Форум РадиоКот

У диода ВАХ получается маленько другая чем у транзистора, транзистор VT1 работает в активном режиме.
С диодом можно собрать что то наподобие токового зеркала, но нужны будут уравнивающие резисторы, а это лишний кипятильник при больших токах.

В первом из них (рис.6) эта задача решается включением параллельно эмиттерному переходу транзистора VT1 двух соединенных последовательно диодов VD1, VD2, которые открываются, если ток нагрузки превышает 7 А. СН продолжает работать и при некотором дальнейшем увеличении тока, но как только он достигает 8 А, срабатывает система защиты микросхемы от перегрузки.

бред от начала до конца.
эмиттерный переход откроется гораздо раньше двух диодов. и диоды будут вечно закрытые.
как микросхема узнает, что ток нагрузки 8 Ампер? если она питает базу током, который значительно меньше тока нагрузки?

Недостаток рассмотренного варианта — сильная зависимость тока срабатывания системы защиты от параметров транзистора и диодов

а вот это точно подмечено. никакой предсказуемости тут нет.
токовое зеркало там нах не нужно. достаточно стандартной схемы из даташита с простым низкоомным резистором. через резистор будет протекать безопасный ток микросхемы, остальной ток пойдет через транзистор.

Телекот писал(а):транзистор VT1 работает в активном режиме.

Как это возможно при кз между коллектором и базой или я что-то не понимаю ...?

а когда транзистор в насыщении, и у него на коллекторе меньше, чем на базе, ты понимаешь?
все токовые зеркала так делаются.

Не понимаю, ибо в данном случае коллектор соединён с базой... .

Starichok51 писал(а):достаточно стандартной схемы из даташита с простым низкоомным резистором. через резистор будет протекать безопасный ток микросхемы, остальной ток пойдет через транзистор.

Вот с резистором схема будет не надёжна защита не работает. Допустим если рассчитать резистор что бы при токе 1.5 а на резисторе падало 0.7 вольта при 20 градусах. То при 100 градусах на резисторе должно падать меньше, иначе получится саморазогрев. увеличения температуры вызовет увеличения тока, а увеличения тока вызовет увеличения температуры транзистора и так далее.
Как известно температурная зависимость кремневого перехода 2.5мв на градус. В токовом зеркале этот недостаток скомпенсирован, но если транзисторы не на одном кристалле то компенсация конечно не 100%. Но значительно ослаблено. Конечно если поставить транзистор с большим запасом по мощности процентов на 200-300 тогда можно ставить и резистор.
В случае с кт818 при холодном транзисторе ток будет меньше, а при горячем мощность превысит допустимую.

Borodach писал(а):Не понимаю, ибо в данном случае коллектор соединён с базой... .

Напряжение насыщение транзистора 0,1 вольт а напряжения на базе 0,7 вольт, то есть транзистор в диапазоне от 0,7 до 0,1 вольт работает в активном режиме.

да, согласен. с токовым зеркалом защита микросхемы будет работать.

Не понимаю, ибо в данном случае коллектор соединён с базой...

в базу ответвится столько тока, сколько нужно, чтобы потенциалы базы и коллектора были равны.
ведь ты же прекрасно знаешь, что при отдельном питании базы можно получить одинаковые потенциалы базы и коллектора.
а здесь питание базы идет прямо от коллектора.

Borodach Я не пойму вы так количество сообщений добираете, я давал ссылку на статью и в гугле море статей.
Почитайте что бы зря не засорять тему.

Телекот писал(а):Напряжение насыщение транзистора 0,1 вольт а напряжения на базе 0,7 вольт, то есть транзистор в диапазоне от 0,7 до 0,1 вольт работает в активном режиме.

Почитайте - http://radiomaster.ru/articles/view/99/

Выдержка: "Для лучшего согласования характеристик двух p-n переходов (перехода диода и перехода база-эмиттер), вместо диода можно использовать второй транзистор, как показано ниже:"




PS.
В любом случае, ни в одной из статей я не нашёл упоминаний о работе транзистора с закороченными выводами как "активного элемента". Только как "эмиттерный переход" ... .
Ткните пальцем, может я уже не вижу того, что другие видят...?

Цитата
От схемы смещения с использованием согласованной пары транзисторов легко перейти к так называемому токовому зеркалу (рис. 2 44). Работа токового зеркала «программируется» путем задания коллекторного тока транзистора Т1 Напряжение Uбэ для Т1 устанавливается в соответствии с заданным током, температурой окружаюшей среды и типом транзистора. В результате оказывается заданным режим схемы, и транзистор Т2, согласованный с транзистором Т1 (лучше всего использовать монолитный сдвоенный транзистор), передает в нагрузку такой же ток, что задан для Т1. Небольшими базовыми токами можно пренебречь.



В тексте ясно говорится о токе коллектора Т1, значит о активном режиме работы.

http://www.skilldiagram.com/gl2-14.html

прицепился ты к активному режиму работы. никто же не спорит. работает, и хорошо.

2 Телекот
Совершенно неубедительно, неудачный пример.

Другими словами: "Ток задаётся через коллектор Т1, а напряжение БЭ устанавливается (определяется) в соответствии с заданным током"

Ни о каком "активном режиме" транзистора здесь речи нет - это обычная характеристика p\n-перехода того же диода в этой цепи (схеме) ... .

Starichok51 писал(а):прицепился ты к активному режиму работы. никто же не спорит. работает, и хорошо.

А ты не отступай - сказал А, говори и Б.
Может я , действительно, уже старею, а может и не я ... ?

Starichok51 писал(а):прицепился ты к активному режиму работы. никто же не спорит. работает, и хорошо.

Вы правы, надоело уже из пустого в порожнее переливать.

На всякий случай выложу из книги Титце "Полупроводниковая схематехника Том 1. стр.313."

Ну а кто же спорит Транзистор в таком включении будет работать и как диод, но это не каким боком не относится к токовому зеркалу. Да же скажу больше вашу схему можно использовать как стабилитрон.
Читай статьи, если попадётся подкину.
Хотелось спросить как образовался ток коллектора у транзистора Т1. Ведь в диодном включении по вашему работает только эмиттерный переход. Может в самом деле луди которые используют и пишут про токовое зеркало ошибаются, и оно не так работает как написано в учебниках.
Потом соберите схему токового зеркала, и отсоедините коллектор, эмиттерный переход будет работать как диод, но ток второго транзистора будет раз 50 больше чем надо.
Может через руки дойдёт.

для тех, кто в танке, повторяю: в базу ответвится столько тока, сколько нужно, чтобы потенциалы базы и коллектора были равны.
и ток базы будет, и ток коллектора будет.

В Хоровице Хилле "Искусство схемотехники" отлично расписана работа токового зеркала (ну не только, в Титце Шенке этого тоже не может не быть). Это не просто транзистор с закороченными выводами! Ну, ясно дело, тр-ры должны иметь тепловой контакт и, желательно, подобраны по напряжению Б-Э, в идеале изготовлены в едином технологическом цикле, типа как 159НТ1. Хотя применения токового зеркала в БП, с силовыми элементами, я не встречал, оригинально!

Starichok51 писал(а):для тех, кто в танке, повторяю: в базу ответвится столько тока, сколько нужно, чтобы потенциалы базы и коллектора были равны.
и ток базы будет, и ток коллектора будет.

С другой стороны, получить требуемые токи только с базового перехода не получится - он слаботочный, а чтобы транзистор открылся, в базу надо подать открывающий ток, что и делает перемычка бежду базой и коллектором.
Думаю такое объяснение будет более понятным ... .

В любом случае, надо будет собрать эту схему и поэкспериментировать.
Всем спасибо ... .