Форум РадиоКот

в 1961 году была создана первая в СССР полупроводниковая интегральная схема на основе германия. Отчет о данной разработке хранится в архиве ТТИ ЮФУ. Авторами разработки являются Л.Н.Колесов, В.Г.Адамчук, Д.А.Сеченов, Е.Б.Механцев, М.Ф.Пономарев, Г.М.Балим, К.А.Дедюлин, Ю.Ф.Блинов и другие сотрудники ТРТИ.

Первая в СССР полупроводниковая интегральная микросхема была создана на основе планарной технологии, разработанной в начале 1960 года в НИИ-35 (затем переименован в НИИ «Пульсар») коллективом, который в дальнейшем был переведён в НИИМЭ («Микрон»). Создание первой отечественной кремниевой интегральной схемы было сконцентрировано на разработке и производстве с военной приёмкой серии интегральных кремниевых схем ТС-100 (37 элементов — эквивалент схемотехнической сложности триггера, аналога американских ИС серии SN-51 фирмы Texas Instruments). Образцы-прототипы и производственные образцы кремниевых интегральных схем для воспроизводства были получены из США. Работы проводились в НИИ-35 (директор Трутко) и Фрязинским полупроводниковым заводом (директор Колмогоров) по оборонному заказу для использования в автономном высотомере системы наведения баллистической ракеты. Разработка включала шесть типовых интегральных кремниевых планарных схем серии ТС-100 и с организацией опытного производства заняла в НИИ-35 три года (с 1962 по 1965 год).

Stiff писал(а):невыгодно эту хрень производить..... проще купить....

Работы в этом направлении были начаты в ТРТИ (Отраслевой научно-исследовательской лаборатории при Таганрогском радиотехническом институте) в 1958 году

Первые интегральные схемы

У Дж.Килби были более или менее удачливые предшественники. Впервые идею многоэлементной интегральной схемы (ИС) в 1952 году публично огласил на ежегодной конференции по электронным компонентам в Вашингтоне сотрудник Британского королевского радиолокационного управления в Малверне Джеффри Даммер. В 1956 году он пытался реализовать свою идею, но потерпел неудачу. В 1953 году Харвик Джонсон из копании RCA получил патент на однокристальный генератор, а в 1958 году совместно с Торкелом Валлмарком анонсировал концепцию "полупроводникового интегрального устройства". В 1957 году японец Ясуро Тару получил патент на соединение различных транзисторов в одном кристалле. В 1956 году сотрудник фирмы Bell Laboratories Росс изготовил схему двоичного счётчика на основе n-p-n-p-структур в едином монокристалле. Но все эти и другие им подобные разработки имели частный характер и не стали основой для развития интегральной электроники. Развитие в промышленном производстве получили только три проекта – Дж.Килби и Р.Нойса в США и Ю.Осокина в СССР. Первой действительно интегральной схемой Килби, выполненной на одном кусочке монолитного германия, стала ИС триггера Type 502. В ней были использованы и объемное сопротивление германия, и емкость p-n-перехода (рис.2). Презентация ИС состоялась в марте 1959 года. Такие ИС в малых объемах выпускались в лабораторных условиях и продавались в узком кругу за 450 долл.
ИС содержала шесть элементов – четыре так называемых меза-транзистора и два резистора. Меза-транзисторы в виде микроскопических "активных" столбиков возвышались над остальной, "пассивной" частью кристалла. Соединялись они в ИС развариванием тонких золотых проволочек – ненавистная всем "волосатая технология". Особых перспектив у данного подхода не было – проволочные межсоединения сильно ограничивают число элементов ИС, да и германий уже не рассматривался как перспективный материал.
К этому времени (в 1957 году) восемь бывших сотрудников У.Шокли – специалистов компании Shockley Semiconductor (называемые им "восьмерка предателей") основали компанию Fairchild Semiconductor, чтобы разработать технологию массового производства кремниевых транзисторов на основе методов диффузии и химического травления. Именно в этой компании вскоре была создана планарная кремниевая технология (Д.Хоэрни, Jean Hoerni). А работавший в Sprague Electric К.Леховек разработал технологию электрической изоляции компонентов на кристалле посредством обратно включенного p-n-перехода. В 1959 году Роберт Нойс, президент Fairchild и один из будущих основателей Intel, узнав о макете Килби, решил создать интегральную схему, комбинируя процессы, предложенные Хоэрни и Леховеком. Для соединения элементов использовались токопроводящие дорожки из металла, напыленного поверх изолированных двуокисью кремния полупроводниковых структур, и отверстия в изолирующем слое (омические контакты). В итоге после двух макетирований 27 сентября 1960 года изготовили полностью планарный вариант триггера (рис.3).
Для создания серийнопригодных ИС Fairchild пришлось пригласить схемотехника Роберта Нормана, который и заложил основы серии ИС Micrologic, нашедшей первое применение в аппаратуре ракеты "Минитмен". В марте 1961 года Fairchild анонсировала первую опытную ИС этой серии. Примечательно, что ее фото опубликовал журнал Life (рис.4). Еще пять ИС были представлены в октябре. А с начала 1962 года Fairchild развернула серийное производство ИС и поставки в интересах Минобороны США и НАСА.
Компания TI не желала упускать пальму первенства и занялась развитием идеи Килби, но на основе планарной кремниевой технологии. В октябре 1961 года фирма анонсировала серию ИС типа SN-51, а с 1962 года начала их серийное производство и поставки в интересах МО США и НАСА.
Килби и Нойсу пришлось выслушать немало критических замечаний по поводу своих новаций. Считалось, что практический выход годных интегральных схем будет очень низким – ниже, чем у транзисторов (у которых он тогда не превышал 15%). Многие полагали, что в ИС используются неподходящие материалы, поскольку резисторы и конденсаторы делались тогда отнюдь не из полупроводников. С трудом воспринималась мысль о неремонтопригодности ИС – казалось кощунственным выбрасывать изделие, в котором вышел из строя только один из многих элементов. Тем не менее, в 1963 году в США было произведено 500 тыс. ИС, но все они ушли на военные нужды, а на общедоступном рынке появились позже.
Предпосылки появления ИС в СССР

. В 1959 году группа молодых разработчиков КБ Рижского завода полупроводниковых приборов (Карнов, Осокин, Пахомов) создала образцы германиевых ИС – логические элементы “2 ИЛИ-НЕ”.

В том же 1959 году работы по созданию германиевых ИС начались и в НИИ-35 (НИИ “Пульсар”, Москва). В начале 1961 года в НИИ-35 был организован отдел ИС, который возглавил Б.В.Малин. Однако германий для ИС оказался не перспективен. Это быстро поняли и в TI, и в НИИ-35 и перешли на планарный кремний. В августе 1961 г. группу молодых специалистов НИИ-35 (Б.В.Малин, В.А.Стружинский и А.Ф.Трутко) направили на стажировку в США для изучения планарной технологии.
Примерно тогда же появились и гибридные ИС (ГИС). В СССР разработкой гибридной технологии занималось СКБ-2 ГКЭТ в Ленинграде.

Brigadir писал(а):Это неправда: первую ИС сделал я из двух МП39 и залил эпоксидкой! (шучу, я эту схему сделал в 1967 году).

История их начинается в 1962 году, когда главный инженер НИИ радиоэлектроники В.И. Смирнов попросил директора РЗПП С.А. Бергмана найти путь реализации многоэлементной схемы типа 2НЕ-ИЛИ, универсальной для построения цифровых устройств.

Директор РЗПП поручил эту задачу молодому инженеру Юрию Валентиновичу Осокину.

anatol378 писал(а): Толя. Надо было бы делать на КТ315 (начало разработки 1967 год.

anatol378 писал(а):Толя. Про зрение (хрусталик) в курсе.
А я К224 (гибридка в блоке цветности) "делал" на 2Т312 -х.
Было время.

Brigadir писал(а):Хрусталик то видит, а вот второй глаз перебивает отремонтированый по фокусировке(глаза то парами работают, а фокусное расстояние у них разное, надо и второй глаз в ремонт сдавать - тогда буду нормально видеть)

А.Андрей писал(а):А хрусталик искусственный вставили?