Форум РадиоКот

Коллеги, добрый день

Подскажите дилетанту, как работает входной дифф.каскад усилителя мощности усилителя РТ У-101-Стерео Hi-Fi. Интересует источник тока на транзисторах VT1+VT3
Ниже схема:

Спойлер

Я ожидал увидеть в качестве источника тока токовое зеркало, но VT1 - NPN, а для токового зеркала нужен PNP, т.е. симметричный VT3.
Т.е. это некий другой источник тока. Как он работает? Зачем в цепи нужен обратносмещенный переход база-эмиттер VT1? Может ВАХ обратносмещенного перехода представляет интерес? Судя по тому, что на транзисторе по схеме падает 7В, значит там начинается восстанавливаемый пробой?
Я прав в своих рассуждениях?

..ну да, это ИОН....надо сказать, не самое лучшее решение, поскольку напряжение такого ИОН чрезмерно велико (3..7В) и сильно зависит от экземпляра т-ра....лучше заменить его стандартным ИТ, именно так и было сделано в последующих модификациях модуля...

Чем получать смещение на базу для ист тока - почти всё равно.......
А так каскад, видимо, нормально и не работал, в связи с чем его и изменили...

Enman писал(а):А так каскад, видимо, нормально и не работал в связи с чем его и изменили

...в первом варианте сопротивление в эмиттере собственно, ИТ 3,9к, такой ИТ имеет значительное динамическое сопротивление, в связи с чем возможности ДК используются не полностью - раннее насыщение...

Наконец-то нашел пару упоминаний о данной схеме, например вот.
Если кто знает откуда эта информация скопирована (бумажное издание), сообщите плз.

Любой p-n переход при обратном смещении имеет точку начала лавинного пробоя, когда начинается лавинообразный рост тока через переход при увеличении приложенного обратного напряжения. Если ток в цепи ограничить до уровня безопасной рассеиваемой на p-n переходе при лавинном пробое мощности, то получим стабилитрон. Крутизна характеристики стабилитрона, т.е. его динамическое сопротивление зависит от количества образующихся при пробое носителей и связана с технологией легирования полупроводниковой структуры. У маломощных ВЧ транзисторов напряжения пробоя обратным напряжением эмиттерного перехода ( эмиттерный переход всегда имеет более высокую степень легирования перехода , чем коллекторный) составляет 5.6 - 7 вольт. Но крутизна характеристики перехода и его точка пробоя не стабильны от экземпляра к экземпляру. Что при массовом производстве дает большой разброс характеристик, т.к. подбор исключен.
Можете посмотреть Титце и Шенка - Полупроводниковая схемотехника -на предмет работы p-n перехода и стабилитрона.

Для получения приемлемого ТКН можно использовать обычный светодиод, у него ТКН близок к таковому у кремниевого транзистора - величина стабилизируемого тока будет достаточно стабильной в диапазоне рабочих температур... (резистор в эмиттере придётся пересчитать ) Кстати, и шума у светодиода поменьше, чем у стабилитрона или транзистора в режиме пробоя...

As писал(а):Для получения приемлемого ТКН можно использовать обычный светодиод..

..а еще лучше специально заточенные под это дело lm285/lm385..

As писал(а):Кстати, и шума у светодиода поменьше, чем у стабилитрона или транзистора в режиме пробоя...

..ну это смотря какой стабилитрон...тут напряжение - около полутора вольт, стабилитронов на такое напряжение нет, есть стабисторы.

У стабистора ТКН больше... А микросхемы в этом узле я бы ставить задумался... Никто не исследовал их работу в диапазоне частот, что они добавят к звуку - чёрт его знает... Да и не нужна такая уж высокая стабилизация...

...можете ставить смело - ничего не добавят, этот узел - ИОН, он не в тракте прохождения сигнала....как бонус получаете повторяемость параметров ИТ..