Учту Ваши советы при выборе полевика в своем следующем устройстве! Спасибо!AndTer писал(а): И всё же надёжней воткнуть стабилитрон. Через резистор само собой. А ещё лучше поставить полевик с максимальным Vgs=20В.
Найдено 19 результатов
- Чт мар 23, 2017 13:08:45
- Форум: Теория
- Тема: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд
- Ответы: 888
- Просмотры: 529732
Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд
- Чт мар 23, 2017 12:36:36
- Форум: Теория
- Тема: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд
- Ответы: 888
- Просмотры: 529732
Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд
Всегда помните, с кем имеете дело.
Да, это справедливое замечание. А дело Вы имеете с человеком, который пытается заниматься самообучением, вовлекая в этот процесс завсегдатаев форумов по радиоэлектронике. Согласен, задаю порой ультраглупые для Вас вопросы. Но лучше уж так по-моему чем наугад ...
Да, это справедливое замечание. А дело Вы имеете с человеком, который пытается заниматься самообучением, вовлекая в этот процесс завсегдатаев форумов по радиоэлектронике. Согласен, задаю порой ультраглупые для Вас вопросы. Но лучше уж так по-моему чем наугад ...
- Чт мар 23, 2017 12:21:22
- Форум: Теория
- Тема: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд
- Ответы: 888
- Просмотры: 529732
Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд
Вдруг и со стабилитроном проблема случится...
А вдруг с полевиком?
Наверное имеется ввиду, что проблема случится в моей голове :(
А почему резисторы должны греться? I=U/(R3 + R4)=14/(470+470)=0,015А это будет ток который потечет через оба резистора при открытом N-полевике, затем мощность P=U*I ...
А вдруг с полевиком?
Наверное имеется ввиду, что проблема случится в моей голове :(
А почему резисторы должны греться? I=U/(R3 + R4)=14/(470+470)=0,015А это будет ток который потечет через оба резистора при открытом N-полевике, затем мощность P=U*I ...
- Чт мар 23, 2017 08:30:40
- Форум: Теория
- Тема: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд
- Ответы: 888
- Просмотры: 529732
Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд
Благодарю за терпение!mickbell писал(а):Работать-то будет, куда денется... но зачем тут стабилитрон? Если опасаетесь, что 7 вольт слишком много (не слишком, на самом деле), увеличьте R3 или уменьшите R4, или сделайте то и другое одновременно.
- Чт мар 23, 2017 07:48:46
- Форум: Теория
- Тема: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд
- Ответы: 888
- Просмотры: 529732
Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд
Прошу ещё немного потрепеть мое занудствоAndTer писал(а):Если так хочется этот, поставьте стабилитрон.

Re: H-мост
А чего тут читать... Грубую прикидку можно сделать исходя из здравого смысла, а точного расчёта здесь не требуется. Порядок такой.
1. Оценить требуемое время перезарядки затворной ёмкости. С потолка: пусть время каждой перезарядки (вверх и вниз) будет не более одного процента от периода частоты ...
1. Оценить требуемое время перезарядки затворной ёмкости. С потолка: пусть время каждой перезарядки (вверх и вниз) будет не более одного процента от периода частоты ...
- Ср мар 22, 2017 18:53:15
- Форум: Теория
- Тема: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд
- Ответы: 888
- Просмотры: 529732
Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд
1) чем этот полевик "не нормальный"? Чем он отличается от "нормального"?AndTer писал(а): Купите нормальный полевик и не морочьте ни себе ни другим голову.
Вы что им хотите коммутировать?
2) нагрузка - драйвер тока, всего коммутирую ток 600 мА, напряжение 12-14В
3) Режим: включить/выключить.
- Ср мар 22, 2017 18:03:50
- Форум: Теория
- Тема: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд
- Ответы: 888
- Просмотры: 529732
Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд
Не путайте полевик с биполярником, у полевика после заряда ток будет наноамперы.
Хорошо, тока практически не будет это я все понял. Но напряжение то Vgs будет как я выше написал -11,68 В. А максимальное значение Vgs в даташите указано -12В. Вот я и решил что слишком много это или никакого вреда ...
Хорошо, тока практически не будет это я все понял. Но напряжение то Vgs будет как я выше написал -11,68 В. А максимальное значение Vgs в даташите указано -12В. Вот я и решил что слишком много это или никакого вреда ...
- Ср мар 22, 2017 17:42:18
- Форум: Теория
- Тема: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд
- Ответы: 888
- Просмотры: 529732
Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд
R3 - 10кОм.
И какое напряжение будет тогда на затворе P-полевика? 0,12 В? :)
P.S.: Самое странное что сейчас подключил, померил...
Напряжение получается 11,68 Если мерить относительно стока и -0,12В если мерить относительно общего провода.
Первое слишком много , второе слишком мало. Но как мы ...
И какое напряжение будет тогда на затворе P-полевика? 0,12 В? :)
P.S.: Самое странное что сейчас подключил, померил...
Напряжение получается 11,68 Если мерить относительно стока и -0,12В если мерить относительно общего провода.
Первое слишком много , второе слишком мало. Но как мы ...
- Ср мар 22, 2017 17:13:09
- Форум: Теория
- Тема: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд
- Ответы: 888
- Просмотры: 529732
Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд
Есть только ток переходного процесса, который заряжает или разряжает ёмкость затвора.
Вот именно этот ток я и имеют ввиду...Как он определяется, подскажите пожалуйста :)
Добавлено after 2 hours 18 minutes 54 seconds:
О токе заряда затвора, похоже, говорить рановато.
Только сейчас прочитал ...
Вот именно этот ток я и имеют ввиду...Как он определяется, подскажите пожалуйста :)
Добавлено after 2 hours 18 minutes 54 seconds:
О токе заряда затвора, похоже, говорить рановато.
Только сейчас прочитал ...
- Ср мар 22, 2017 14:21:52
- Форум: Теория
- Тема: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд
- Ответы: 888
- Просмотры: 529732
Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд
Я говорил уже не один раз: R4 в этой схеме никак не влияет на напряжение на затворе, и минус пять вольт на затворе вы не получите.
Дак получается даже при насыщении затвора ток несчадно мал? Кажется до меня дошло! Ведь хоть в момент насыщения затвора, хоть в момент, когда транзистор в уже открыт ...
Дак получается даже при насыщении затвора ток несчадно мал? Кажется до меня дошло! Ведь хоть в момент насыщения затвора, хоть в момент, когда транзистор в уже открыт ...
- Ср мар 22, 2017 12:55:57
- Форум: Теория
- Тема: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд
- Ответы: 888
- Просмотры: 529732
Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд
О кривых понятиях. Вам удобнее говорить о напряжениях относительно истока P-мосфета, это понятно. Пожалуйста, я не возражаю. Только уточняйте, что речь идёт именно о напряжении относительно истока P-мосфета, тогда и придирок не будет. И - всё правильно, относительно него напряжение на GND равно ...
- Ср мар 22, 2017 11:49:02
- Форум: Теория
- Тема: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд
- Ответы: 888
- Просмотры: 529732
Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд
Но сначала скажите, как узнать установившийся ток затвора.
Хотелось бы на Ваш суд вынести всё моё понимание работы P-канального полевого транзистора в преведенной мной выше схеме: итак, когда подачей +5в на затвор, открывается N-канальный мосфет, то затвор P-канального мосфета начинает заряжаться ...
Хотелось бы на Ваш суд вынести всё моё понимание работы P-канального полевого транзистора в преведенной мной выше схеме: итак, когда подачей +5в на затвор, открывается N-канальный мосфет, то затвор P-канального мосфета начинает заряжаться ...
- Ср мар 22, 2017 11:13:47
- Форум: Теория
- Тема: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд
- Ответы: 888
- Просмотры: 529732
Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд
ОК, давайте разбираться.
С большим удовольствием!
1) Уберу R4 - значит оставлю перемычку вместо него.
2) По моему понятию, падение напряжения на R4, во время заряда внутреннего конденсатора, а значит открытию канала, должно равняться сопротивлению резистора R4 умноженному на протекающий через ...
С большим удовольствием!
1) Уберу R4 - значит оставлю перемычку вместо него.
2) По моему понятию, падение напряжения на R4, во время заряда внутреннего конденсатора, а значит открытию канала, должно равняться сопротивлению резистора R4 умноженному на протекающий через ...
- Ср мар 22, 2017 07:50:56
- Форум: Теория
- Тема: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд
- Ответы: 888
- Просмотры: 529732
Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд
Во-вторых, от номиналов обоих резисторов оно не зависит. Посмотрите внимательно на схему, и поймёте это.
Сейчас Вы меня полностью ввели в заблуждение...А разве если я просто к примеру уберу R4 то напряжение на затворе P-полевика не станет автоматически равным -12В при открытом канале N-полевика ...
Сейчас Вы меня полностью ввели в заблуждение...А разве если я просто к примеру уберу R4 то напряжение на затворе P-полевика не станет автоматически равным -12В при открытом канале N-полевика ...
- Вт мар 21, 2017 17:00:02
- Форум: Теория
- Тема: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд
- Ответы: 888
- Просмотры: 529732
Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд
Прежде всего, R1 и R4 уменьшите хотя бы до 100 Ом, а R3 до 1 кОм. Здоровенные резисторы в затворах ни к чему, а если давать ШИМ - так просто вредны, поскольку за ними - огромная затворная ёмкость.
Здравствуйте! К В итоге дело было в малюсенькой "сопле" на плате и затворных сопротивлениях! Когда я ...
Здравствуйте! К В итоге дело было в малюсенькой "сопле" на плате и затворных сопротивлениях! Когда я ...
- Пн мар 20, 2017 11:58:22
- Форум: Теория
- Тема: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд
- Ответы: 888
- Просмотры: 529732
Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд
Спасибо большое! Вроде всё понятно! Буду пробовать. Собираю уже не первый драйвер на PT4115, еще ни разу не было задержек и так далее. Будем разбираться!mickbell писал(а):Работать должно. Работать без задержек? Это уже зависит от того, есть ли задержка при подаче питания на PT4115.
- Пн мар 20, 2017 10:43:20
- Форум: Теория
- Тема: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд
- Ответы: 888
- Просмотры: 529732
Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд
То есть теоретически, при данном включении полевиков, всё должно работать? То есть включаться и выключаться без морганий и задержек?mickbell писал(а):Поведение приблуды показывает, что, возможно, один его вывод на плюсе питания.
- Пн мар 20, 2017 07:38:17
- Форум: Теория
- Тема: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд
- Ответы: 888
- Просмотры: 529732
Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд
Приветствую всех! Первый раз решил в своем устройстве применить мосфеты, собрал вот такую схему:
http://img.radiokot.ru/files/122763/medium/185dzdr56k.jpg
Укажите пожалуйста, где я ошибся в данном включении двух мосфетов, один P-канал - управляет нагрузкой, второй N-канал - управляет P-каналом и ...
http://img.radiokot.ru/files/122763/medium/185dzdr56k.jpg
Укажите пожалуйста, где я ошибся в данном включении двух мосфетов, один P-канал - управляет нагрузкой, второй N-канал - управляет P-каналом и ...