основное подозреваю это в малошумящих микровольтовых усилителях (mosfet на порядки шумнее jfet/jbt) и линейность у mos в областях малых токов тоже сильно хуже.
ну и да, всякие схемотехнические удобства связанные со встроенным каналом, напр генераторы тока с 1fet+1резистор итп. (mos со встроенным каналом или скажем симметричные mosfet - большая редкость, если не сказать больше)), по крайней мере в виде дискретных компанентов )
Заголовок сообщения: Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд
Добавлено: Вс окт 01, 2023 18:46:53
Встал на лапы
Зарегистрирован: Пт сен 22, 2023 11:11:07 Сообщений: 105
Рейтинг сообщения:0
Помогите пожалуйста. Вроде бы всё делаю правильно. Но Proteus как-то криво эмулирует работу P транзистора. Пульс 1Гц 0-0В и 1-5В. Светодиод в эмуляции моргает на пару миллисекунд. А должен Вкл и Выкл.
Черепашка, это особенности симулятора. Кинь с точки съёма осциллограммы большой резистор (1 МОм и более) на землю.
_________________ [ Всё дело не столько в вашей глупости, сколько в моей гениальности ] [ Правильно заданный вопрос содержит в себе половину ответа ] Измерить нннада?
Заголовок сообщения: Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд
Добавлено: Пн окт 02, 2023 07:52:18
Встал на лапы
Зарегистрирован: Пт сен 22, 2023 11:11:07 Сообщений: 105
Рейтинг сообщения:0
Да, всё заработало. Спасибо.
Я пытаюсь создать логический элемент, скоростной 1/8000000 сек. 10И элементов. Я правильно мыслю? Вот например на 2 элемента схема. На 10 же должна будет работать тоже?
Обязательным условием долгой и стабильной работы Li-FePO4-аккумуляторов, в том числе и производства EVE Energy, является применение специализированных BMS-микросхем. Литий-железофосфатные АКБ отличаются такими характеристиками, как высокая многократность циклов заряда-разряда, безопасность, возможность быстрой зарядки, устойчивость к буферному режиму работы и приемлемая стоимость. Но для этих АКБ очень важен контроль процесса заряда и разряда для избегания воздействия внешнего зарядного напряжения после достижения 100% заряда. Инженеры КОМПЭЛ подготовили список таких решений от разных производителей.
Черепашка, при ваших номиналах Q2,Q4 будут насыщаться и жестчайше тормозить на выключениях, также затворы будут дико медленно разряжаться около порога через 47k. возьмите инвертор с двухтактным выходом напр 74hc04 а лучше более мощный и его выходами управляйте затворами ваших p-fet, это будет много лучше.
а вообще для ~10MHz скоростей лучше взять 4OR или 4NOR (а лучше 4NOR x3 + 4NAND x1 =12OR ) элементы и сделать 2 каскада (3 в случае NOR-NOR) из серий 74lvc,hc,...
Компания EVE выпустила новый аккумулятор серии PLM, сочетающий в себе высокую безопасность, длительный срок службы, широкий температурный диапазон и высокую токоотдачу даже при отрицательной температуре.
Эти аккумуляторы поддерживают заряд при температуре от -40/-20°С (сниженным значением тока), безопасны (не воспламеняются и не взрываются) при механическом повреждении (протыкание и сдавливание), устойчивы к вибрации. Они могут применяться как для автотранспорта (трекеры, маячки, сигнализация), так и для промышленных устройств мониторинга, IoT-устройств.
Заголовок сообщения: Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд
Добавлено: Пн окт 02, 2023 14:34:15
Встал на лапы
Зарегистрирован: Пт сен 22, 2023 11:11:07 Сообщений: 105
Рейтинг сообщения:0
Да, спасибо. Получается если взять две микросхемы 74HC30 8И-НЕ и одну SN74LVC1G02 1ИЛИ-НЕ получается неплохо по скорости. Вроде должны выдержать 8МГц и даже 10МГц
Я пытаюсь создать логический элемент, скоростной 1/8000000 сек. 10И элементов. Я правильно мыслю? Вот например на 2 элемента схема. На 10 же должна будет работать тоже?
Вот так будет работать то, что ты нарисовал, на 10 килогерцах (а на мегагерцах): сверху вход, снизу выход.
Поэтому дуру не гони, ставь нормальный симулятор, изучай структуру существующих базовых логических элементов, выясняй параметры интегральных транзисторов, сравнивай их с параметрами дискретных транзисторов, делай модели интегральных транзисторов, составляй схемы известных логических элементов в симуляторе, исследуй их, добейся примерного совпадения параметров твоих моделей с реальными элементами разных типов. "И вот тогда из слёз, из темноты, из бедного невежества былого" может быть достанет способностей на капельку улучшить что-то существующее.
ПЛИС возьми и не парься. Или даже контроллер пошустрее.
_________________ [ Всё дело не столько в вашей глупости, сколько в моей гениальности ] [ Правильно заданный вопрос содержит в себе половину ответа ] Измерить нннада?
Заголовок сообщения: Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд
Добавлено: Чт окт 05, 2023 07:38:17
Встал на лапы
Зарегистрирован: Пт сен 22, 2023 11:11:07 Сообщений: 105
Рейтинг сообщения:0
ну никак я не разберусь в теории полевых транзисторов.
Ещё один вопрос. Есть схема от переполюсовки на полевом транзисторе.
у меня питание двух 18650.
Подобрал транзистор. IRF9310TR его параметры. Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 20 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.0039 Ом/20A/10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 2.5
Но есть один параметр, диода внутреннего. VSD Diode Forward Voltage 1.2 V
Это что значит, если случится переполюсовка. а две банки Li-ion дают от 5.8В до 8,4В, то этот диод пробьёт и случится КЗ?
Это что значит, если случится переполюсовка. а две банки Li-ion дают от 5.8В до 8,4В, то этот диод пробьёт и случится КЗ?
Не значит. При правильном подключении внутренний диод включен в прямом (forward) направлении, так что падение на нём БЫЛО БЫ 1.2 В, если бы сам мосфет не открылся, а он откроется. При неправильном к диоду прикладывается обратное напряжение, и он закрыт. Мосфет тоже закрыт, потому как управление ему не того знака.
_________________ ВНИМАНИЕ! Я часто редактирую свои сообщения, поэтому перед ответом мне советую обновить страницу. За перенос модераторами в МЯВУ тем с моими сообщениями я ответственности не несу.
_________________ ВНИМАНИЕ! Я часто редактирую свои сообщения, поэтому перед ответом мне советую обновить страницу. За перенос модераторами в МЯВУ тем с моими сообщениями я ответственности не несу.
по сути эта защита - частный случай идеального диода. если Li-ion 2..4s то смело можно без защиты затвора зенером.
еще важно чтоб напряжения батареи хватило чтоб достаточно открыть fet для данного тока нагрузки (используя параметры Vgt max и S min ) для 2s при токах в неск A это уже может быть на грани.
и надо понимать что схема защищает только от переполюсовки батареи (предполагается что нагрузка подключена к этой защите без ошибок.
Заголовок сообщения: Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд
Добавлено: Чт окт 05, 2023 22:18:02
Встал на лапы
Зарегистрирован: Пт сен 22, 2023 11:11:07 Сообщений: 105
Рейтинг сообщения:0
Там токи в пиках могут быть до 2А максимум ну в край 2,5А, я выбрал на 20А транзистор для подстраховки на случай (мало-ли). А так всё в схеме будет правильным.
Заголовок сообщения: Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд
Добавлено: Чт окт 12, 2023 11:50:35
Встал на лапы
Зарегистрирован: Пт сен 22, 2023 11:11:07 Сообщений: 105
Рейтинг сообщения:0
Ещё один вопрос по теме полевых транзисторов. Есть ещё схема защиты по перегрузки и от КЗ на полевом транзисторе и компараторе. В принципе эта схема рабочая, но есть проблема. Эта скорее всего схема защиты по превышении мощности а не по току. Я так понял она работает на принципе падения напряжения на открытом канале полевого транзистора. Но если поменять значения входного напряжения с 5 вольт до 8.4 вольт, то и падение на канале транзистора будет другим а следствие и срабатывать будет такая схема от другого значения тока.
Напряжение питания 5.6 Вольт Rн 2.69161 Ом (сопротивление нагрузки для 2 А ток отсечки) 5,6 - 5,38308 = 0,21692 В (падение напряжения) 0,10846 Ом (расчётное сопротивление канала транзистора)
Напряжение питания 8.4 Вольт Rн 4.12224 Ом (сопротивление нагрузки для 2 А ток отсечки) 8,4 - 8,24414 = 0,15586 0,07793 Ом
ну, как скажешь. В реальности тоже подгонишь, и разброс производства, и температуру, и напряжение на затворе и ещё что-нибудь, а потом здесь снова задашь вопросы. Мелочи.
Сейчас этот форум просматривают: нет зарегистрированных пользователей и гости: 33
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения