пластина, то её площадь может быть в два раза меньше - ведь она отводит тепло обеими своими поверхностями. Как видите, пластинка получается довольно крупная. И, конечно, она не должна быть из фольги. Толщина пластины в формулу не входит, миллиметра четыре - это, пожалуй, минимум.

mickbell огромное спасибо. Очень помогли мне в решении проблемы.