Форум РадиоКот

Речь идёт об использовании мосфета - как линейного стабилизатора. Предполагается сделать систему управления с ОС на источник питания - чтобы подача на вход стабилизатора была наименее отличающейся от нужного выхода, - и чтоб "линейный стабилизатор" наименьше грелся.

[uquote="astrahard",url="/forum/viewtopic.php?p=4432459#p4432459"]rail to rail к затвору MOSFET. А, rail to rail для "безболезненного" достижения параметра MOSFET такого как пороговое напряжение затвора[/uquote]

- хорошая идея!
- что нам это даёт?:

Порог открытия мосфета может иметь значение - когда не хватает напряжения для его открытия, а я предполагаю напряжения - 12, 5 и 3.3 (не показатель) вольт - чего вполне хватит для управления компаратором и любым затвором.

Rail-to-Rail означает, что для этого ОУ входные и/или выходные сигналы могут достигать по величине напряжений питания.

То-есть: компаратор можно питать от линий питания возле мосфета - и разница от напряжения на затворе будет очень мала.

Далее: как это влияет на полное открытие?:
Если мосфет не открывается на полную - компаратор добавляет ему напряжения на затворе. Как на это влияет "Rail to Rail"? - ни как. Напряжение между стоком и истоком мосфета может быть гораздо ниже наименьшего напряжения между затвором и истоком - и плясать от напряжения мосфета - та-ещё затея... Может я чё-то не понимаю?..

Компаратор/ОУ питаться будет от выхода стабилизатора (или вообще от отдельных 12в).

MOSFET бывает в продаже как N-канальный, так и P-канальный. Кроме того, существуют несложные схемы сдвига уровня и гальванической изоляции "для бедных", есть такой тип гальванической изоляции.

Пошлый LM358 не подойдёт?

[uquote="Levontay",url="/forum/viewtopic.php?p=4432885#p4432885"]Речь идёт об использовании мосфета - как линейного стабилизатора. Предполагается сделать систему управления с ОС на источник питания - чтобы подача на вход стабилизатора была наименее отличающейся от нужного выхода, - и чтоб "линейный стабилизатор" наименьше грелся.[/uquote]
Идея изначально бредовая.
1. Лоу дроп стабилизаторы склонны к самовозбуждению и поэтому весьма требовательны к реактивному импедансу нагрузки.
2. ЛЮБОЙ стабилизатор имеет ограниченный диапазон входных напряжений.
3. Входное напряжение всей цепочки стабилизаторов будет ограничено диапазоном входных сигналов ПЕРВОГО стабилизатора.
4. Последовательное соединение стабилизаторов с попыткой регулировки через ОС предыдущего в цепочке неизбежно приведет к самовозбуждению, ибо увеличит усиление и сдвиг фазы в петле регулирования.
[uquote="Levontay",url="/forum/viewtopic.php?p=4432898#p4432898"]Я щас посмотрел: микросхемы имеют потолок по температуре в 150 градусов - а я "проходил путь" на совдэповских биполярных транзисторах - где при семидесяти градусах они сгорают....[/uquote]
Это тоже чушь.
Температуре ЧЕГО - корпуса или кристалла? 150 градусов это предел для КРИСТАЛЛА. При такой температуре корпуса кристалл уйдет далеко за 150 и будет зависеть от выделяемой мощности и температурных сопротивлений корпуса и теплоотвода.
Предельная температура кремниевой элементной базы примерно одинакова. Разница только в температурных сопротивлениях кристалл-корпус-среда.

Не нужно КРАМ запугивать людей обрушая тем самым рынок.

Levontay, схему нарисуй...
я вижу 2 варианта:
1) общий исток (как схема ОЭ у биполярного транзистора) - в + шину ставится P-mosfet, ОУ для открытия дает отрицательное смещение на затвор.... такая схема склонна к возбуждениям в режиме с низким падением на транзисторе, т.к. в этом режиме нужно для малого изменения сопротивления канала (т.к. оно и так уже малО) вкачать приличный заряд в затвор, это занимает время, и из-за этой задержки система теряет стабильность.
2) общий сток = истоковый повторитель (схема ОК = эмиттерный повторитель у биполярного транзистора) - в + шину ставится N-mosfet, на затвор подается напряжение выше напряжения стабилизации на напряжение открытия мосфета... нужен отдельный источник питания с напяжением выше стабилизируемого, кроме того схема медленно реагирует на резкое изменение потребления.