Форум РадиоКот

Всем привет! Подскажите как разобраться с проблемкой. По схеме из даташита на TL494 собрал dc/dc преобразователь выходной каскад использовал транзисторы bd140 и TIP142 все работало все устраивало 12в 10А держит без проблем...
Решил собрать более мощный по той же схеме использовал тот же BD140 силовые транзисторы 3 штуки tip35C. В Micro-Cap все работает, в Proteus тоже, в реальности сжег уже штук 15 транзисторов и так и не понял почему не работает.
Если в даташит на транзистор указан максимальный ток 25 А, при каких условиях я могу получить хотя бы 20? Может быть у меня просто фальшивые транзисторы?

Возможно pnp слабоват не выдает чо положено

[uquote="zanderid",url="/forum/viewtopic.php?p=4356904#p4356904"]сжег уже штук 15 транзисторов .... Может быть у меня просто фальшивые транзисторы?[/uquote] Да запросто. После сгорания первого же комплекта следовало бы разломать транзисторы и посмотреть на размеры кристалла.
У меня похожая фигня была с TIP41 в ТО-220. Планировал ЛБП со скромными параметрами. Купил 4 штуки на радиорынке у ранее авторитетного продавца. При покупке воткнул в китайский транзистортестер. Немного смутил Ку - у всех 160. Дома, при попытке проверки фактического Ку при напряжении 12 В, сопротивлении нагрузки в коллекторе 10 Ом, в базе 1 кОм, тихо умерли вообще не показав коллектроного тока. Кристалл оказался 1х1 мм.

R4 и R41/42 по разному специально? Мелочь конечно но все же.
Яп глянул осликом что на силовых в базах - сдается мне нет ключевого режима в них Аль он не нужен?? Таскать тяжеленные базы ажэ три штуки с резисторами по нынешним меркам при наличии мосфетов/ижбт выглядит антигуманно.
Йа против такой схемы.

Energizer-A писал(а):R4 и R41/42 по разному специально? Мелочь конечно но все же.

Менял положение в процессе экспериментов и осталось от одного из вариантов. В реальности действительно никакой разницы нет.
Какая схема замены NPN на IGBT в данном случае?

Сходу на мосфет
https://yandex.ru/images/touch/search?t ... rpt=simage

полевики будут в линейном режиме, сгорит. Для открытия полевиков нужно 10в между истоков и затворов, в этой схеме будет около 2в.
Говносхема.

На схеме явгый пурген со стрелочкой но по моему работать будет..

[uquote="Energizer-A",url="/forum/viewtopic.php?p=4357017#p4357017"]Сходу на мосфет[/uquote]
Ну MOSFET не IGBT все таки, управлять p каналом тоже не так просто....
Во васяком случае схему касьяна я собрал нормальной работы добиться не удалось...
Схема из даташита рабатет на tip142 идеально нужно понять как раскачать базы мощных npn, частота всего 50кГц. Нужно какие то дарглинтоны искать наверно, заведомо неподдельные...

Добавлено after 3 minutes 57 seconds:
[uquote="Energizer-A",url="/forum/viewtopic.php?p=4357034#p4357034"]На схеме явгый пурген со стрелочкой .[/uquote]

Поясните, не понял!

Energizer-A писал(а):но по моему работать будет..

Не будет, сигнал на затворах будет 2-5в, мало.

По касьнову не получиться сгорят полевики, надо ограничивать на затворах

[uquote="zanderid",url="/forum/viewtopic.php?p=4357036#p4357036"]нужно понять как раскачать базы мощных npn[/uquote] Думаю, в общих чертах, сначала надо измерить фактический коэффициент усиления транзистора при максимальном токе, который будет протекать через него в вашем устройстве. ХЗ, что там за транзисторы Вам достались. Про это много написано, найдёте. Соответственно, в базу транзистора надо будет вогнать ток, который меньше тока коллектора пропорционально коэффициенту усиления. Но в литературе встречал коэффициент базового тока для режима насыщения в ключевом режиме, равный 2.
Т.е. максимальный рабочий ток коллектора делите на коэффициент усиления, умножаете на 2 и получаете ток базы для гарантированного насыщения транзистора. Навскидку, у TIP35 при максимальном токе коллектора коэффициент усиления около 30. Надо Вам нагрузить 20 ампер на транзистор. Значит, в базу надо подать (с учётом коэффициента=2) 1,3 ампера. А в три параллельных транзистора надо суммарно дать 4 ампера. Многовато для BD140.
Только вот не знаю, прокатит ли эта теория в схеме Шиклаи?

А если попробовать ТГР ом надуть в затворы типа как в сварочниках?? Не оптику же лепить итить.
ЗЫ - про стрелочку я сам запостил схему, а потом сам увидел шляпу в рисовании стрелочки на транзисторах мощи - она не туда.. и начал сомневаться в адеквате рисовалы.. а теперь и гуру замочили афтара..
Не наверное глуплю..

Agaev писал(а):TIP35 при максимальном токе коллектора коэффициент усиления около 30. Надо Вам нагрузить 20 ампер на транзистор. Значит, в базу надо подать (с учётом коэффициента=2) 1,3 ампера.

Да, с этого я и начал! посмотрел по даташиту, максимальный ток на базе 5А. Взял один транзистор и дунул на базу в линейном режиме 4А, нагрузил нихромовой проволокой и получил 10А при 12вольтах и это максимум дальше выходит из строя. Попробовал в импульсном режиме, результат примерно тот же. От сюда и вопрос, какие условия нужно создать для транзистора, что получить показатели близкими к даташиту... ? Может так станет ясно в транзисторах дело или в недостаточном насыщении

ps/ 4 вольта в строке коэф.усилинеия что значит?

Делал когдато по типу касьяна, только на лм2575, ставил резистор47 ом и стабилитрон 12 какойто импорт между затворами.

Тип35 ставлю на автоусилки, нормально работают. Скорее подделка у тебя. Где брал, на алиэкспрессе? )))

[uquote="vlasovzloy",url="/forum/viewtopic.php?p=4357169#p4357169"]Тип35 ставлю на автоусилки, нормально работают. Скорее подделка у тебя. Где брал, на алиэкспрессе? )))[/uquote]

Да, брал там у двух разных продавцов. Сейчас пришли от сюда https://www.digikey.es как понять, что они настоящие?

если попробовать тип142 вроде цена та же, усиление кратно выше ..будут Дарлингтона в этой схеме работать не знаю .. а почему нет?

[uquote="Energizer-A",url="/forum/viewtopic.php?p=4357211#p4357211"]если попробовать тип142 вроде цена та же, усиление кратно выше ..будут Дарлингтона в этой схеме работать не знаю .. а почему нет?[/uquote]

Как я писал выше, один транзистор tip142 отлично работает, то что бы получить 60А их нужно штук 8... ну допустим... Но почему не работает Tip35c хочется понять

У тебя даже microcap показывает что транзистор находится в линейном режиме.
Далее считаем - падение на Q1 - 0.7В + падение на КЭ Q2-3-4 0.7В (в идеальном случае) = 1.5 х 20 А = 30Вт ... Оно точно надо так, или лучше всё таки MOSFET ? А там где-то и про 60А речь шла.

Чтобы транзистор загнать в насыщение надо чтобы на базе было напряжение относительно эмиттера. А его не может быть, т.к. открывающийся транзистор подтягивает Э к К, сокращая тем самым напряжение Б-Э. В итоге получается линейный режим. Чтобы был ключевой режим - надо отдельный источник или иного рода дополнительное смещение (суть потери на тепло).

Переделывай схему на полевик, N-канальный с bootstrap-конденсатором.... (ну или с трансформаторной развязкой, по желанию...)
Там и потери на тепло резко сократятся ( даже 60 А * даже 0.1 Ом открытого канала = всего 6Вт )

> Взял один транзистор и дунул на базу в линейном режиме 4А, нагрузил нихромовой проволокой и получил 10А при 12вольтах и это максимум дальше выходит из строя.

Был отдельный источник, чтобы подать ток на базу и отдельный источник для нагрузки ?
Вангую, что проверка была по схеме с общим эмиттером, а не с общим коллектором (как в целевой схеме).
Результаты проверки в одной схеме не применимы к другой.

pavel2000 писал(а):У тебя даже microcap показывает что транзистор находится в линейном режиме.

Да, как я не пыхтел загнать их в сатурацию так и не получилось, подумал что если на максимальных режимах микрокап не пишет перегрев, то работать будет..

pavel2000 писал(а):Переделывай схему на полевик, N-канальный с bootstrap-конденсатором.... (ну или с трансформаторной развязкой, по желанию...)

выбранная схема привлекает своей простотой и широким диапазоном регулировки напряжения N'канальные мосфеты тоже вариант , но тут придется городить драйверы, доп. питание и пр.