Форум РадиоКот

alpatov Есть такой параметр у транзистора как тепловое сопротивление кристалл-корпус. Измеряется в градусах на ватт.
Приведу примеры: имеем транзистор с этим параметром 5 градусов на ватт, при выделении на транзисторе мощности 10 ватт и температуре корпуса транзистора 50 градусов(поскольку он на радиаторе) температура его кристалла будет 50 + 10 * 5 = 100 градусов.
Второй вариант: тот самый транзистор и на нем рассеивается мощность 50 ватт, температура корпуса 20 градусов(допустим на нем очень хорошее охлаждение), но это его не спасет поскольку 20 + 50 * 5 = 270 градусов. Кристалл разрушиться, несмотря на температуру корпуса в 20 градусов.
Поэтому у мощных транзисторов довольно невысокое тепловое сопротивление.

alpatov писал(а):Если я поставлю термостат на радиатор с отключением 70C для IRF 740

Нельзя ответить на ваш вопрос не зная какая на нем рассеивается мощность. Мощность cчитается так: падение напряжения на транзисторе умножить на ток.
Или так: ток в квадрате умножить на Rdson(второй вариант это если работает в ключевом режиме, или полностью открыт или полностью закрыт)
А тепловое сопротивление у IRF 740 (Thermal Resistance Junction-case) - 1 градус на ватт.

Плюс динамические потери при переключении.

Ну для упрощения я их не упоминал, непростая задача их считать. Поэтому можно ими пренебречь, накинув процентов 10-20 тепла сверху

Спасибо, понял!
Thermal Resistance Junction-case Max 1.0 o
Thermal Resistance Junction-ambient Max 62.5 C/W
Thermal Resistance Case-sink Typ 0.5 oC/W
Maximum Lead Temperature For Soldering Purpose 300 oC/W

Мне нужно ставить термостат по датошиту не более 65 С.

hosturik писал(а):Поэтому можно ими пренебречь, накинув процентов 10-20 тепла сверху

динамические потери могут даже превышать статические. поэтому накидывать к статическим нужно, как минимум, 100%.

alpatov Вы все таки не правильно поняли.
Ваше утверждение справедливо, если у вас транзистор без радиатора и мощность на нем рассеивается 1 ватт.
Где хоть стоит этот ваш транзистор?

Импульсное ЗУ 700 Вт. Без обдува радиатора сегодня поставил термостат на 60 С и испытал под нагрузкой 500 Вт. Термостат отрубил ЗУ при температуре 65 С. Электронный датчик температуры стоял возле транзистора. Расхождение получилось в 5 С. Работает все нормально, остыл до 56 С и снова врубился в работу.

Подскажите пожалуйста такой вопрос, один и тот же транзистор в пластмассе и металле STP25N50. Продавцы говорят, что в пластмассе лучше покупать и ставить потому, что сразу 2 штуки на радиатор. А в металле приходится через прокладку ставить. Теплоотдача транзистора на радиатор одинаковая будет или нет-? Что лучше покупать-?

через термоскотч или изолирующую подкладку с термопастой и изолирующей втулкой-метталлический корпус, пластиковый корпус без этих добавок, так что проще.

При применении тонкой слюды у металлических теплоотдача будет выше в разы. С резиной тоже будет больше, но лучше её применения избегать.

слюду счас замучаешься искать, да втулки нужны-тоже искать. по мне так пластиковый корпус проще

есть области где на пластик наложено ТАБУ...
это индастрал и милитари применение про спейс я вообще молчу
есть и попроще тяговые силовыприводы...
в любе конечно пластиковое дерьмо рулит... благо
1-дещевле в разы
2 позволяет применить недо-радиатор исползовав скажем корпус-железяку.. часто весма тонкую...и малоэфективную
3 прокладки под них доступнее ,для некоторых корпусов ТО126 То256 втулка винта встроена в корпус
4-имеются варианты корпусов ТО220i ,To256i в полностью изолированых корпусах -которым не нужны прокладки...
но за это придется платить...разной мощностью расеяния
если для ТО3 разрещен 100-180вт то для то 256-не более 100 а для "i"-60
для то220 тоже 60 и 40
при установки прокладко из оксида алюминия или берилия(дорого) под ТО3 можно почти не снижать предел
для корпусов в пластике их не делают там идет слюда и терморизинки 3 видов
еще встречалась лента из стекловолокна промазаная чемто вроде КПТ-8 для германия допускалось еще и ПЭТФ 50мкм для кремния они запрещены но ...китайцы пихают в сберегайки иногда
так что проблем при подготовке серии не менще будет...а надежнось падает
силно
при единичном пр-ве конечно пластик проще... и главное дещевле
"Байка"про 2 пластика то220 вмест1 то3 горькая правда -чтоб не попалить схему придется паралелить 2 корпуса в пластике там где ранще стоял 1 метал...

musor писал(а):при установки прокладко из оксида алюминия или берилия(дорого) под ТО3 можно почти не снижать предел

в ВЧ транзисторах ещё встречается BeO, а вот в силовых многие давно перешли на нитрид алюминия. При этом тепловое сопротивление очень низкое. Бывает ниже, чем в аналогах без изоляции.

Seriyvolk писал(а):При применении тонкой слюды у металлических теплоотдача будет выше в разы. С резиной тоже будет больше, но лучше её применения избегать.

сомневаюсь, т. к. разница, например, между TO-220 и TO-220F примерно в два раза.

Спасибо, понял- лучше металл покупать.

Есть ли смысл ставить на 700 Вт два транзистора STP25N50 или по два в параллель IRF 740. По тепловому режиму легче будет работать на 2Х2 -IRF 740 или нет -?

bobr 25 писал(а):слюду счас замучаешься искать...

Серьезно ???

http://www.ebay.com/sch/i.html?_odkw=TO ... C&_sacat=0
http://ru.aliexpress.com/af/Transistor- ... sulator%2C

Если вы имели в виду STB25NM50 то лучше его.

Подскажите пожалуйста какое мертвое время поставить для IGBT RJH60F5 и какой ток можно с них снять если частота не будет превышать 40кГц

неоднозначный вопрос. Зависит от топологии (режима переключения транзисторов), условий охлаждения и т. д.

Aswerti писал(а):Подскажите пожалуйста какое мертвое время поставить для IGBT RJH60F5

При использовании ИЖБИТов в сварочных инверторах мостового (полумостового)типа деттайм для 40 кгц устанавливаю не не менее 1.8 микросекунд.Этого времени хватает для комфортного переключения ключей при любом драйвере,если нет косяков.