Форум РадиоКот

Объясните пожалуйста некоторые моменты работы ТТЛ и ЭСЛ схем.

Вот например ТТЛ: http://en.wikipedia.org/wiki/File:7400_Circuit.svg


Какой смысл в каждом транзисторе... входной многоэммитерный транзистор работает в режиме отсечки... или как происходит, что при высоких уровнях на входе течет ток из базы в коллектор(через колекторный переход). Дальше целых 3 тран-ра, что это дает? можно было бы одним ограничиться. Не понимаю в общем... в книгах(напр Титце и Шенк) не особо четко (для меня) описан смысл каждого элемента. Где "Объясните эту часть" выделе то, что в Титце и Шенк вообще нету(вместо этого резистор поставили)... у меня в лекциях написано, что для разряда емкостей переходов основных транзисторов(T2 и T4(возможно T3) ...

Еще вопросы по ЭСЛ, что там вообще происходит, стоит ДУ.. какие транзисторы в цепке(соеденены эммитеры)... млин.. про ДУ читал... про транзисторы тоже читал( и схемы ключевые)... объясните пожалуйста как это работает, я не умею анализировать схемы нормально такие.

Основное.
В ТТЛ первый транзистор работает в инверсном режиме.

Про ЭСЛ

EnRix писал(а):по ЭСЛ........ про транзисторы тоже читал( и схемы ключевые)

Вся тонкость в том, что там транзисторы работают не в ключевом режиме, а в линейном.

Вот все основные особенности.
Дальше можно почитать про свойства транзистора в инверсном включении, а для ЭСЛ понять, что в линейном режиме транзисторы имеют большее быстродействие.

Рекомендую справочник Шило, там довольно подробно все описано. Еще книги Бирюкова по микросхемам КМОП и ТТЛ (про ЭСЛ, правда, нет).

Много заморочек было из-за того, что умели хорошо делать только транзисторы n-p-n, поэтому не очень обычная схема.

В инверсном режиме(коллекторный открыт, эммитерный заперт), работает все время.. или только при высоких уровнях сигнала...

TTL реализует логику И-НЕ как я помню... в ЭСЛ ИЛИ-ИЛИ-НЕ написано, или это опечатка в Титце и

Шенке(в книгах типа Степаненко(Основы теор.тр.) или Гусев...слабо про ключи... да и Титце шенк мало написали и тоже слабо)

Обычный транзисторный ключ описан тоже так себе... вообще эта солянка в книгах по электронике меня достает просто.

Речь идет об этой книге: Шило В.Л. - Популярные цифровые микросхемы. Справочник. ?

У меня вот вопрос, нашел понятие глубины насыщения у ключевых транзисторных схем. На какие свойства и как глубина насыщения транзисторного ключа влияет?

Забавно, что Степаненко её определяет как N = Iб-Iб.н./ Iб.н.(т.е. относительный прирост) У нас на лабах это определялось как S = Iб1/Iб.н. (просто отношение тока базы, превышающего ток насыщения)