Форум РадиоКот

Zlc=wL-1/wC;
I=Uвх/(sqrt(R^2+(wL-1/wC)^2));
Uвых=I*Zlc=Uвх*(wL-1/wC)/(sqrt(R^2+(wL-1/wC)^2));

или так: Uвых=Uвх*(w^2*LC-1)/(sqrt((wRC)^2+(w^2*LC-1)^2));

Uвых/Uвх=(2*pi*f*L-1/2*pi*f*C)/(sqrt(R^2+(2*pi*f*L-1/2*pi*f*C)^2));

при f=1/2*pi*sqrt(LC) Uвых=0;

спасибо, это вообщем я понял ,для данной схемы Uкэ=0.2В, так как Uбк=0.4В, а Uбэ=0.6В ,интересно еще каким боком ток Io влияет на то что Uбк<Uбэ ???

тогда почему для этой схемы Х-Х пишут что при 1.2В на коллекторе наступит режим насыщения??
ну вот как раз здесь считается что для отпирания перехода нужно 0.6В(как для кремниевого диода) но для коллекторного перехода почему то 0.4В????

но я вообщем то про режим насыщения
блин это все мы знаем , вопрос состоял в другом
и почему в режиме насыщения напряжения не достаточно для отпирания , ведь два переходы смещены все таки в прямом направлении??

как раз Uкэ падением на переходе никто не называл , а изначально я хотел узнать вот что:
http://img.radiokot.ru/files/87692/medium/37ttefn7y.JPG

почему напряжения Uбк=0.4В , а Uбэ=0.6В , при том что это как бы два одинаховых диода и для отпирания требуется по 0.6В

а как насчет падения напряжения на переходах.
См.вопрос выше

Я был бы очень благодарен если бы вы мне книжечку или ссылочку какую-нибудь дали хорошую, где популярно написано про режим насыщения транзистора и все детали этого режима, а то так на пальцах без схем и пояснений плохо все проясняется

http://img.radiokot.ru/files/87692/medium/37r58kl9k.JPG
http://img.radiokot.ru/files/87692/medium/37r58h1ht.JPG
http://img.radiokot.ru/files/87692/medium/37r589j2c.JPG
вот тут http://img.radiokot.ru/files/87692/medium/37r58h1ht.JPG сказано что для схемы 1 (из http://img.radiokot.ru/files/87692 ...

Объясните пожалуйста почему Х.-Х. пишут что в насыщенном состоянии на коллекторном переходе транзистора будет падать напряжение меньшее чем на эмитерном,из книги вот на эмитерном переходе падает 0.6В (я так понимаю как на кремниевом диоде), а на коллекторном будет как бы падать 0.4В, т.е насыщение ...