Управление полевым транзистором. Ток затвора, коммутация.
Добавлено: Вт фев 05, 2019 21:10:00
Приветствую всех. И прошу помощи в проблеме с которой столкнулся.
Значит вопрос следующий: Про ток нужный затвору полевого транзистора а так же скорость открытия, и соотношение времени открытия к времени работы. Столько уже информации прочитал но внятного ответа не нашел.
Пойду по порядку, допустим имеется у нас микросхема которая генерирует прямоугольные импульсы, для полумостовой схемы. Возьмем к примеру ir2153, у нее в даташите указан выходной ток в 150 мА. Идем дальше имеется транзистор IRF740, у него в даташите указан минимальный резистор затвора в 4.7 ома. от сюда получаем при выходном напряжении драйвера в 14-15 вольт ток в затворе почти 3 ампера. значит это бред, и нужно увеличивать сопротивление резистора. почти во всех типовых схемах оно составляет около 30 ом. Окей тогда ток будет 0,46 ампера, все равно много. Дальше я гуглил и нашел статью от Михаила Майрова. В ней он делает расчет учитывая внутреннее сопротивление драйвера. Из таких соображений что при кз драйвер может выдать ток в 250 мА. А значит внутрений резистор = 15/0,15 = 100 Ом. и вот тогда уже расчет приближается к истине. Наш 100 Ом резистор + 33 Ом. 15/130 = 0,11А. Все это хорошо, но если я возьму другую микру, к примеру Тл494 или же sg3525 или UC384x. Как поступать в таком случае. Тоже можно исходя из тока вычислить внутрений резистор? На структурной схеме его то не видно.
И еще одно, к чему я это все считаю. нужно понять скорость с которой необходимо открыть транзистор. Как ее выбрать и какое должно быть соотношение между длительностью открытия и рабочим временем? Находил инфу что в открытом состоянии состоянии транзистор должен быть в примерно в 20 раз дольше чем он открывается и закрывается, так ли это? К примеру если у нас ток открытия 0,11 А, а заряд затвора 40nC тогда время за которое откроется транзистор 360нано секунд. Допустим частота преобразователя у нас 40кГц, это значит что 1 период длится 25000нано секунд, отнимаем от этого значения время дед тайм 1200 нано сек, делим это значение на два, так как у нас два транзистора и того уже получаем 11900 нано секунд. Но и это еще не все, минус время на открытие и закрытие, которое мы посчитали выше. И того 11900-720=11180 нано секунд на работу. На первый взгляд этого достаточно, а если мы повысим частоту, что тогда? Или же если это ШИМ модуляция, и импульс короткий. Вообщем кто знает ответ на данный вопрос, прошу высказаться...
Значит вопрос следующий: Про ток нужный затвору полевого транзистора а так же скорость открытия, и соотношение времени открытия к времени работы. Столько уже информации прочитал но внятного ответа не нашел.
Пойду по порядку, допустим имеется у нас микросхема которая генерирует прямоугольные импульсы, для полумостовой схемы. Возьмем к примеру ir2153, у нее в даташите указан выходной ток в 150 мА. Идем дальше имеется транзистор IRF740, у него в даташите указан минимальный резистор затвора в 4.7 ома. от сюда получаем при выходном напряжении драйвера в 14-15 вольт ток в затворе почти 3 ампера. значит это бред, и нужно увеличивать сопротивление резистора. почти во всех типовых схемах оно составляет около 30 ом. Окей тогда ток будет 0,46 ампера, все равно много. Дальше я гуглил и нашел статью от Михаила Майрова. В ней он делает расчет учитывая внутреннее сопротивление драйвера. Из таких соображений что при кз драйвер может выдать ток в 250 мА. А значит внутрений резистор = 15/0,15 = 100 Ом. и вот тогда уже расчет приближается к истине. Наш 100 Ом резистор + 33 Ом. 15/130 = 0,11А. Все это хорошо, но если я возьму другую микру, к примеру Тл494 или же sg3525 или UC384x. Как поступать в таком случае. Тоже можно исходя из тока вычислить внутрений резистор? На структурной схеме его то не видно.
И еще одно, к чему я это все считаю. нужно понять скорость с которой необходимо открыть транзистор. Как ее выбрать и какое должно быть соотношение между длительностью открытия и рабочим временем? Находил инфу что в открытом состоянии состоянии транзистор должен быть в примерно в 20 раз дольше чем он открывается и закрывается, так ли это? К примеру если у нас ток открытия 0,11 А, а заряд затвора 40nC тогда время за которое откроется транзистор 360нано секунд. Допустим частота преобразователя у нас 40кГц, это значит что 1 период длится 25000нано секунд, отнимаем от этого значения время дед тайм 1200 нано сек, делим это значение на два, так как у нас два транзистора и того уже получаем 11900 нано секунд. Но и это еще не все, минус время на открытие и закрытие, которое мы посчитали выше. И того 11900-720=11180 нано секунд на работу. На первый взгляд этого достаточно, а если мы повысим частоту, что тогда? Или же если это ШИМ модуляция, и импульс короткий. Вообщем кто знает ответ на данный вопрос, прошу высказаться...