2)кусочек косого полумоста -Транзисторы открываются синхронно,для работы верхнего ключа нужен соот.драйвер либо ГДТ(по ненашенски ) либо оптодрайвер. Всё так? Далее если скрестить обе схемы?Что не правильно?Интересует как будет происходить процесс в ниже приведенной (условно) схеме. Уважаемые люди отвечают сразу-будет бабах.Кто может расписать как это будет происходить,можно ли избежать,что нужно изменить.Интерес чисто теоретический.Прошу сильно не пинать и спасибо за понимание. PS/ За начало возьмем что к стоку приложено напряжение заряженого конденсатора,поступает импульс на затворы....индуктивность медная трубка например 6 витков.защитные цепи с диодами снабберами опустим.
Напряжение управления ключом должно быть приложено между ИСТОКОМ И ЗАТВОРОМ. А у Вас между нагрузкой и затвором. Получился не ключ с общим истоком, а истоковый повторитель. Истоковый повторитель будет работать в активном, а не переключательном режиме.
Напряжение управления ключом должно быть приложено между ИСТОКОМ И ЗАТВОРОМ.
Ай дурная моя голова Спасибо! P/S Схему рассматривал на замыленном фото,пытался понять что ж там за ключ и что коммутирует.Плюс здесь не правильно нарисовал,там истоки были соеденены между собой и на минус.Все,сегодня раньше ложусь спать
Вот теперь яснее. Но есть вопрос о "медной трубке". Это для индукционной печи? На изначальной картинке она была с отводом от середины. Если есть отвод от середины, не проблема сделать классический пуш-пулл, которому не нужен драйвер верхнего плеча. Но если это индукционная печь, то есть одно очень важное правило - недопустима подача каких-либо потенциалов (т.е. гальваническая связь) с индуктором, который имеет открытые участки. Медная трубка - это именно этот случай. В связи с этим ток в неё подаётся при помощи трансформатора, который и обеспечивает гальваническую развязку. А если имеется трансформатор, то у него можно сделать первичку такой, какой хочется.
Проблема при скрещивании этих схем в том, что суть первой схемы в том, что она безоговорочно прерывает ток. А мост (косой) или полумост позволяют току в индуктивности течь. Пуш-пулл работает примерно так же (за исключением одной полуобмотки, которая всё-таки обрывается, поэтому там есть проблемы на больших токах). Если у первой схемы добавить цепи для протекания тока индуктивности при закрытых ключах - вот здесь получится уже нехорошо...
Подскажите - купил новую атмегу32, вставил в программатор (usbasp) ну и так получилось что сначала прошил фьузы, (работа от кварца) отключил мк втыкнул кварц в панельку и включать обратно, но увы программатор упорно не видел мк. Короче дал другу (у него tl866) и выяснилось что не определяется сигнатура и слетел калибровочный байт. Из-за чего получилось такая вот фигня, ну что бы повторно не наступить на те же грабли.
Может вы ошиблись с фъюзами. Может кварц не рабочий... Может просто ошибка при прошивке, т.е. не вовремя какой-то провод отвалился и зашилась всякая хрень... На вскидку может помощь параллельный программатор. Если ошиблись с фъюзами, то можно попробовать на вход, куда кварц целпляется подать какую-нибудь частоту, например пальцем руки (наводка от сети 50 Гц) и попробовать прошить снова, иногда помогает. Либо спаять любой генератор меандра на несколько килогерц и также подать туда, где кварц, также перепрошить. Если это не поможет (отключили SPI или РЕЗЕТ), значит только параллельным программатором. ))))) Поздравляю.
З.Ы. Сам так угробил несколько МК, сейчас валяются в коробочке, ждут, когда спаяю лечилку.
Добрый день, можно ли как-то определить, что полевику работающему в ключевом режиме понадобится радиатор. Например у IRFZ44N есть такой параметр как рассеиваемая мощность, она равна 94Ватта. При этом корпус TO-220 врядли без радиатора рассеит такую мощность, объясните пожалуйста как рассуждать в такой ситуации?
Так он его восстановил? Или даже tl не смог его перепрошить?
Он то его прошил, но как мой usbasp её в упор не видел так и не видит, но в результате девайс с данным мк всёравно "не взлетел". И да ещё один вопрос - кто подскажет ЖКИ Winstar WG12864A с контроллером NT7108 взаимозаменяем с тем же WG12864A но на контроллерах KS108 или KS107
Добрый день, можно ли как-то определить, что полевику работающему в ключевом режиме понадобится радиатор. Например у IRFZ44N есть такой параметр как рассеиваемая мощность, она равна 94Ватта. При этом корпус TO-220 врядли без радиатора рассеит такую мощность, объясните пожалуйста как рассуждать в такой ситуации?
Ваш вопрос делится на два вопроса. 1. При известной рассеиваемой мощности определить ее допустимость. 2. Рассчитать рассеиваемую мощность в конкретной схеме при конкретных режимах. Ответы. 1. Максимально допустимая мощность для транзистора указана при ОПРЕДЕЛЕННОМ УСЛОВИИ. Это условие - температура КОРПУСА = 25 градусов. При этом нужно так же соблюдать допустимую температуру КРИСТАЛЛА, которая ограничена 175 градусами. Для расчета температуры корпуса и кристалла используются параметры ТЕМПЕРАТУРНОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ (Thermal Resistance) из даташита. Этих сопротивлений в даташите указано ЧЕТЫРЕ: - температурное сопротивление кристалл(переход)-корпус - 1,87 град/Ватт - температурное сопротивление корпус-радиатор - 0,5 град/Ватт - температурное сопротивление кристалл-среда - 62 град/Ватт - температурное сопротивление кристалл-среда (для корпуса D2PAK припаянного на 1 кв.дюйм полигона печатной платы) - 40 град/Ватт Если Вы применяете транзистор в корпусе TO220 БЕЗ РАДИАТОРА, то у Вас на каждый 1 Ватт рассеиваемой мощности на транзисторе дадут ПЕРЕПАД температуры между температурой окружающей транзистор среды (это не температура воздуха в помещении!) равный 60 градусам. 2 Ватта - 120 градусов и так далее - линейно. Значит при температуре среды примерно в 40 градусов (около корпуса по любому будет "тепловой мешок", если нет обдува), температура кристалла при 1 Ватте составит 40+60=100 градусов Цельсия. При 2 Ваттах - 40+120=160 градусов... А допустимая температура кристалла - всего 175. То есть если среда достигнет 55, то температура кристалла окажется предельно допустимой. Так как при этом можно измерить температуру корпуса (кристалл не доступен), то нужно учесть, что при 1 Ватте кристалл горячее корпуса на 1,87 градуса, при 2 Ваттах - на 3,74 градуса и так далее линейно. Если Вы решите использовать радиатор, то при его тепловом расчете нужно будет учесть, что между корпусом транзистора и радиатором будет перепад температур в 0,5 градуса на 1 Ватт. То есть, например, при 50 ваттах разница составит 25 градусов....
2. Расчет выделяемой мощности. Общая выделяемая мощность состоит из ДВУХ слагаемых. - статическая - динамическая Статическая равна произведению квадрата тока через канал и сопротивления канала при выбранном режиме работы (зависит от напряжения затвор-исток) деленное на скважность статического режима. То есть если у Вас транзистор работает с меандром, то скважность статического режима равна 2 и мощность будет в два раза меньше, чем при непрерывно открытом транзисторе. Температурная инерция очень маленькая, поэтому говорить о скважности можно только если частота переключений более 1 кГц, а если ниже, нужно вводить коррекцию по соответствующему графику из даташита (Fig 11). Например, если ток 10 ампер и скважность 2, то статическая мощность составит 10*10*0,013/2=0,65 Ватт. Динамическая мощность зависит от времени нахождения транзистора в активном режиме во время переключения и от скважности активного режима в периоде переключающего сигнала. Расчет времени переключения ведется по параметру Полного заряда затвора (Total Gate Charge) и току короткого замыкания ДРАЙВЕРА, который подключен к клеммам затвор-исток. Время переключения равно отношению заряда к току. Для данного транзистора при токе драйвера в 100 мА время переключения составит 43нКл/100мА=430 нс. Мощность в активном режиме ПРИМЕРНО равна половине произведения тока через сток в открытом режиме и напряжения на стоке в закрытом. Если питание 20 вольт, а ток 10 ампер - мгновенная мощность в активном режиме составит примерно 100 Ватт. Если период переключений составляет 100 мкс (10 кГц), то скважность будет 0,5*(100/0,43)=116 (множитель 0,5 из-за того, что переключений в периоде ДВА). Отсюда находим динамическую мощность: 100Ватт/116=0,86 Ватт
Итого для описанного примера суммарная мощность составит 0,65+0,86=1,51 Ватт. При работе без радиатора и корпусе ТО220 ПЕРЕГРЕВ кристалла относительно среды составит 1,51*62=94 градуса. То есть при температуре около транзистора в 40 градусов температура его кристалла составит 134 градуса, а корпуса примерно 132.
Всем привет. Какой оптроны выбрать лучше, со схемой определения "0" или обычный оптрон, хочу управлять осветительным оборудованием (PAR36) через симистор. Теоретически время срабатывания оптопары с определением нуля работает с задержкой. И что проще собирать в смысле элементной обвязки, что требует меньшее кол-во компонентов.
P.S В PAR36 используется понижающий трансформатор. Спасибо.
MOC3041 подойдет ? И еще, какие симисторы использовать ? Я хочу с запасом мощности чтоб были, 5А или меньше. И еще вопрос, может существуют какие-то сборки ? Мне 10 оптронов надо.
Приветствую, такой вопрос, вот импульсные преобразователи(возьмём классический импульсный преобразователь, скажем 12-220 для авто), у них на выходе обычно форма напряжения - меандр. Где-то читал, что обычной технике такая форма напряжения "не нравится". Вопрос: а собственно почему? Зачем нужно получать именно синус? Всё равно это напряжение будет в дальнейшем выпрямлено и отфильтровано, получится постоянный ток. Или что-то упускаю. Осветите этот момент подробнее пожалуйста
Синус нужен для тех устройств, которые разрабатывались для эксплуатации от обычной бытовой сети (и только). Меандр питающий - он жёстче, и херачит по входным цепям, мосту на горячей стороне. Синус нужен индуктивной нагрузке (двигатели и прочее).
Тут нужно конкретно знать, что именно Вы хотите запитывать.
Сейчас этот форум просматривают: нет зарегистрированных пользователей и гости: 29
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения