Форум РадиоКот

Помогите пожалуйста разобраться с принципом работы токового зеркала.....Смотрим на схему--задаем ток транзистора Т1 с помощью резистора (например 1ма). Этот ток создаст на переходе Б-Э транзистора Т1 (по сути включенным диодом) соответствующее падение напряжение (допустим 0,6 в). Это напряжение приложено к переходу Б-Э транзистора Т2,следовательно это создаст ток БАЗЫ транзистора Т2 равный току базы Т1 (предположим транзисторы идентичны). Но тогда ток коллектора транзистора Т2 будет равен току базы Т2 умноженному на КУ по току транзистора Т2.......,а все книги утверждают что ток коллектора Т2 будет равен току через транзистор Т1,т.е. 1ма. В чем ошибка в моих рассуждениях ? Пробовал спаять на макетке эту схему и конечно получил ток Т2 много больше чем ток через Т1. В чем моя ошибка ?

теория - для идеально одинаковых транзисторов (на одном кристалле и в одном цикле изготовления), а если они просто из одного спич. коробка, то ставь в Э одинаковые резисторы 47-100 Ом, например....

a10 писал(а):Пробовал спаять на макетке эту схему и конечно получил ток Т2 много больше чем ток через Т1. В чем моя ошибка ?

Транзисторы с разными характеристиками попали. Напряжение на коллекторах транзисторов разное, это тоже влияет на характеристики усиления.
При одинаковости характеристик транзисторов, токи баз будут одинаковые и помножив его на одинаковый коэффициент усиления транзисторов то и получим одинаковый ток в коллекторах.
Кроме того, во время измерений могла возникнуть ошибка, если вы ток в цепи Т1 задавали сопротивлением и последовательно с ним включили амперметр, а потом переставили амперметр в цепь коллектора Т2 исключив сопротивление амперметра из цепи Т1, тем самым уменьшив токозадающее сопротивление, конечно ток стал больше.

[uquote="sstvov",url="/forum/viewtopic.php?p=4592300#p4592300"]Транзисторы с разными характеристиками попали.[/uquote]Для проверки этого утверждения можно поменять транзисторы местами и измерить ток в новой конфигурации.

24Natan писал(а):При одинаковости характеристик транзисторов, токи баз будут одинаковые и помножив его на одинаковый коэффициент усиления транзисторов то и получим одинаковый ток в коллекторах.

Дело в том что база Т1 соединена с коллектором,поэтому говорить о токе коллектора Т1 на мой взгляд некорректно,ток не потечет от эмиттера к коллектору (или наоборот)))),он пойдет по перемычке.....Т1 включен диодом и резистор задает именно ток базы (1ма),а тока коллектора просто нет,поэтому мне и непонятно как в цепи коллектора Т2 потечет тоже ток 1ма, это ток БАЗЫ,а ток коллектора больше в КУ по току Т2. В чем я не прав ?

a10, ---Дело в том что база Т1 соединена с коллектором,поэтому говорить о токе коллектора Т1 на мой взгляд некорректно,ток не потечет от эмиттера к коллектору (или наоборот)))),он пойдет по перемычке...---
Есть "режим насыщения" транзистора и в нём есть ток коллектора при напряжении равном базовому .

Перемычка между внешними выводами не одно и то же что замыкание внутри структуры кристалла транзистора.

a10 писал(а):Дело в том что база Т1 соединена с коллектором,поэтому говорить о токе коллектора Т1 на мой взгляд некорректно...

При равенстве напряжений на базе и коллекторе (пусть даже из-за перемычки) коллекторный переход транзистора закрыт (чтобы он открылся нужно прямое смещение больше примерно 0.5В), а значит, транзистор находится в активном режиме и ток коллектора равен B*Iб.
Если транзисторы зеркала одинаковы, находятся в активном режиме, и напряжения Uбэ у них равны, то равны и их коллекторные токи, т.е. ток нагрузки равен управляющему току с точностью до тока базы.