Страница 1 из 1

По работе драйвера PN7001L

Добавлено: Пн июн 01, 2026 23:04:35
Ustamab1
Возможно вопрос будет глупым, но всё же его задам. Как я понимаю, драйвер передаёт поступающий на него сигнал увеличивая его ток или напряжение, или то и другое одновременно. А с этим драйвером у меня возник ступор потому, что либо перевод с китайского (даташит на китайском) у меня получился кривой (либо я не так понял).

В общем я понял так, что при подаче на 3 вывод IN+ высокого уровня, микросхема сама должна генерировать сигнал определённой частоты и формы(не важно какой, важно что не сигнал на неё подаётся, а команда).

Просто на наружном блоке инверторной сплит системы сгорел транзистор раскачки катушки индуктивности (типо корректор коэффициента мощности), этот транзистор управляется через pnp транзистор этой микросхемой. После замены сгоревшего транзистора на 5 выводе микросхемы сигнала нет и напряжение 0 Вольт, а на 3 выводе микросхемы есть постоянное напряжение(не сигнал) примерно 0.7-0.8 Вольта (смотрел старым осликом).

Вопрос, при таких условиях PN7001L должна генерировать сигнал или нет?

Re: По работе драйвера PN7001L

Добавлено: Пн июн 01, 2026 23:22:24
Zapolyarny
Ustamab1 писал(а): Пн июн 01, 2026 23:04:35 В общем я понял так, что при подаче на 3 вывод IN+ высокого уровня, микросхема сама должна генерировать сигнал определённой частоты и формы(не важно какой, важно что не сигнал на неё подаётся, а команда).
Нет. Картинка внизу на странице 4 спецификации. Можно сказать, что это Push-Pull повторитель. Что пришло на вход - то будет на выходе. Это так же подтверждается в таблице описания выводов:
IN+=“L” OUT=“L”
IN+=“H” OUT=“H”
Перевод с китайского:
PN7001L — это одноканальный высокоскоростной драйвер затвора силовых MOSFET и IGBT транзисторов нижнего плеча. Выход PN7001L обеспечивает импульс пикового тока 3,5 А, а типичная задержка распространения сигнала от входа к выходу составляет 20 нс. Входной вывод IN+ микросхемы поддерживает управление сигналами уровня 3,3/5 В и обладает хорошей помехоустойчивостью. Драйверный каскад микросхемы выполнен по HVCMOS-структуре с сопротивлением в открытом состоянии 1,4/0,8 Ом верхнего/нижнего транзистора соответственно.
То есть, никаких внутренних генераторов на выход, только защита ULVO.