Страница 1 из 4
вопрос по элементной базе.
Добавлено: Чт дек 16, 2021 13:49:49
prizrack*
Добрый день, Теоретически-практический вопрос: Какие транзисторы лучше использовать биполярные или полевые на выходе генератора до 400кГц с шимом (тактовая в районе 2мГц). Работать будут в ключевом режиме на большую нагрузку в несколько кВт. напряжение 100-150В. Ставить буду в парралель несколько транзисторов выход через ограничительные резисторы. За конкретные наименование из того что есть на рынке отдельная благодарность).
P.S. Кстати если кому интересно конструирование сего девайса можно обсудить $детали$.
Re: вопрос по элементной базе.
Добавлено: Чт дек 16, 2021 13:52:11
mickbell
Жить не будет.
Re: вопрос по элементной базе.
Добавлено: Чт дек 16, 2021 13:55:28
prizrack*
Печалька(( в какую сторону копать? одиночным транзистором задачу не решить... нужно паралелить...
Re: вопрос по элементной базе.
Добавлено: Чт дек 16, 2021 14:16:56
mickbell
1. Управление затворами (базами). Предположим, что стоят мосфеты или иджибити. Их затворы имеют солидную ёмкость, плюс ещё выходное напряжение солидное - соответственно, заметный эффект Миллера, в затворы нужно будет закачивать-выкачивать дикие амперы. Всяко не через резистор. Драйверы затворов, ещё и, скорее всего, каждому ключу нужен будет свой драйвер. Если это не сделать, открываться-закрываться ключи будут медленно, надолго окажутся в активном режиме, от этого выпустят из себя весь волшебный дым и работать перестанут. Биполярные не сильно лучше.
2. Если ваши "несколько киловатт" поделить на несколько сотен вольт, то окажется, что каждый ключ должен через себя пускать несколько ампер, а то и десятков. А там в цепи резисторы солидного номинала. Просто так выбрасывать мощь на их согревание? На них ещё и падение напряжения будет ощутимое - минус у нагрузки. Зачем они вообще нужны?
3. У упомянутого иджибитя предельное (правда в статике, но всё равно) напряжение затвора 20 В, вы на него именно столько и подаёте. А ещё от нагрузки, небось, прилетать будет.
4. Я ещё нагрузку не видел, боюсь туда даже смотреть.

Re: вопрос по элементной базе.
Добавлено: Чт дек 16, 2021 14:20:40
>TEHb<
Ну и запросики! Куда ж такую адскую шаталку? Тем не менее, например вот
https://epc-co.com/epc/Products/eGaNFET ... C2034.aspx . Ну ооооочень быстрые транзисторы. Требуют к себе специальный драйвер.
Re: вопрос по элементной базе.
Добавлено: Чт дек 16, 2021 15:23:23
prizrack*
[uquote="mickbell",url="/forum/viewtopic.php?p=4142560#p4142560"]1. Управление затворами (базами). Предположим, что стоят мосфеты или иджибити. Их затворы имеют солидную ёмкость, плюс ещё выходное напряжение солидное - соответственно, заметный эффект Миллера, в затворы нужно будет закачивать-выкачивать дикие амперы. Всяко не через резистор. Драйверы затворов, ещё и, скорее всего, каждому ключу нужен будет свой драйвер. Если это не сделать, открываться-закрываться ключи будут медленно, надолго окажутся в активном режиме, от этого выпустят из себя весь волшебный дым и работать перестанут. Биполярные не сильно лучше.
2. Если ваши "несколько киловатт" поделить на несколько сотен вольт, то окажется, что каждый ключ должен через себя пускать несколько ампер, а то и десятков. А там в цепи резисторы солидного номинала. Просто так выбрасывать мощь на их согревание? На них ещё и падение напряжения будет ощутимое - минус у нагрузки. Зачем они вообще нужны?
3. У упомянутого иджибитя предельное (правда в статике, но всё равно) напряжение затвора 20 В, вы на него именно столько и подаёте. А ещё от нагрузки, небось, прилетать будет.
4. Я ещё нагрузку не видел, боюсь туда даже смотреть.

[/uquote]
По затворам согласен, резисторы для ограничения токов через транзисторы, разброс характеристик по времени навернка будет, работать будет этот девайс на КЗ(маленький искровой промежуток) ну и параметры это максимальные, на 400кГц будет минимальное время включения.
и схема предварительная, номиналы резисторов и напряжения управления условные(будут подбираться под реальные транзисторы)
Добавлено after 14 minutes 51 second:
[uquote=">TEHb<",url="/forum/viewtopic.php?p=4142563#p4142563"]Ну и запросики! Куда ж такую адскую шаталку? Тем не менее, например вот
https://epc-co.com/epc/Products/eGaNFET ... C2034.aspx . Ну ооооочень быстрые транзисторы. Требуют к себе специальный драйвер.[/uquote]
Огонь! таких я еще не видел.. У китайцев таких нету:( надо будет поискать.В ЧИПиДИПе есть и цена адекватная. Спасибо за наводку
Re: вопрос по элементной базе.
Добавлено: Чт дек 16, 2021 15:25:49
>TEHb<
prizrack* писал(а): работать будет этот девайс на КЗ
Вы либо чего-то недоговариваете, либо изобрели нечто из ряда вон выходящее.
Re: вопрос по элементной базе.
Добавлено: Чт дек 16, 2021 15:34:50
mickbell
У него от дуги, точнее, от выбросов напряжения будет в затворы прилетать. Опять-таки - не будет оно жить.
Re: вопрос по элементной базе.
Добавлено: Чт дек 16, 2021 15:47:20
prizrack*
[uquote=">TEHb<",url="/forum/viewtopic.php?p=4142627#p4142627"]
prizrack* писал(а): работать будет этот девайс на КЗ
Вы либо чего-то недоговариваете, либо изобрели нечто из ряда вон выходящее.[/uquote]
На самом деле тут все просто это для Эрозионной обработки.
Добавлено after 4 minutes 47 seconds:
[uquote="mickbell",url="/forum/viewtopic.php?p=4142639#p4142639"]У него от дуги, точнее, от выбросов напряжения будет в затворы прилетать. Опять-таки - не будет оно жить.[/uquote]
Дуги как таковой не будет(точнее не должно быть) одиночные импульсы с гашением дуги. Опять таки-же резисторы и провода должны сгладить. Расчет по токам минимум с двух кратным запасом будет. Можно проработать защиту по напряжению. И расстояние от блока до станка несколько метров, экран, земля...
Re: вопрос по элементной базе.
Добавлено: Чт дек 16, 2021 15:50:43
>TEHb<
Что-то начинает проясняться. Да, вероятно тогда лучше кремний. У него тупо кристалл здоровенный и теплоёмкий. Какую форму импульсов используете?
Re: вопрос по элементной базе.
Добавлено: Чт дек 16, 2021 15:54:57
prizrack*
[uquote=">TEHb<",url="/forum/viewtopic.php?p=4142650#p4142650"]Что-то начинает проясняться. Да, вероятно тогда лучше кремний. У него тупо кристалл здоровенный и теплоёмкий. Какую форму импульсов используете?[/uquote]
прямоугольник с регулировкой скважности(в идеале), дальше добавлю обратный импульс (он намного реже и слабее будет)
https://www.chipdip.ru/product/mj11016? ... 1321854975
типо таких? или Дарлингтоны тут не прокатят?
Re: вопрос по элементной базе.
Добавлено: Чт дек 16, 2021 16:08:07
mickbell
[uquote="prizrack*",url="/forum/viewtopic.php?p=4142645#p4142645"]И расстояние от блока до станка несколько метров, экран, земля...[/uquote]Тем хуже. Длинные провода - большая индуктивность со всеми неприятными последствиями.
Re: вопрос по элементной базе.
Добавлено: Чт дек 16, 2021 16:15:55
prizrack*
[uquote="mickbell",url="/forum/viewtopic.php?p=4142663#p4142663"][uquote="prizrack*",url="/forum/viewtopic.php?p=4142645#p4142645"]И расстояние от блока до станка несколько метров, экран, земля...[/uquote]Тем хуже. Длинные провода - большая индуктивность со всеми неприятными последствиями.[/uquote]
Согласен, длинные провода всегда неприятны. По возможности будет меньше загибов и большое сечение.
Re: вопрос по элементной базе.
Добавлено: Чт дек 16, 2021 16:16:03
>TEHb<
Тогда есть где разгуляться. Например IRFB4115 какой-нибудь. Он 150 В, 104 А, 9,8 мОм. Или IRFP4468: 100 В, 290А, 2,6 мОм. Этот даже получше, ибо тупо больше. К каждому полевичку таки лучше свой драйвер.
А вообще производителей полно, например вот у
Инфинеона поиск , выбирайте. На алике лучше полевики не берите, наебут и не покраснеют.
P.S. на серьёзное устройство замахнулись. На таких мощностях и скоростях очень много всяких эффектов вылезает.
Re: вопрос по элементной базе.
Добавлено: Чт дек 16, 2021 16:50:32
prizrack*
[uquote=">TEHb<",url="/forum/viewtopic.php?p=4142667#p4142667"]Тогда есть где разгуляться. Например IRFB4115 какой-нибудь. Он 150 В, 104 А, 9,8 мОм. Или IRFP4468: 100 В, 290А, 2,6 мОм. Этот даже получше, ибо тупо больше. К каждому полевичку таки лучше свой драйвер.
А вообще производителей полно, например вот у
Инфинеона поиск , выбирайте. На алике лучше полевики не берите, наебут и не покраснеют.
P.S. на серьёзное устройство замахнулись. На таких мощностях и скоростях очень много всяких эффектов вылезает.[/uquote]
Спасибо, дома погуглю. Эксперименты никто не отменял) Тема интересная, подобные генератор можно еще для гальваники использовать, там на таких режимах тоже много интересного получается
Добавлено after 18 minutes 6 seconds:
Биполярники хуже в данной схеме будут?
Re: вопрос по элементной базе.
Добавлено: Чт дек 16, 2021 17:18:57
HochReiter
Почему бы не допилить напильником обычный сварочный инвертор? Мне однажды понадобился нестандартный источник тока, я так и сделал. Перемотал вторичную обмотку силового трансформатора и первичную - трансформатора тока, немного доработал схему - и работает. Сварочник стоит 6 тыс. руб, разрабатывать и паять самому за такие деньги было бы лениво.
Re: вопрос по элементной базе.
Добавлено: Чт дек 16, 2021 17:24:05
prizrack*
[uquote="HochReiter",url="/forum/viewtopic.php?p=4142719#p4142719"]Почему бы не допилить напильником обычный сварочный инвертор? Мне однажды понадобился нестандартный источник тока, я так и сделал. Перемотал вторичную обмотку силового трансформатора и первичную - трансформатора тока, немного доработал схему - и работает. Сварочник стоит 6 тыс. руб, разрабатывать и паять самому за такие деньги было бы лениво.[/uquote]
Мощность маловата и на выходе меандр нужен с регулировкой частоты и скважности.
Re: вопрос по элементной базе.
Добавлено: Пт дек 17, 2021 09:51:35
>TEHb<
prizrack* писал(а):Биполярники хуже в данной схеме будут?
Думаю, да. Полевичок не пропустит через себя сверхтоков. Не давайте перегреться, не побивайте по напряжению и всё будет хорошо. Да и непросто найти биполяр с такими характеристиками.
Re: вопрос по элементной базе.
Добавлено: Пт дек 17, 2021 11:58:03
prizrack*
[uquote=">TEHb<",url="/forum/viewtopic.php?p=4143069#p4143069"]
prizrack* писал(а):Биполярники хуже в данной схеме будут?
Думаю, да. Полевичок не пропустит через себя сверхтоков. Не давайте перегреться, не побивайте по напряжению и всё будет хорошо. Да и непросто найти биполяр с такими характеристиками.[/uquote]
https://static.chipdip.ru/lib/249/DOC000249645.pdf Есть такие дарлингтоны 120V 30A 4мГц h21э - 1000.
Re: вопрос по элементной базе.
Добавлено: Пт дек 17, 2021 12:09:29
>TEHb<
При 30 А тока напряжение насыщения заявлено 4 В, что даст 120 Вт статических потерь на транзисторе. Какой-нибудь IRFP4468 при том же токе будет иметь статические потери ватта в 3. Прикидочно, 40 раз разница.
Хорошим тоном считается ссылаться и брать информацию с документации от производителя. Чипдип иной раз грешит устаревшей или даже тупо недостоверной информацией.