Форум РадиоКот

Доброго времени суток, уважаемые форумчане! Помогите пожалуйста, объясните на пальцах как при помощи осциллографа измерить заряд затвора IGBT ? Дело в том, что я пишу магистерскую работу и хочу так сказать произвести входной контроль выбранного транзистора, а то сегодня очень много подделок. Ну и собственно, нашел статьи в которых люди это делают, но я не понимаю четкой последовательности, что и как подключать. Вот пример одной из статьи https://power-e.ru/components/chto-neob ... vera-igbt/ заранее благодарен.

Измеряете ток, ток·время = заряд.
В чём проблема?

Нужно найти площадь под кривой тока заряда. Померьте напряжение на затворном резисторе, пересчитайте в ток и вычислите площадь.

Объясните пожалуйста, по какому принципу выбраны точки 1 и 2 в руководстве Infinion при расчёте потерь для IGBT транзистора.

gujjiver, 1 - первая точка линейного участка, 2 - наиболее дальняя от первой, что бы точнее определить наклон.

Спасибо Alex-lab всё получилось, разобрался как это работает. У меня есть ещё вопрос, как правильно записываются (обозначаются буквенно) потери управления для транзисторов?

Никогда не видел такого параметра ни в одной документации на транзисторы.
Наверное, потому что это невозможно стандартизировать, поскольку есть куча нюансов.

gujjiver, Не вполне понятно, что вы имели ввиду. Если потери на переключение, то они называются Turn-on/Turn-off energy.

Я спросил поскольку нашёл упоминания об этих потерях в книге "Силовая электроника от простого к сложному" Б.Ю Семенова, и хотел узнать как это обозначается в англоязычной литературе, конечно я сам лично не сталкивался с расчётом таких потерь и упоминаниях о них.
Также хочу ещё узнать, что подразумевает эта надпись в графике SOA для транзистора FGA25N120ANTD. Дословно она переводится так "Кривые должны быть снижены линейно с увеличением температуры" и как получается будет выглядеть SOA для температуры, скажем, 125 C.
Добавлено after 1 minute 13 seconds:

gujjiver писал(а):нашёл упоминания об этих потерях

Я думаю это идет из времен мощных биполярных транзисторов, где ток управления был значительным, т.к. усиление было очень низким.
Там же Семенов пишет, что для транзисторов с затворами этим можно пренебречь. Но формально ничто не мешает посчитать эти потери.

gujjiver писал(а):то подразумевает эта надпись в графике SOA

Точно сложно сказать, но выглядит так, как будто если температура повышается в 2 раза, ток должен быть в 2 раза меньше. Но тут возможно вариации. Там вообще не понятно, в основной таблице указано, что при 25С максимальный ток 50А, а на графике только 25 для DC.