Форум РадиоКот

Подскажите как в современных даташитах обозначается коэфициент усиления? Смотрю даташит на IRF740 и нигде немогу найти h21э...

А Вы разницу между биполярными и полевыми транзисторами знаете?

Cybermouse писал(а):на IRF740 и нигде немогу найти h21э...

И где у этого транзистора эмиттер?

Cybermouse писал(а):Подскажите как в современных даташитах обозначается коэфициент усиления? Смотрю даташит на IRF740 и нигде немогу найти h21э...

N-Channel HEXFET Power MOSFET...

На какой-нибудь BC547 даташит...

У полевых транзисторов нет такого параметра как коэфициент усиления?

У них другие параметры... крутизна, сопротивление канала...

У полевых транзисторов, в т.ч. МОСФЕТов (и у радиоламп, т.к. они чем-то похожи), есть некий параметр, обозначающий усиление. Называется "крутизна" (я не шучу!). Или по-иностранному "Forward Transconductance", или Gfs. Равна отношению изменения тока стока к изменению напряжения на затворе (исток-затвор). Измеряется в А/В или в Сименсах. Чем крутизна больше, тем лучше (меньшим напряжением затвора можно открыть и закрыть транзистор). В справочных параметрах указывается, обязательно, но с указанием, при каком напряжении Исток-Сток и Токе Стока снимался. Поскольку крутизна зависит от напряжений и токов, обычно приводится полезный график (вернее, серия графиков) выходных характеристик (ток затвора от напряжения исток-сток, при разных напряжениях исток-затвор). А также график передаточной характеристики (ток стока от напряжения исток-затвор при фиксированном напряжении исток-сток).

Спасиба за хорошие ответы

Нашел Gfs для IRF740, написано 5.8, как это понимать? Больше ли это чем h21э равное 4 у моего КТ812А? И если больше то во сколько раз?

Cybermouse писал(а):Нашел Gfs для IRF740, написано 5.8, как это понимать? Больше ли это чем h21э равное 4 у моего КТ812А? И если больше то во сколько раз?

Это как "теплое" и "мягкое", и их сравнивать, что из них лучше. Если идея состоит в тупой замене KT812A на IRF740, то лучше сразу похоронить эту идею. Грубо говоря, биполярные транзисторы усиливают ток, а у полевых ток затвора ничтожен ( если не учитывать ток заряда паразитных ёмкостей ) и управление происходит напряжением. Кроме того, IRF740 - мощный MOSFET, у которого очень сильная ( и совершенно ненормированная) нелинейность передаточных характеристик, поскольку он предназначен только для импульсных режимов (либо полностью открыт, либо полностью закрыт)

Tolmi писал(а):Кроме того, IRF740 - мощный MOSFET, у которого очень сильная ( и совершенно ненормированная) нелинейность передаточных характеристик, поскольку он предназначен только для импульсных режимов (либо полностью открыт, либо полностью закрыт)

Это большая неправда.
От VGS(th) = 4 В, максимального порога проводимости, до 6 В на затворе у него идеально линейная зона. В этой области MOSFET можно воспринимать как управляемый напряжением резистор.
И только при 8 Вольтах этот транзистор(IRF740) полностью откроется до минимального значения RDS(on) = 0.55 Ом.

sArj писал(а): Это большая неправда

Ну может и неправда, а вот выходная характеристика как это подтверждает?