Почему стандартные приемы обвеса транзисторов при 5в питании приводят к прожигу транзисторов при 50в?
Транзсторы подходящие, даже Б-Э зенерами предохранил...
А это еще зачем, там и так при прямом смещении будет меньше вольта, это ж не мосфеты.Antonium писал(а):даже Б-Э зенерами предохранил...
Я расчитывал 10 ом ограничительный резистор под 0.7в активации ограничительного транзистора, итого 70мА. Разве он не должен ограничить ток а в следствии вольтаж?Николай_С писал(а):Так может дело не в напряжении пробоя, а токе коллекторов?
Вы как схему рассчитывали?
Схему тестил нихромовой спиралью, тож порядка 30оМ, медленно поднимая напряжение. 10-20 экспериметнов до этого всегда одно и тоже, 1-2 мин нормально и прожиг силового узла.Martin76 писал(а):100 ом нагрузки даже при 5В - это 50 мА, а транзисторы 100мА ные маломощные, уже при более 10 выходных вольт будет превышен максимальный ток, а мощность - еще раньше.
Да есть моменты, на старте, нижний нпн, БЭ 50в.Martin76 писал(а):А это еще зачем, там и так при прямом смещении будет меньше вольта, это ж не мосфеты.Antonium писал(а):даже Б-Э зенерами предохранил...
Ток ограничивается верхним транзом. 70мА.Андрей Бедов писал(а):Увеличиваете напряжение - увеличивается ток. На переходе выделяется недопустимая мощность - тепловой пробой.
Ещё вариант - транзистор не рассчитан на пятьдесят вольт - электрический пробой.