Форум РадиоКот

1. Известно, что приграничный потенциал кремниевого p-n перехода 0.6В, германиевого - 0.3В. Но при расчёте каскадов эти величины уже подразумевают как ПОЛНОЕ падение напряжения между эмитером и базой соответствующего транзистора. Правильно ли это?

2. Независимо от потенциала приложеного между эмитером и базой в расчётах падение напряжения на эмитерном резисторе равно: Uэб-0.6В ( 0.3В ). Но разное Uэб по разному модулирует толщину приграничных шаров p-n перехода, а это и есть барьерный потенциал. Мы же в любом случае используем 0.6В ( 0.3В ). Опять же таки, насколько это правильно?

noname Incognito писал(а):1. Известно, что приграничный потенциал кремниевого p-n перехода 0.6В, германиевого - 0.3В.

Это называется контактная разность потенциалов. Она равна разности энергий уровней Ферми в полупроводнике n-типа и p-типа, деленной на заряд электрона. У германиевых диодов она может лежать в пределах 0,2-0,4 Вольта(не более 1 Вольта), у кремниевых чуть больше, около 0,7 Вольт.

noname Incognito писал(а): Но при расчёте каскадов эти величины уже подразумевают как ПОЛНОЕ падение напряжения между эмитером и базой соответствующего транзистора. Правильно ли это?

Вопрос не корректен. Не совсем понятно, что Вы хотели спросить. При расчете каких каскадов? Усилительных? В активном режиме переход Эмиттер-База включается в прямом направлении. А что бы началась инжекция носителей заряда из сильно легированной области эмиттера в базу, необходимо приложить прямое смещение на Э-Б, конечно, более контактной разности потенциалов. Необходимо помнить, что входная характеристика транзистора - ветвь ВАХ диода(примерно), и она имеет сильную нелинейность при малых напряжениях. Стоит это учитывать, подавать напряжения на Э-Б достаточное для вывода рабочей точки усилителя на квазилинейный участок входной характеристики.

noname Incognito писал(а):2. Независимо от потенциала приложеного между эмитером и базой в расчётах падение напряжения на эмитерном резисторе равно: Uэб-0.6В ( 0.3В ).

Что за эмиттерный резистор? У Вас схема с общим коллектором что-ли?

noname Incognito писал(а): Но разное Uэб по разному модулирует толщину приграничных шаров p-n перехода, а это и есть барьерный потенциал. Мы же в любом случае используем 0.6В ( 0.3В ). Опять же таки, насколько это правильно?

Поясните, что есть "приграничные шары p-n - перехода"? Я прошу прощения, но написан бред какой-то..
Да и само название темы - уже вызывает сомнения, может Вы имели ввиду барьерную емкость? Что значит барьерное сопротивление?
Давайте разбираться вместе, только с самого начала. Иначе - ничего не выйдет.
С уважением, Никита.