спасибо

Ну не чуть хуже, а сильно, например 10 при h21э=100. У дешевых тестеров Мастеч есть измерение h21э, так что рекомендую поэкспериментировать.

Вот еще, у современных кремниевых БТ обратное напряжение пробоя Б-Э всего порядка 7В, так что инверсное включение затруднено (в штатном режиме переход Б-Э прямо смещен). В отличие от старых германиевых транзисторов, например МП26, у которых допустимое обратное напряжение Б-Э несколько десятков вольт.

транзистор не управляется носителями поставляемыми в базу, он управляется напряжением на переходе база-эмиттер, от которого зависит количество доступных носителей для тока эмиттер-коллектор, часть которых неизбежно отбирается базой, но это паразитный неприятный эффект а не элемент управления. правда поскольку отток в базу примерно пропорционален току коллектора, то часто в рассчетах отталкиваются от тока базы, а не от напряжение база-эмиттер (от которого ток коллектора зависит экспоненциально), но это лишь рассчетный прием

На самом деле, именно поступление носителей заряда в базу управляет током коллектора. На пальцах, это выглядит так:
Для определенности возьмем n-p-n транзистор в активном режиме, т.е. эмиттерный переход смещен в прямом направлении, а коллекторный - в обратном. Прямое смещение эмиттерного перехода означает, что в базу поступают носители заряда (дырки), которые притягивают электроны из эмиттера. Однако, из-за малой толщины базы (это важно), электроны не успевают рекомбинировать с этими дырками и, пролетая базу насквозь, попадают в коллекторную область, где у них один путь - к коллектору (из-за обратного смещения коллекторного перехода). Так возникает коллекторный ток. Понятно, что рано или поздно дырка в базе рекомбинирует с электроном из эмиттера, и на ее место придет другая, т.е. через базу тоже будет течь ток. Таким образом, ток эмиттера будет представлять собой сумму токов базы и коллектора. Легко догадаться, что соотношение базового и эмиттерного токов определяется вероятностью рекомбинации в базовой области, эта вероятность есть ничто иное как отношение Iб/Iэ. Очевидно, что задавая ток базы, мы можем управлять током эмиттер-коллектор, т.е. током коллектора. Также очевидно, что чем тоньше база, тем сильнее ток коллектора зависит от тока базы, т.е. лучше усилительные свойства транзистора.
Надеюсь, из моего объяснения также понятно, почему нельзя сделать транзистор из двух включенных встречно диодов.

"в базу поступают носители заряда (дырки), которые притягивают электроны из эмиттера" - вот их единовременная плотность в базе, поле ими создаваемое и управляет _непосредственно_ количеством электронов, которые преодолевают эмиттерный барьер, то есть током. а то, что они протекающим током периодически уничтожаются и для поддержания плотности их нужно восполнять током с базы (а не один раз создать, как в полевом транзисторе) - это все-таки побочный эффект. от напряжения на базе зависит ток эмиттера а уже от него зависит ток базы, но поскольку первая зависимость экспоненциальная а вторая линейная, удобно считать что ток базы и является управляющим.

Вы о чём, ребята?
Пытаетесь менять эмиттер с коллектором местами, что ли?
И какой же транзистор у вас в таком режиме работает, хотя бы и с низким h21э?
У меня ни один транзистор в таком включении даже не открылся, и даже могу объяснить, почему.

Л. Н. Бочаров. Инверсное включение транзистора. цельная книжка на тему

а у меня работал почему то

Подскажите, пожалуйста. Вот допустим эквивалентная схема транзистора с цепью, задающей рабочую точку на базе:


Я пытаюсь понять, как влияют значения сопротивлений R1 и R2 на напряжение между катодом и анодом D1 (между эмиттером и базой).

1) Вариант с гасящим сопротивлением (R2 убираем, остаётся только R1).
R1 включен последовательно с диодом D1. Допустим, сопротивление R1 увеличилось. Чем больше сопротивление R1, тем меньше прямой ток через D1. Поскольку ток через D1 уменьшится, напряжение на D1 тоже уменьшится в соответствии с графиком ВАХ такого диода.

2) Вариант с делителем напряжения (оба резистора на месте).
R2 и D1 включены параллельно, то есть представляют собой делитель тока. Если увеличивать сопротивление R2, то через D1 пойдёт бОльший ток. Следовательно, напряжение на D1 вырастет в соответствии с графиком ВАХ.
Из-за этого чуть увеличится и общее напряжение на участке R2-D1 (потому что эти элементы параллельны), а на R1 чуть уменьшится.
А если уменьшать сопротивление R2, то и ток через D1 уменьшится, уменьшится напряжение на D1 и на параллельных участках R2-D1.

Сопротивление R1 задаёт суммарный ток через участок R2-D1, поэтому влияет на напряжение на D1 так же, как в предыдущем варианте.

И все эти изменения напряжения между катодом и анодом D1 будут в пределах десятых долей вольта.

Рассуждения правильные?

В такой схеме — практически никак. На R2 будет Uf — напряжение на открытом диоде (0,6...0,8 В).

Gudd-Head, я поэтому и оговорился, что изменения будут в пределах десятых долей вольта. Но ведь именно это и называется "задать рабочую точку" - с помощью этих резисторов задать определённый ток через D1. А установление тока через D1 означает и установление напряжения на D1, поскольку ток через него и напряжение на нём прямо пропорциональны (в соответствии с кривой ВАХ).

То есть фразы "задать ток смещения 5 мА" и "задать на базе напряжение смещения 0,75 В" по сути означают одно и тоже (если предположить, что на кривой ВАХ этого диода 0,75В соответствуют 5мА. Цифры взял просто с потолка).

Правильно понимаю?

Не прямо, а экспоненциально.

Да, я употребил не тот термин. Я имел в виду, что чем больше ток, тем больше напряжение, а взаимная зависимость их величин определяется ВАХ.

А в остальном я правильно написал?

Erling, ваши рассуждения правильные, только вот на практике гораздо легче обеспечить рабочую точку, задавая ток через переход, чем напряжение на нем в силу сильной температурной зависимости тока коллектора при фиксированном напряжении б-э.

rl55, я просто уже давно столкнулся с тем, что многие говорят "биполярный транзистор управляется током", а другие говорят "биполярный транзистор управляется напряжением на базе". Хотя это две стороны одной медали.

К тому же вот эти R1 и R2 называют делителем напряжения (не спорю, это верно), хотя про них же можно сказать (особенно про R2, которое с переходом эмиттер-база образуют делитель тока), что они задают ток базы.

А разве "фиксированное напряжение" на диоде не равно "фиксированному току" через диод? Я имею в виду, что установление одного означает установление другого.

Как раз таки транзистор управляется именно током. Ведь основной параметр транзистора - коэфф. передачи тока. Но через напряжение на переходе этот ток можно найти, но это очень неудобно.Вы опять применяете малоупотребительный термин "делитель тока".В данном случае имеется ввиду делитель напряжения с подключенным к нему переходом. Причем, после подключения этого перехода напряжение на выходе этого делителя уже не будет таким, как до подключения. Нижнее сопротивление делителя будет уже представлено параллельным соединением резистора и перехода, сопротивление которого очень нелинейно.Только для неизменной температуры. При изменении температуры напряжение изменяется на 1-2 мВ на градус для кремн. переходов. Поскольку прямая вольт-амперная характеристика крутая, то незначительные изменения напряжения на переходе приводят к значительным изменениям тока через переход. В этом главный недостаток задания режима напряжением на переходе.

Напряжение изменяется при неизменном токе?

Вот я и пытался представить, как же нижнее сопротивление будет влиять на рабочую точку. С точки зрения делителя напряжения увеличение R2 должно "оттягивать" часть напряжения с R1 на участок R2-D1. А с точки зрения разветвления токов увеличение R2 ответвляет бОльшую часть тока в D1, что ведёт к увеличению напряжения на нём. Ведь нелинейность участка R2-D1 обусловлена именно ВАХ диода (перехода эмиттер-база), на которой напряжение зависит от тока (равно как и наоборот).

Да. Т.е., при питании перехода генератором тока.

С любой точки зрения увеличение R2 приводит к увеличению тока через переход. Я не понимаю, чем вам не нравится термин "делитель напряжения".
Я же вам приводил пример в другой теме, как можно перейти от делителя напряжения к эквивалентному источнику с э.д.с., равной напряжению делителя и выходным сопротивлением, равным параллельно включенным R1 и R2.

Вот вы всё время пытаетесь связать ток через переход и напряжение на нём. В принципе, для идеальных случаев, можно было бы задавать смещение напряжением, но, к сожалению, идеального ничего нет.
Если взять, к примеру, два одинаковых транзистора и на оба подать одинаковое напряжение на переход база-эмиттер, то может оказаться, что один транзистор будет работать, а другой сгорит. Сгорит из-за того, что его ВАХ чуть-чуть отличается от первого транзистора. А нам нужно рассчитать каскад так, чтобы любой транзистор работал в нём. Поэтому напряжение база-эмиттер используется только как справочное для приблизительного расчёта тока перехода. И задаётся смещение исключительно током через переход. А применение одного резистора или двух в базовой цепи влияет на стабильность режима транзистора, например при изменении температуры. Каким образом влияет и какие значения резисторов должны выбираться при расчете - это хорошо описано в литературе...