Страница 1 из 1
Шунтирование для сравнения потенциалов в бип. транзисторе
Добавлено: Пн авг 13, 2012 16:32:00
lightforever
Здравствуйте. Читаю книгу, имеется схема на рис. 6.4. Питание Uвх подключено через ключ как вы видите. Соотвтетственно, если ключ замкнут - работа схемы понятна, если ключ разомкнут, то входной провод на базу висит в воздухе, вследствие чего идут наводки, соответственно ИМХО должен идти ток так же, как и при замкнутом ключе( при изменяющейся амплитуде наводки естественно). Т.е. так, как я показал на рис. 6.5.
Но, автор пишет, что База и эмиттер будут имет одинаковый потенциал (= земля ? ). Не могу понять почему так.


Re: Шунтирование для сравнения потенциалов в бип. транзистор
Добавлено: Пн авг 13, 2012 16:51:03
Котёнок.
Сработает от наводок только если полевой транзистор поставить.

Да и то если там на входе резистор поставить на 4,3 ком, то и в этом случае мощности наводки не хватит, что бы открыть транзистор.
В Вашей схеме точно мощности наводки не хватит для открытия транзистора.
Re: Шунтирование для сравнения потенциалов в бип. транзистор
Добавлено: Пн авг 13, 2012 17:05:07
lightforever
Да автор имеет ввиду, что тут хоть какая мощность наводки будет - всё равно потенциалы базы и эмиттера будут равны. Т.е. не в мощности наводки дело.
Re: Шунтирование для сравнения потенциалов в бип. транзистор
Добавлено: Пн авг 13, 2012 17:12:33
Котёнок.
Так почему Вы нарисовали наводку только на базу?
В точности такая же наводка идет и на общий провод.


Re: Шунтирование для сравнения потенциалов в бип. транзистор
Добавлено: Ср авг 15, 2012 20:53:03
YS
Что такое "наводка"? Наводка это наведенный внешним ЭМП в проводнике ток. Т.е., напряжение на базе будет зависеть от входного сопротивления всей этой системы.
Если база висит в воздухе, то входное сопротивление базы - входное сопротивление закрытого диода (очень большое). Наводка будет пытаться создать ток через него, и в результате на базе установится соотношение напряжение/ток, определяемое мощностью помехи. Ну и таки да, транзистор может приоткрыться, начать греться, etc.
Если мы включаем Rбэ порядка нескольких килоом, то входное сопротивление системы и будет равно Rбэ, т.к. входное сопротивление закрытого транзистора гораздо больше. Ток наводки чрезвычайно мал, и падения напряжения, создаваемого им на резисторе, недостаточно для открывания транзистора. Транзистор надежно заперт.
Вообще ток наводок мизерен. Так что можно считать, что падение на Rбэ - ноль, и, соответственно, потенциалы базы и эмиттера совпадают с большой точностью.
И да, база будет на земле. Отчего на рисунке какие-то плюсы?
Re: Шунтирование для сравнения потенциалов в бип. транзистор
Добавлено: Вт май 20, 2014 21:37:12
Dim130
Тему создавать ради одного вопроса не стал, напишу сюда. Вопрос в следующем, при шунтировании диодов резисторами в схеме выпрямления тока, разве через через эти резисторы цепь не замкнется в обход диодов ?, какой тогда смысл в диодах если обратный ток от генератора пойдет в обратном направлении в обход закрытого диода ?
Re: Шунтирование для сравнения потенциалов в бип. транзистор
Добавлено: Ср май 21, 2014 00:09:53
kalobyte
в схемах выпрямления не ставят резисторы параллельно диодам, только конденсаторы мелкой емкости
Re: Шунтирование для сравнения потенциалов в бип. транзистор
Добавлено: Ср май 21, 2014 00:27:57
Соник
Может быть товарищ имеет ввиду умножитель напряжения на диодах?

Re: Шунтирование для сравнения потенциалов в бип. транзистор
Добавлено: Ср май 21, 2014 00:40:03
Dim130
в книге Р.Сворень-Транзисторы Шаг за шагом (стр. 74) приведен такой пример см. рисунок

вот мне и не понятно, ведь шунтирование таким образом приведет к замыканию цепи в обход диодов.
Re: Шунтирование для сравнения потенциалов в бип. транзистор
Добавлено: Ср май 21, 2014 09:26:08
YS
Ну, я так понимаю, резисторы там должны стоять больших номиналов, так что током, текущим в обход, можно пренебречь.
Re: Шунтирование для сравнения потенциалов в бип. транзистор
Добавлено: Пт май 23, 2014 14:00:55
Gudd-Head
Dim130 писал(а):вот мне и не понятно, ведь шунтирование
А это и не шунтирование вовсе. Это вырванивание напряжений на диодах чтобы ненароком не пробило из-за превышенного обратного напряжения.
И, да. Они достаточно высокоомные.
Re: Шунтирование для сравнения потенциалов в бип. транзистор
Добавлено: Пн янв 18, 2016 08:53:05
ivan.groznyy
Всем добрый день . Собрал схему ( первая моя схема ) всё работает , но возникли вопросы . Почему без диодов D2 и D3 напряжение на обмотке реле 2.5 вольта , а на управляющих контактах чуть больше 6 вольт . Сразу говорю что управляющие контакты не подключены к источнику питания а напряжение на них откуда то есть . С диодами D2 и D3 напряжение на обмотке ноль , а на управляющих если их замкнуть и разомкнуть сначала ноль и потихоньку поднимается где то до 0.1 вольта , походу заряжается конденсатор. Что изменится если поставить шунтирующий резистор базу-эмиттер ? и какой номинал ставить ?