измерьте другим мультиметром падение напряжение на диоде (транзисторе) при этом. Если очень низкое, значит такой мультиметр.

Проверял тремя тестерами(m838, my64, vc99) - результаты одинаковы.
..судя по даташиту падение от 2.7 до 3.5 вольт.... пробовал подавать до 6 вольт - все глухо

Каким образом Вы "подавали" эти 6 вольт?
Кстати, диод в IGBT чаще всего не перекрывает характеристики самого транзистора. Практика показывает, что ставить внешний лучше.

Да как обычно - подаю с ЛБП через резюк, на резюке измеряю напряжение....
Может быть и так, но я ничего не изобретаю, я просо пытаюсь починить.... а там, в инверторе, стоит пара именно с диодом

поэтому мультиметры и не могут показать падение напряжения на этом диоде, они только до 1999 мВ могут.+ на эмиттер, - на коллектор? Ну и измерять падение напряжения нужно на диоде, а не резисторе.

эээ, откуда такие данные?

Измерил напряжение проверки диодов на мультиметрах - везде около 2.7-2.8 вольт...
..да и какая разница чем мерить, когда он и на 6 вольт не "открывается"??

Да мне несложно вычесть одно из другого... просто подключать так было удобней...

Ну как бы в режиме прозвонки переходов прибор показывает падение напряжения на нём, а на индикаторе помещается максимум 1999.
На щупы для прозвонки выходит порядка 3 вольт, это верно. vc99 может и намеряет чего-то побольше, не знаю, но не намного судя по двум батарейкам в питании. Если от внешнего источника диод не открывается, то значит его там нету, может перемаркер китайский.

Да, действительно, показывают падение только до 2 вольт... как-то раньше даже и не задумывался над этим

Похоже что так - перемаркер китайский....
..т.к. по даташиту 3.5 это при 10А., а так падение должно быть меньше двух вольт и следовательно диод должен прозваниваться...

в IGBT нет внутреннего диода, только встроенный. Чем лучше внешний встроенного?

Я в каком то месте определял конструкцию диода в IGBT?
Какая разница какой он?
Я говорил лишь о его параметрах.
Предельно допустимый ток диода, как правило, ниже предельно допустимого тока IGBT.
По крайней мере в продукции IXIS и IR/Infineon я столкнулся с таким "явлением".
Возможно есть и иные примеры.

Зачастую ещё и динамические параметры очень плохие у этих диодов и только некоторые производители специально встраивают диоды с хорошими динамическими характеристиками, что обычно афишируется мигающими буквами.

P.S. виноват, это к полевикам относится.

в зависимости от семейства IGBT, характеристики диода могут быть разные. Совершенно незачем всегда стремиться к равенству допустимых токов.

И про "всегда" я тоже не говорил. Однако сам по себе диод нужен В ЗНАЧИТЕЛЬНОЙ ЧАСТИ для резонансных применений, когда ток транзистора равен току диода.
И это расстраивает.
Что характерно, та продукция IXIS, которую я использовал лет 5 и которая содержала диод практически равный по параметрам транзистору, СНЯЛИ С ПРОИЗВОДСТВА, а взамен предлагаются совместимые варианты, но БЕЗ ДИОДА (диоды во вновь выпускаемых изделиях с диодами сильно хуже транзистора). Что кагбэ намекаэ на определенные проблемы в этой тематике...
Правда, я интуитивно чувствовал такой подвох, поэтому заложил в топологии печатной платы параллельные транзисторам диоды...

в принципе вашу фразу «как правило, ниже» можно широко трактовать, т. к. у каждого свои правила.


не соглашусь. Можете привести примеры?

Первый - 160 против 50
Второй - 115 против 30
Импульсные предельные характеристики на диод вообще не нормируются.
ЗЫ.
Можно, если не учитывать контекст.
Или манипулировать субъектом.
В одном случае речь о производителе транзисторов, а в другом о человеке использующем эти транзисторы.

Первый — 30 А против 50 А (диод).
Второй — токи равны.

Вы сравниваете максимальный импульсный ток коллектора с заданной длительностью с максимальным значением прямого тока обратных диодов. После этого вы что-то нормально проектируете? Вот и говорю, что у вас свои правила, которые вы трактуете так, как вам заблагорассудится.

Если на диод не задан ток при 25 градусах, то на него распространяется параметр при 110
То есть даже постоянный ток (хотя какой такой постоянный ток в резонансной схеме?) в первом варианте при 25 градусах 70 против 50. А во втором 60 против 30.
Если взять внешний диод фаст рековери, то легко получаем не только постоянный ток равный транзистору, но и импульсный.
К слову об импульсном токе. При синусоидальном токе вертикальной стойки IGBT (резонансная нагрузка), через диод и транзисторы течет как раз импульсный ток со средним значением равным амплитуде тока/3,14... То есть максимальное значение амплитудного тока по даташиту является весьма актуальным не только для транзистора, но и для диода...

ЗЫ. После этого вы что-то нормально проектируете?
IGBT и так не дешевое удовольствие, а выбирать транзистор по параметрам встроенного диода как то совсем не бюджетно.

конкретно в ваших приведённых примерах ток через диод указан при 110°C и он выше или равен току через транзистор.


30 против 50 и 30 против 30, всё как я и писал ранее.


так и встроенные диоды также импульсный ток в 2-3 раза выше максимального, просто его не всегда указывают.


внутри транзистора такой же кристалл диода, что и в отдельном корпусе. Просто допустимые значения для встроенного немного ниже, т. к. у них с транзистором один на двоих теплоотвод.


максимальный ток, а не импульсный. Импульсный характеризуется малой длительностью и большим соотношением.


подбирать транзистор, в вашем случае, надо исходя из максимального тока, а не импульсного. В этом плане если транзистор подходит, то диод точно (на ваших примерах).


IGBT дороже MOSFET, т. к. площадь кристалла меньше при эквивалентных параметрах. В остальном вы просто неправильно выбираете.

Меня не интересуют параметры при 110 градусах. Поэтому не интересует и сравнение на этой температуре.
Зато меня интересует температура 25 градусов. На ней я и сравниваю.
Таким образом, ВЫ НЕ ПРАВЫ.


То, что не указано в даташите - НЕ СУЩЕСТВУЕТ. Экстраполяция тут совершенно негодный способ разработки. Совершенно не очевидно, что диод вообще держит ток выше предельного непрерывного хоть какое то время. Даже в обыкновенных резисторах (уж куда проще) есть СПЕЦИАЛЬНЫЕ типы, которые нормируются по импульсной мощности. Имею богатейший опыт общения с поставщиками резисторов, которые сами не ведают что продают...

Причем тут теплоотвод? Импульсные токовые характеристики связаны с образованием токовых тепловых пятен в ЛОКАЛЬНОЙ области кристалла. Никакой теплоотвод не может увеличить предельное значение импульсного тока.


Что за самопридуманные определения? Импульсность определяется не скважностью, а формой. Формы тока с названием "максимальный" не бывает. Максимальным бывает ЗНАЧЕНИЕ тока.
Если иного особо не указано, предельное значение импульсного тока ограничено временем его действия ПРИ УСЛОВИИ ВЫПОЛНЕНИЯ ОГРАНИЧЕНИЙ ПО МАКСИМАЛЬНОМУ СРЕДНЕМУ ТОКУ ЗА ПЕРИОД.


В моем случае нужно, чтобы амплитуда тока в нагрузке была 100...120 А. Поскольку это режим относительно кратковременный, транзистор остается совершенно холодным. Среднее значение тока за период выходной синусоиды в Пи раз меньше амплитудного. То есть всего 40 А. Диод в транзисторе ПО ДАТАШИТУ не держит 120 А. Ни при какой длительности и температуре.
Значит выбор по предельным параметрам транзистора НЕВОЗМОЖЕН.

Может и неправильно, но изделия работают. И транзисторы в них работают согласно требованиям даташита, а не их фантазийному восприятию...

у вас водяное охлаждение? Можете сравнивать при 25 °C. При этом максимальный ток диода примерно раза в 2 выше. То на то и выходит и ваши доводы несостоятельны. Это видно по спецификациям, где указаны параметры диода при 25 °C и 110 °C.


существует. Я знаком с множеством статей, где определяют параметры различных семейств транзисторов и выявляют их характеристики, которых или нет в спецификации или они там в упрощённом виде. Самое главное вы сравниваете ток транзистора при 25 °C с током через диод при 110 °C и говорите что диоды не выдерживают необходимый ток. Где тут логика? Да и вообще у вас не импульсные установки, а обычные преобразователи, где максимум импульсный ток может быть привязан к защите от КЗ и всё. Вам необходим максимальный ток. Вы пошли неверной дорогой.


ещё сложность в том, что вы не ведаете, что спрашиваете, по аналогии с IGBT.


это справедливо при импульсном токе с очень малой периодичностью, когда температура кристалла успевает снизится до первоначальной. Опять не ваш случай. Хотя, повторюсь, импульсный ток к вашим преобразователям не применим.


«импульсный сигнал (и. с.) — кратковременное изменение физической величины Основными параметрами, определяющими свойства и. с. являются: длительность , амплитуда — величина максимального отклонения от определенного уровня, длительность (протяжённость) фронта и среза (спада). Повторяющиеся во времени и. с. характеризуются периодом (пли частотой) повторения, а такжe скважностью, определяемой как отношение периода повторения к длительности импульса».
как видим, много чем определяется. Вы должны чётко понимать отличие импульсного тока от максимального, который указан в спецификациях.


это идёт уже придирка к словам, т. к. писать «максимально допустимый постоянный ток коллектора» как-то накладно в данном общении.


а не 0,637 от амплитудного?


это в вашем случае не возможен, т. к. вы своим аршином измеряете параметры. Надо определиться с базовыми определениями, а то далеко всё зайдёт.


наоборот. Поторопился с набором текста.