[uquote="bloxastik",url="/forum/viewtopic.php?p=4014052#p4014052"]и что у всех транзисторов одинаковый ток насыщения или всем хватает 0,7В переход БЭ чтобы он стал ключём и вошел в насыщение.?[/uquote]
Переход Б-Э, как я уже вам сказал - это обычный диод. У кремниевого диода есть "пятка" (закрытое состояние при прямом напряжении) примерно 0,5 Вольта и далее ток начинает быстро расти. Вольтамперная характеристика диода совершенно стандартна. Можете ее сами найти в интернете.
Поскольку входным управляющим параметром биполярного транзистора является ток, нужно, чтобы источник сигнала был генератором тока, а не напряжения. Поэтому напряжение источника сигнала превращают в ток с помощью обычного балластного резистора в базе (последовательного, естественно). Чем больше резистор, тем меньше ток базы зависит от немного изменяющегося падения напряжения Б-Э с изменением тока базы и температуры кристалла.
Таким образом, напряжение управления должно быть заметно больше падения на Б-Э.
Добавлено after 2 minutes 59 seconds:
[uquote="bloxastik",url="/forum/viewtopic.php?p=4014067#p4014067"]Ну типа диод Шоттки от простого диода[/uquote]
Не нужно лезть в динамический режим прежде, чем вы освоете статический. Могу лишь сказать, что чем больше коэффициент насыщения, тем дольше рассасывается заряд базы и тем медленнее закрывается биполярный транзистор. Поэтому между запасом по насыщению и скоростью есть противоречие.
Переход Б-Э, как я уже вам сказал - это обычный диод. У кремниевого диода есть "пятка" (закрытое состояние при прямом напряжении) примерно 0,5 Вольта и далее ток начинает быстро расти. Вольтамперная характеристика диода совершенно стандартна. Можете ее сами найти в интернете.
Поскольку входным управляющим параметром биполярного транзистора является ток, нужно, чтобы источник сигнала был генератором тока, а не напряжения. Поэтому напряжение источника сигнала превращают в ток с помощью обычного балластного резистора в базе (последовательного, естественно). Чем больше резистор, тем меньше ток базы зависит от немного изменяющегося падения напряжения Б-Э с изменением тока базы и температуры кристалла.
Таким образом, напряжение управления должно быть заметно больше падения на Б-Э.
Добавлено after 2 minutes 59 seconds:
[uquote="bloxastik",url="/forum/viewtopic.php?p=4014067#p4014067"]Ну типа диод Шоттки от простого диода[/uquote]
Не нужно лезть в динамический режим прежде, чем вы освоете статический. Могу лишь сказать, что чем больше коэффициент насыщения, тем дольше рассасывается заряд базы и тем медленнее закрывается биполярный транзистор. Поэтому между запасом по насыщению и скоростью есть противоречие.
Ну типа диод Шоттки от простого диода[/uquote]А это как получится. Или, чтобы транзистор поскорее переключался, вгонять в его базу ток больше, или снижать частоту переключений, чтобы в единицу времени их было меньше, или применять более подходящий транзистор, который сам по себе быстрее переключается.
