Форум РадиоКот

Короче баловался со схемкой, превращающей микросхему DRAM в матрицу фотика. Результат, как и следовало ожидать, не вдохновил нихрена. Изображения фуфловые, плюс долбатсо с оптикой... проще выковырить с телефона или вебку купить. Хотя весчь занятная(ну можно из неё сделать датчик интерферометра, например). Но тут пришла в голову такая мысля. Ведь пролёт высокоэнергетичной частици должен пробить кондёр, то есть изменить состояние ячейки как и квант света, тока раскурочивать корпус микросхемы при этом не нужно. То есть микросхема-готовый счётчик Гейгера. Так вот, впаял я в схему нераскуроченную микросхему, поднёс к рентгеновской трубке и... всё заработало! Ячейки памяти полностью стираются за несколько микросекунд, вот. Поднёс к образну(эталон из какогото фабричного дозиметра) чуток реагирует. Так вот я недоганяю, какого хрена микросхема реагирует только на высокие уровни облучения??? Поидее одна частица должна "засвечивать" несколько ячеек, а поскольку ячеек достаточно много(большая площадь кристала), должен получиться неплохой датчик. Но почемуто нихрена не получается. Может там какаято защита от радиации? Кто что думает по этому поводу? Ведь идея неплохая, микросхемой можно управлять от контроллера, не нужно преобразователей напряжения и т.д.

Если бы микросхемы памяти реагировали бы на пролеты отдельных частиц, то функционирование компьютеров и т.д. было бы не возможно. Может быть корпус экранирует, или какие схемные решения придуманы - я не знаю.

Чуть-чуть погуглив нашел следущее:" В настоящее время основной источник случайных ошибок в микросхемах DRAM - электрические возмущения, вызванные космическими лучами - потоками высокоэнергетичных элементарных частиц, приходящими из космоса." И ещё: "Эксперимент, проверяющий степень влияния космических лучей на появление ошибок в работе микросхем, показал, что соотношение “сигнал–ошибка” (signaltoerror ratio — SER) для некоторых модулей DRAM составило 5950 единиц интенсивности отказов (failure units — FU) на миллиард часов наработки для каждой микросхемы." Короче технология современных микросхем ставит крест на моей идее. Остаётся надежда на древнющие микрухи, но у них другой бок:"При исследовании были обнаружены частицы тория и урана в пластмассовых и керамических корпусах микросхем, применявшихся в те годы." Так что, похоже, тема закрыта .

DimonPhysic писал(а):для некоторых модулей DRAM составило 5950 единиц интенсивности отказов (failure units — FU) на миллиард часов наработки для каждой микросхемы."

Что-то я не понял. Какой миллиард часов? Это более 100000 лет. Эти микросхемы стояли в древних компах, найденых в захоронениях фараонов?

Гыы, реально прикольно. Хотя с другой стороны, микросхем наверное было в эксперименте штук сто, плюс в среднем будем считать, приходился один отказ на микросхему за время исследования, тогда длительность эксперимента: 100000/5950/100. Итого 61 день. Не так уж и долго... Таким образом, чтоб использовать подобный счетчик Гейгера нужно: 600 000 000 микросхем(для регистрации естественного фона пару пролётов в секунду) . Логика позволяет заключить, что спиливание корпуса и прочая магия не позволят поднять чувствительность на девять порядков. Реальней тогда уже взять мощный транзюк, площадь кристалла которого гдето равна площади кристалла DRAM и ввести его в лавинный режим. Но это другая тема...

DimonPhysic писал(а):100000/5950/100. Итого 61 день.

Как тут 61 получилось? 100000 это откуда? И почему в результате дни получились?

Блин, SeregaT, вы жжоте . Где то на 100000 лет приходится 5950 отказов в пересчёте на один корпус. Или, по другому, один отказ в 100000/ 5950=16 лет на один корпус. Для ста(ну пусть их было сто, я ипу сколько их там было) корпусов получим 16/100=0,16 года на один отказ, или умножая на 365 дней получим 0,16*365=58 дней, естесственно с погрешностью в разы для доверителной вероятности в 60% . И чего это вас так зацепило?