Форум РадиоКот

Открою страшный секрет.
"цифровиков" у транзистора интересуют два состояния:
насыщения и отсечки. Для n-p-n первое (в 95%) достигается при Iб=Iк/(2..3*h21э), второе при Iб=0 (0V на делителе)
, поэтому проходные, переходные и пр.характеристики транзюков, таких как я, интересуют крайне редко

GP1 писал(а):Открою страшный секрет.
"цифровиков" у транзистора интересуют два состояния:
насыщения и отсечки. Для n-p-n первое (в 95%) достигается при Iб=Iк/(2..3*h21э), второе при Iб=0 (0V на делителе)
, поэтому проходные, переходные и пр.характеристики транзюков, таких как я, интересуют крайне редко

Ясно. Буду иметь ввиду.

GP1 писал(а):...достигается при Iб=Iк/(2..3*h21э)...

А не перегорит ли база при таких условиях Iб=Iк? В справочнике, например, на КТ815 написано, что максимальный ток базы равен 0,5 А, а максимальный ток коллектора 1,5 А


Кто-нибудь может объяснить схему приведенную на фотографии? Я не пойму, как ее проектировали ведь переход транзистора VT2 Б-Э с резистором R2 шунтирует резистор нагрузки транзистора VT1 R1. Вопрос: шунтирует ли обозначенный выше переход резистор R1? Учитывают ли при расчете VT1 транзистор VT2?

А не перегорит ли база при таких условиях Iб=Iк? В справочнике, например, на КТ815 написано, что максимальный ток базы равен 0,5 А, а максимальный ток коллектора 1,5 А

Рассуждайте сами. Пусть ток коллектора максимален, т.е. 1,5 А (предположим, что мы с вами не радиолюбители в чистом виде и нам не придет в голову прокачивать через 815-й 3 ампера). Не помню h21э 815-го точно, но вроде около 15. Т.е. в базу надо подавать 0,2 А. Это меньше максимума.

На практике же всегда делается проверка базового тока при расчете ключа. Хотя это и не вполне осмысленное мероприятие, ибо ни разу я лично не видел, чтобы базовый ток был превышен.

По схеме. Если имеется в виду двухступенчатый ключ (видимо все-таки ключ нарисован, на усилок не похоже никак), то R1 служит для шунтирования базы VT2 по обратному тепловому току (часто этот резистор ставят прямо к базе), а R2 задает базовый ток.

Не совсем понял ответ, ну да ладно.

На первой приведенной фотографии видна схема некого устройства, которое работает в статическом режиме, т.е. усилении постоянного тока. Допустим первую минуту времени напряжение на входе транзистора T1 +0.5 в, а во вторую или третью оно может измениться до +0.7 в и оставаться таким далее. Особенностью схемы является то, что нагрузкой транзистора Т1 служит Т2.

В этой схеме меня интересует, как будет изменяться нагрузочная характеристика Т1 при статическом изменении на его входе напряжения?

Как я сам полагаю, входное сопротивление Т2 будет изменяться в сторону уменьшения сопротивления при возрастании напряжения на его базе, значит нагрузочная характеристика Т1 будет тоже изменяться приблизительно так, как показано на второй фотографии. Три жирных линии исходящие из одной точки Uпит = 12 в, это характеристики для нагрузочных сопротивлений, считая снизу вверх, 2 кОм - 1 кОм - 500 Ом.

Прошу прощения, я неправильно нарисовал схему, тогда вопрос исчезает.

Вот правильная схема и называется она "тандемная схема включения" (схема Дарлингтона) -

Вопрос все-таки остается. В выше показанной схеме нагрузкой первого транзистора является переход "б-э" следующего активного элемента. Может быть и первая схема правильная, но я по неопытности не знаю.

Что первая схема, что вторая. Исход должен быть одинаковым. Оба транзистора, скорее всего сгорят как спички. Нагрузкой транзистора VT1 в обеих схемах является только p-n переход транзистора VT2. На p-n переходе, конечно, упадёт где-то 0,7 вольта, но ток через него ничем не ограничен. Если очень повезёт, то сгорит только VT1. VT2, как правило, берётся на бОльшую мощность, и может быть его переход база-эмиттер и выдержит тот ток, при котором сгорит VT1...
Чтобы подобного не произошло, надо включить резистор между коллектором VT1 (или эмиттером VT1 - зависит от схемы), чтобы ток через p-n переход транзистора VT2 не достиг весьма болезненной для него величины...

KT608B писал(а):Как я сам полагаю, входное сопротивление Т2 будет изменяться в сторону уменьшения сопротивления при возрастании напряжения на его базе,

Ну а как иначе. Диод фактически.

значит нагрузочная характеристика Т1 будет тоже изменяться приблизительно так, как показано на второй фотографии.

Чесгря там вообще ничего не видно на хар-ке. Покрупнее есть?

Вот правильная схема и называется она "тандемная схема включения" (схема Дарлингтона)

Нет. Дарлингтон тут не пробегал.

Если резюк убрать - будет классическая схема Шиклаи.

Вопрос все-таки остается. В выше показанной схеме нагрузкой первого транзистора является переход "б-э" следующего активного элемента. Может быть и первая схема правильная, но я по неопытности не знаю.

Почему бы и нет? Будет работать. Только зачем?

Вы что сделать-то хотите?

Барсик писал(а):Что первая схема, что вторая. Исход должен быть одинаковым. Оба транзистора, скорее всего сгорят как спички.

При всем уважении, не соглашусь. Они сгорят, ежели дураком деланы. Вот источники питания тоже горят, например.

Обе схемы при обеспечении надлежащего входного сигнала буду работать на ура. Именно по этой причине таких схем вы не увидите в популярной технике. Топикстартеру предлагается подумать над смыслом этой бессмысленной фразы.

ЗЫ: Все-таки, какой результат от схем требуется?

Если мне память ни с кем не изменяет, то если на схеме graf10 соединить к-Vt1 c к-VT2 то получится схема Дарлингтона, но могу и ошибаться (давно это было - в смысле изучал)

Уважаемый КТ608В, Вам как человеку пытливому я бы рекомендовал почитать 4-х томник "Искусство схемотехники" автор, по-моему, Хоровиц (если ошибаюсь пусть поправят коллеги), думаю многие вопросы прояснятся

зы. Не пугайтесь, 4 тома по всем разделам схемотехники
и искренне желаю удачи.

GP1 писал(а):Если мне память ни с кем не изменяет, то если на схеме graf10 соединить к-Vt1 c к-VT2 то получится схема Дарлингтона, но могу и ошибаться (давно это было - в смысле изучал)

По этой схеме именно так и будет. По второй я сказал уже.

GP1 писал(а): Уважаемый КТ608В, Вам как человеку пытливому я бы рекомендовал почитать 4-х томник "Искусство схемотехники" автор, по-моему, Хоровиц (если ошибаюсь пусть поправят коллеги), думаю многие вопросы прояснятся

Хоровиц унд Хилл. Вообще-то там два тома. Или в некоторых изданиях четыре?

На представленной схеме, есть транзистор Q15 помеченный крупной стрелкой в его коллекторе стоят два конденсатора С46 и С23 один емкостью 0.01 мкФ другой 0.1 мкФ. Вопрос: зачем конденсатор крупной емкости зашунтирован конденсатором малой емкости?

Доброго времени суток!
Что-то давно Вас не видно в форуме.
По схеме:
в наше время там обычно стоял электролит а уж его шунтировали керамикой. Возможно это схема из ОЧЕНЬ старого журнала (тех когда не было керамики на 0,1) и на фильтрацию ставили бумажные, меалло-бумажные кондеи и шинтировали их керамикой

GP1 писал(а):Доброго времени суток!
Что-то давно Вас не видно в форуме.
По схеме:
в наше время там обычно стоял электролит а уж его шунтировали керамикой. Возможно это схема из ОЧЕНЬ старого журнала (тех когда не было керамики на 0,1) и на фильтрацию ставили бумажные, меалло-бумажные кондеи и шинтировали их керамикой

Здравствуйте! Изучал транзистор.
Нет, схема не старая. Это кусок принципиальной схемы антенного анализатора MFJ - 259B. Из вашего описания понятно зачем шунтировали. В первом случае, электролит не пропускает высокие частоты поэтому параллельно ставят, если нужно, высокочастотный конденсатор. Во-втором же случае, с металло-бумажным конденсатором, видимо он обладает значительной индуктивностью и его также шунтируют ВЧ конденсатором.
Но вот зачем шунтировать керамику керамикой?

Я вам больше скажу, вот на этом следующем куске схемы того же прибора видно два стабилизатора U5 и U2 во вторичных цепях которых тьма конденсаторов. Возьмем для примера стабилизатор U5. На его выходе стоит один электролит и пять керамических конденсаторов из которых четыре емкостью по 0.1 мкФ и один 0.01 мкФ. Почему электролит зашунтирован керамикой мы уже разобрали. Четыре конденсатора по 0.1 мкФ соединены параллельно для достижения емкости 0.4 мкФ видимо потому, что в планарном исполнении керамики больше чем 0.1 мкФ нет, по крайней мере для того типоразмера, что применен в приборе. А вот для чего пятый конденсатор, который 0.01 мкФ? Я могу пока догадываться, что в конденсаторе 0.01 мкФ размеры пластин, их количество, расстояние меньше чем в том же конденсаторе, но емкостью 0.1 мкФ. Из этого следует, что токи ВЧ будут протекать через 0.1 мкФ, а для токов СВЧ будет сказываться индуктивность конструкции, поэтому и ставят еще один конденсатор емкостью 0.01 мкФ через который за счет низкой конструктивной индуктивности и уходят токи СВЧ. Получается так.

Если честно, то я как-то с трудом разглядываю, что там нарисовано. Но вообще-то, по логике, кондеры большой емкости шунтируют кондерами малой емкости в том случае, например, если кондер большой емкости - электролит (у которого на мегагерцах появляется "площадка" на АЧХ и полный импеданс в некотором диапазоне частот носит активный характер, т.е. он становится сопротивлением немалой величины и слабо подавляет помеих данной высокой частоты), а вот у керамики (кондер малой емкости) "площадки" на АЧХ а районе мегагерц не наблюдается, у него ярко выраженная точка перехода из емкостного в индуктивное состояние, а до нее он представляет из себя очень малое сопротивление переменному току высоких частот. Т.е. он хорошо давит высокочастотные помехи, в то время, как большой электролит обеспечивает необходимый срез АЧХ всего фильтра. Черт, пока я это писал вы уже это рассмотрели.

Вот только у вас там явно не электролит - всего-то 0,1мкФ. Хотя может там значок полярности есть, мне не видно. Впрочем подобные "площадочные" проблемы могут быть не только у электролитов, но и почти у любых "рулетиков", а там вполне может быть бумажный или лавсановый рулетик.

А вот для чего пятый конденсатор, который 0.01 мкФ? Я могу пока догадываться, что в конденсаторе 0.01 мкФ размеры пластин, их количество, расстояние меньше чем в том же конденсаторе, но емкостью 0.1 мкФ. Из этого следует, что токи ВЧ будут протекать через 0.1 мкФ, а для токов СВЧ будет сказываться индуктивность конструкции, поэтому и ставят еще один конденсатор емкостью 0.01 мкФ через который за счет низкой конструктивной индуктивности и уходят токи СВЧ. Получается так.

Видимо вы правы. Надо смотреть конкретно по каждому кондею. Не обязательно, но может быть, что у кондея 0,01мкФ вкупе с меньшей емкостью и меньшая индуктивность и меньшее сопротивление.

С конденсатором вроде разобрались. Встает снова вопрос по приведенной ниже схеме. Резисторы R1 и R3 нагрузки транзисторов VT1 и VT2, резистор R2 образует совместно с сопротивлением перехода транзистора VT2, делитель напряжения, падающего на резисторе R1. Сопротивление перехода VT2 очень маленькое буквально омы и сопротивление резистора R2 всего 75 Ом, образуется довольно низкоомный делитель, который шунтирует резистор R1 в следствии чего его сопротивление значительно падает и становится примерно равно R2+Rбэ. Когда в схеме начинают изменяться напряжения, изменяется и сопротивление делителя R2+Rбэ за счет изменения сопротивления перехода база-эммитер. Значит сопротивление нагрузки VT1 также меняется, если делитель R2+Rбэ шунтирует R1.

Попробуем рассуждать по другому. Если я расчитаю схему под нагрузку R1=1.3к, то при подключении R2+Rбэ сопротивление R1 убежит в сторону десятков Ом и в итоге у транзистора нагрузочная прямая станет еще вертикальнее, что приведет: 1) к превышению тепловыделения, 2) уходу всех расчетных параметров. Значит надо начинать расчет с VT2 чтобы узнать его сопротивление Rбэ затем подобрать R2. Но возникает другой вопрос, почему бы не отказаться от R1, зачем он тогда нужен ведь нагрузкой может быть и R2+Rбэ? Видимо ввиду того, что сопротивление перехода Rбэ транзистора VT2 меняется и чтобы снизить влияние этого фактора применяется R1 (если конечно, это так), но чем обусловлено его сопротивление R1=1.3к, почему не R1=15к?

KT608B писал(а): видимо потому, что в планарном исполнении керамики больше чем 0.1 мкФ нет, по крайней мере для того типоразмера, что применен в приборе.

Почти наверняка это не так.

KT608B писал(а): Четыре конденсатора по 0.1 мкФ соединены параллельно для достижения емкости 0.4 мкФ

Они соединены не для увеличения ёмкости. Просто так выделили, что их должно быть много. А много их для того, чтобы ставить в разных точках схемы - как группы микросхем шунтируют по питанию, там на каждые несколько корпусов один конденсатор.

Они соединены не для увеличения ёмкости. Просто так выделили, что их должно быть много. А много их для того, чтобы ставить в разных точках схемы - как группы микросхем шунтируют по питанию, там на каждые несколько корпусов один конденсатор.

Может быть и такое, хотя обычно на схемах стараются отобразить шунтовые кондеи возле шунтируемых микросхем. Но здесь могли и так напихать, такое тоже часто встречается.

Но мы этого точно не знаем, остальной-то схемы нету, а на приведенных кусках нечего шунтировать такой кучей.

Паятель писал(а):

KT608B писал(а): видимо потому, что в планарном исполнении керамики больше чем 0.1 мкФ нет, по крайней мере для того типоразмера, что применен в приборе.

Почти наверняка это не так.

KT608B писал(а): Четыре конденсатора по 0.1 мкФ соединены параллельно для достижения емкости 0.4 мкФ

Они соединены не для увеличения ёмкости. Просто так выделили, что их должно быть много. А много их для того, чтобы ставить в разных точках схемы - как группы микросхем шунтируют по питанию, там на каждые несколько корпусов один конденсатор.

Согласен.

KT608B писал(а): Теперь сам вопрос: где и в чем я допустил ошибку?

Извините, если вопрос будет глупым, но на рисунке я вижу, что сопростивление нагрузки в цепи питания колектор-эмитер = 0

Это особенность программы-эмулятора? (не показывать такие "мелочи")