Страница 1 из 1
IGBT транзистор от IR
Добавлено: Вс ноя 10, 2019 21:08:58
nicanor
Есть транзистор IRGP4063D-EPBF. Подскажите, что означает буква "G" на корпусе правого транзистора.
Re: IGBT транзистор от IR
Добавлено: Вс ноя 10, 2019 21:34:13
alexradio1103
Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ, англ. Insulated-gate bipolar transistor, IGBT)
https://ru.wikipedia.org/wiki/%D0%91%D0 ... 0%BE%D0%BC
Re: IGBT транзистор от IR
Добавлено: Пн ноя 11, 2019 08:19:23
uvn
Вероятно G - Gate. Зачем так сделали? Может у них ошибка и там должно быть "C".
Вообще обычные у них идут в корпусах "TO‐247AС", а с буквой "-EPbF" идут "TO‐247AD"
Re: IGBT транзистор от IR
Добавлено: Пн ноя 11, 2019 08:54:09
alexradio1103
А что по-вашему "С" должно тогда означать?
Это гибрид полевого и биполярного транзистора!
Re: IGBT транзистор от IR
Добавлено: Пн ноя 11, 2019 09:15:37
uvn
C - Collector
Re: IGBT транзистор от IR
Добавлено: Пн ноя 11, 2019 09:41:21
alexradio1103
Тогда прочитайте ещё раз:
https://ru.wikipedia.org/wiki/%D0%91%D0 ... 0%BE%D0%BC
Только на этот раз внимательно!
Re: IGBT транзистор от IR
Добавлено: Пн ноя 11, 2019 09:52:14
korob
Само собой разумеется там ошибка, и на фланце транзистора совершенно однозначно должен быть коллектор "C".
Re: IGBT транзистор от IR
Добавлено: Пн ноя 11, 2019 10:08:40
alexradio1103
Это даже не ошибка, а опечатка уже наших манагероф с мирчендайзерами!
Какой-то студент рисовал с картинки и подписывал буквы по бумажке, нарисованной кем-то другим вручную...
Re: IGBT транзистор от IR
Добавлено: Пн ноя 11, 2019 10:22:19
korob
Наши менеджеры здесь не причём, картинка по ходу из официального даташита, так что ошибка/опечатка исходит от самой International Rectifier.
