Форум РадиоКот

Добрый всем день! Прошу помощи в понимании проблемы: в электронной нагрузке решил использовать вместо MOSFET IGBT, применил BSM100GB120DN2, ОБР по DC у него 800ВТ, до 27-30В входного напряжения все работает идеально, нагружал до 500ВТ, но при превышении порога 27 - 30В происходит пробой затвора на коллектор даже при минимальном токе, при этом чем выше напряжение тем быстрее происходит пробой затвора, переход коллектор-эмитер при этом в короткое не уходит. При применении MOSFET в этой же схеме подобного эффекта нет. Считаю что это эффект емкости Миллера, но не понимаю как с этим бороться?
В приложении схема, выдержки из даташита

Простите, а каким боком Миллер относится к работе на постоянном токе?

Делаем простейшие вычисления: 500Вт / 30В = 17А

смотрим на приведенный вами же график.
Берем вертикальную линию соответствующую Vce=30В.
Находим пересечение с линией DC.

Получаем Ic=25A.
И это при температуре корпуса не более 25 градусов.

Вы чем отводили 500Вт, чтобы остаться в допустимых пределах?

Несколько штук параллельно надо ставить. Возможно 2 возможно и 4

pavel2000 писал(а):Простите, а каким боком Миллер относится к работе на постоянном токе?

ну, образовалась в емкости огромная дыра, и через нее течет насквозь.
кастрюлю с дыркой, что ли, никогда не видел?

vkt,
Что у вас за нагрузка, что за ток, где его купили......?
Этот транзистор сборкой полумоста идет?

R4 не указан.

По вопросу превышения мощности, на 20В я ток стабилизировал на уровне 25А=500Вт все нормально, на 50В на уровне 3А=150Вт - пробой затвора в течении 1 мин, ну как R4 не указан? - 4ом

Добавлено after 6 minutes 25 seconds:
"Что у вас за нагрузка, что за ток, где его купили......?
Этот транзистор сборкой полумоста идет?"

Ну нагрузкой собственно и является этот транзистор, ток 100% не превышающий ОБР, сборка да - полумост, используется 1 транзистор, 100% оригинал, снято с немецкого ИБП

Добавлено after 11 minutes 56 seconds:
Из полученных комментариев, я так понимаю, Starichok51 обладает необходимой информацией, тем более ему близка данная тема, читал Ваш форум по электронной нагрузке, вопрос - как с этим эффектом все таки бороться???

Мой вариант ответа старичка это шимить

Ну это тогда как минимум надо дросель дополнительно ставить, вопрос зачем если по даташиту все должно работать

Драйвер у тебя импульсный на схеме. Вопрос зачем он вобще там? Линейное же управление. Туда повторитель на мощном оу, например тда2030. Ну и чото мне кажется в чем то еще неверный подход

Если Вы возмете схему Starichok51 из топика анализатор емкости АБ то увидите практически 100% совпадение по управлению выходным каскадом, эту схемотехнику повторили десятки пользователей, да и у меня при применении MOSFET ни каких вопросов не возникало, но при переходе на IGBT возник данный эффект, хочется понять почему и как с этим бороться

Мне искать по темам с 400 страниц чтобы ответить?

Может просто на слово поверить? Это сдандартная схема электронной нагрузки, китайцы данную схемотехнику производят в промышленных масштабах, но применяют на выходе MOSFET, вот примеры:
https://mysku.club/blog/aliexpress/83513.html
https://mysku.club/blog/aliexpress/88171.html
https://mysku.club/blog/taobao/64458.html
я же опробовал перейти на IGBT и столкнулся с данным эффектом

Добавлено after 6 minutes 52 seconds:
вот тема Starichok51, там 47 страниц и как я понимаю десятки повторивших

https://radiokot.ru/forum/viewtopic.php ... 1%82%D0%B8

схема на первой странице и она точно рабочая

Ну уже полегче, 47 страниц схему искать

Добавлено after 2 minutes 17 seconds:
Давай сам поищи, чтобы у старичка в схеме стоял импульсный драйвер мосфета на транзисторах. Чото я сомневаюсь что он там есть

Добавлено after 2 minutes 46 seconds:
И в китайских твоих ссылках нету

у меня схема работает не как импульсный драйвер, как аналоговый, у меня есть предложение, не обсуждать схемотехнику, вопрос - почему затвор IGBT пробивается на коллектор даже без учета схемотехники и какие есть способы избежания данного эффекта

Ну раз не обсуждать, то не будем. Ждем экстрасенсов тогда

1) В схеме драйвера, как мне видится, есть ошибка.
2) Всё еще не озвучено, чем/как охлажается транзистор и какова его температура в момент пробоя.

Для сравнения наверное было бы правильно/интересно узнать, какой MOSFET успешно пережил испытания, и рассмотреть его даташит.

[uquote="vkt",url="/forum/viewtopic.php?p=4376391#p4376391"]применил BSM100GB120DN2[/uquote]
Есть смутные подозрения....
А не могли бы вы привести РЕАЛЬНУЮ схему включения оного прибора? Напомню, что оный прибор является не совсем IGBT... Это МОДУЛЬ, который из себя представляет сборку из двух транзисторов соединенных в полумостовую схему с отдельными ПАРАМИ управляющих выводов. Так как вы подавали управление на транзистор? Нарисуйте схему подключения модуля, а не транзистора. То есть ВСЕ СЕМЬ ЕГО ВЫВОДОВ.

Сказано же - не обсуждать схемотехнику

Любезный Власов, обсуждается не схемотехника, а подключение транзистора. Почувствуйте разницу...