Уф... Теперь транзистор. С ним на много сложнее у него аж пять листов параметров, да еще каких:
Транзистор.
Sheet 1 - Лист 1
Saturation current (IS) - Обратный ток
Forward current gain coefficient (F) - Коэффициент усиления тока в схеме с ОЭ h21э
Reverse current gain coefficient (R) - Коэффициент усиления тока в схеме с ОЭ при инверсном включении транзистора (эмиттер и коллектор меняются местами)
Base ohmic resistance (RB) - Объемное сопротивление базы, Ом
Emitter ohmic resistance (RE) - Объемное сопротивление эмиттера, Ом
Collector ohmic resistance (RC) - Объемное сопротивление коллектора, Ом
Substrate capacitance (CS) - Емкость коллектор-подложка, Ф
Zero-bias B-E junction capacitance (CE) - Емкость эмиттерного перехода при нулевом напряжении, Ф
Zero-bias C-E junction capacitance (CC) - Емкость коллекторного перехода при нулевом напряжении, Ф
В-Е junction potential (PE) - Контактная разность потенциалов перехода база-эмиттер, В
Sheet 2 - Лист 2
В-С junction potential (PC) - Контактная разность потенциалов перехода база-коллектор, В
Forward transit time (TF) - Время переноса заряда через базу, с
Revers transit (TR) - Время переноса заряда через базу в инверсном включении, с
B-E junction grading coefficient (ME) - Коэффициент плавности эмиттерного перехода
В-С junction grading coefficient (MC) - Коэффициент плавности коллекторного перехода
Early voltage (VA)* - Напряжение Эрли, близкое к параметру Uк max, В.
Base-Emitter Leakage Saturation Current (ISE) - Обратный ток эмиттерного перехода, A
Forward Beta High-Current Knee-Point (IKF) - Ток начала спада усиления по току, близкое к параметру Iк max, A
Base-Emitter Leakage Emission Coefficient (NE) - Коэффициент неидеальности эмиттерного перехода
Forward current emission coefficient (NF) — Коэффициент неидеальности в нормальном режиме
*Напряжение Эрли - параметр транзистора, характеризующий величину эффекта Эрли. Обычно VA составляет десятки вольт и более. Эффект Эрли - эффект модуляции ширины базы биполярного транзистора, который влияет на коэффициент передачи "a" (альфа параметр); или так: Изменение коэффициента передачи "a" (альфа) биполярного транзистора вследствие модуляции ширины базы при изменении коллекторного напряжения Uк получило название "эффект Эрли".
Sheet 3 - Лист 3
Reverse current emission coefficient (NR) — коэффициент неидеальности в инверсном режиме
Reverse early voltage (VAR) - Напряжение Эрли в инверсном включении
Reverse beta roll-off corner current (IKR) — Ток начала спада коэффициента усиления тока в инверсном режиме
B-C leakage saturation current (ISC) - Обратный ток коллекторного перехода
B-C leakage emission coefficient (NC) — Коэффициент неидеальности коллекторного перехода
Current for base resistance equal to (rb+RBM)/2(IRB) - Ток базы, при котором сопротивление базы = (rb+RBM)/2(IRB), где:
RB - Объемное сопротивление базы, Ом
IRB — ток базы, при котором сопротивление базы уменьшается на 50% от разниц RB-RBM, А
Minimum base resistance at high currents (RBM) - Минимальное сопротивление базы при больших токах, 0м
Coefficient for bias dependence of tF (XTF) - Коэффициент, определяющий зависимость времени tF переноса зарядов через базу от напряжения коллектор-база
Voltage describing VBC dependence of tF (VTF) — Напряжение коллектор-база, при котором начинает сказываться его влияние на tF, В
High-current dependence of tF (ITF) — ток коллектора, при котором начинается сказываться его влияние на tF, А
Sheet 4 - Лист 4
Excess phase at frequency equal to 1/(tF*2PI)Hz (PTF) - Дополнительный фазовый сдвиг на граничной частоте транзистора Fгр=l/(2*tF), град
Fraction of B-C depletion capacitance connected to internal base node (XCJC) — Коэффициент расщепления емкости база-коллектор
Substrate junction built-in potential (VJS) — Контактная разность потенциалов перехода коллектор-подложка, В
Substrate junction exponential factor (MJS) — Коэффициент плавности перехода коллектор-подложка
Forward and reverse beta temperature exponent (ХТВ) — Температурный коэффициент усиления тока в нормальном и инверсном режимах
Energy gap for temperature affect on IS (EG) — Ширина запрещенной зоны, эВ
Temperature exponent for for effect on IS (ХТI) — Температурный коэффициент тока насыщения
Flicker noise coefficient (KF) - Коэффициент фликкер-шума
Flicker noise exponent (AF) - Показатель степени в формуле для фликкер-шума
Sheet 5 - Лист 5
Parameter measurement temperature (TNOM) - Температура транзистора, °С
Вход
Регистрация
Правила
FAQ
Поиск
