Мерять надо как положено, уже говорили. Вот взял 740, затвор на 12, канал милиоометром с током 10мА - 390мОм, подышал на транзистор 450мОм. А тут в него то лампочку, то ампер с LM317.
Боюсь как бы V(BR)DSS проверять на подлинность не начали
Правильно, нагрев приводит к росту сопротивления канала. Реально узнать сколько будет падение на канале в реальной схеме можно только собрав эту самую схему.
А тестером можно только проверить соответствие даташитным данным сопротивление холодного открытого канала.
А ко мне пришли китайские мосфеты 12N50E. Открываются почему-то только при Ugs более 5 в. А при Ugs =8 в падение напряжения Uds 0,25 в при токе 0,84 A. Выходит, Rds(on), = 0,3 ома.
Arhammon56 писал(а):И? Документация, что на эту тему говорит?
Согласно документации Ugs(th), от 2 до 4 в. 4 В — это максимальное пороговое напряжение, при котором транзистор начинает открываться.
Ugs(th), Gate threshold voltage, напряжение отсечки затвора. Это пороговое напряжение затвор-исток, при превышении которого транзистор начнет открываться. Т. е. при напряжении на затворе выше VGS(th) транзистор MOSFET начинает проводить ток через канал сток-исток. Для параметра VGS(th) также указываются условия проверки (ток стока, напряжение сток-исток и температура кристалла). Все транзисторы MOSFET допускают некоторый разброс порогового напряжения отсечки затвора от устройства к устройству, что вполне нормально. Таким образом, для VGS(th) указывается диапазон (минимум и максимум), в который должны попасть все устройства указанного типа. Как уже обсуждалось ранее в разделе "На что влияет температура", VGS(th) имеет отрицательный температурный коэффициент. Это значит, что с увеличением нагрева MOSFET откроется при более низком напряжении затвор-исток.
RDS(on), ON resistance, сопротивление в открытом состоянии. Этот параметр определяет сопротивление открытого канала сток-исток при указанном токе (обычно половина от тока ID), напряжении затвор-исток (обычно 10V) и температуре 25°C, если не указано что-либо другое.
Я рожден при Сталине, когда паразиты были изгоями общества!
GubaRewa писал(а):в который должны попасть все устройства указанного типа.
Китайцы никому ничего не должны)
Во вторых, при первоначальных условиях 5в на затворе, 7 вольт падения при 400мА(?) - в Вишаевский график вроде +/- попадает.
GubaRewa писал(а):А ко мне пришли китайские мосфеты 12N50E. Открываются почему-то только при Ugs более 5 в. А при Ugs =8 в падение напряжения Uds 0,25 в при токе 0,84 A. Выходит, Rds(on), = 0,3 ома. Тестер
Малозначащие измерения, нет смысла.
Левака сейчас хватает повсюду - и на али, и на радиорынке, поэтому всегда проверяю, что купил.
Измеряю Rds_on @10V ? Ciss, Coss, Crss (@25V), и всем рекомендую, а китайскую игрушку-тестер ну ее на ...
[uquote="4uma4el",url="/forum/viewtopic.php?p=2828822#p2828822"]Здравствуйте.Купил я у наших братьев китайцев 10 транзисторов IRF840.И теперь пытаюсь измерить их параметры.Собрал вот такую схему и на лампу приходит всего 6в тоесть на транзисторе падение 6в напруги Заменял транзистор на IRF3205 с ним всё нормально на лампу 12в приходит.Выходит IRF840 Палёнка или же я что то не так делаю?[/uquote]
Заменял транзистор на IRF3205 с ним всё нормально на лампу 12в приходит.Выходит IRF840 Палёнка или же я что то не так делаю?[/uquote]
