У меня вот вопрос, нашел понятие глубины насыщения у ключевых транзисторных схем. На какие свойства и как глубина насыщения транзисторного ключа влияет?
Забавно, что Степаненко её определяет как N = Iб-Iб.н./ Iб.н.(т.е. относительный прирост) У нас на лабах это определялось как S = Iб1/Iб.н ...
Найдено 17 результатов
- Вс июн 06, 2010 22:07:26
- Форум: Теория
- Тема: Работа ТТЛ и ЭСЛ, КМОП и ключевых схем
- Ответы: 4
- Просмотры: 1536
- Вс июн 06, 2010 21:49:07
- Форум: Теория
- Тема: Работа ТТЛ и ЭСЛ, КМОП и ключевых схем
- Ответы: 4
- Просмотры: 1536
Re: Работа ТТЛ и ЭСЛ
В инверсном режиме(коллекторный открыт, эммитерный заперт), работает все время.. или только при высоких уровнях сигнала...
TTL реализует логику И-НЕ как я помню... в ЭСЛ ИЛИ-ИЛИ-НЕ написано, или это опечатка в Титце и
Шенке(в книгах типа Степаненко(Основы теор.тр.) или Гусев...слабо про ключи ...
TTL реализует логику И-НЕ как я помню... в ЭСЛ ИЛИ-ИЛИ-НЕ написано, или это опечатка в Титце и
Шенке(в книгах типа Степаненко(Основы теор.тр.) или Гусев...слабо про ключи ...
- Вс июн 06, 2010 21:06:58
- Форум: Теория
- Тема: Работа ТТЛ и ЭСЛ, КМОП и ключевых схем
- Ответы: 4
- Просмотры: 1536
Работа ТТЛ и ЭСЛ, КМОП и ключевых схем
Объясните пожалуйста некоторые моменты работы ТТЛ и ЭСЛ схем.
Вот например ТТЛ:
Фото-0092 (2).jpg
http://en.wikipedia.org/wiki/File:7400_Circuit.svg
Какой смысл в каждом транзисторе... входной многоэммитерный транзистор работает в режиме отсечки... или как происходит, что при высоких уровнях на ...
Вот например ТТЛ:
Фото-0092 (2).jpg
http://en.wikipedia.org/wiki/File:7400_Circuit.svg
Какой смысл в каждом транзисторе... входной многоэммитерный транзистор работает в режиме отсечки... или как происходит, что при высоких уровнях на ...
- Сб июн 05, 2010 18:13:14
- Форум: Теория
- Тема: Программы для расчета усилительных каскадов
- Ответы: 3
- Просмотры: 1226
Re: Программы для расчета усилительных каскадов
Уважаемая Светлана, объясните, как выполнять подгон параметров на глаз в симуляторе, что-то не очень у меня получается
Например игрался с базовой схемой эммитерного повторителя в EWB5.12, подбираю делитель, что бы на выходе не срезало синусоиду, но падение напряжение, почему-то выходит не 0.6-0.7 ...
Например игрался с базовой схемой эммитерного повторителя в EWB5.12, подбираю делитель, что бы на выходе не срезало синусоиду, но падение напряжение, почему-то выходит не 0.6-0.7 ...
- Сб июн 05, 2010 15:02:37
- Форум: Теория
- Тема: Программы для расчета усилительных каскадов
- Ответы: 3
- Просмотры: 1226
Программы для расчета усилительных каскадов
Существуют ли такие программы? Просто интересно, считать вручную сопротивления, задавать рабочую точку по ВАХ довольно долго и утомительно.
- Пт июн 04, 2010 22:41:42
- Форум: Теория
- Тема: Компенсационные и импульсные стабилизаторы
- Ответы: 2
- Просмотры: 1174
Компенсационные и импульсные стабилизаторы
Посоветуйте статьи, книги по таким стабилизаторам...
Нашел неплохую статью по компенсационным: http://naf-st.ru/articles/ip/stn/
Но там схема компенсационного стабилизатора отличиается несколько от той, что нам дали на лекции. Интересует так же импульсные стабилизаторы напряжения, принцип работы ...
Нашел неплохую статью по компенсационным: http://naf-st.ru/articles/ip/stn/
Но там схема компенсационного стабилизатора отличиается несколько от той, что нам дали на лекции. Интересует так же импульсные стабилизаторы напряжения, принцип работы ...
- Чт апр 29, 2010 19:02:42
- Форум: Аналоговая техника
- Тема: Безконтактный датчик линейного перемещения, наклона пов-ти
- Ответы: 16
- Просмотры: 3002
Re: Безконтактный датчик линейного перемещения, наклона пов-
Не знаю как на счёт оторванного, а с висящим в воздухе затвором
есть девайсы, искатели скрытой проводки например, и ничего работают.
Интересно, найти информации в мировой сети не могу, по таким транзисторам - с висящим в воздухе затвором.
Хватит ли у таких устройств разрешающей способности, при ...
есть девайсы, искатели скрытой проводки например, и ничего работают.
Интересно, найти информации в мировой сети не могу, по таким транзисторам - с висящим в воздухе затвором.
Хватит ли у таких устройств разрешающей способности, при ...
- Вт апр 27, 2010 19:19:27
- Форум: Аналоговая техника
- Тема: Безконтактный датчик линейного перемещения, наклона пов-ти
- Ответы: 16
- Просмотры: 3002
Полевые транзисторы с оторванным затвором
Уважаемые товарищи электронщики!
Кто нибудь слышал про такое чудо - полевые транзисторы с оторванным затвором.
Как я слышал, это такой транзистор, у которого затвор отрывается от истока-стока (а не просто изолированный диэлектриком) и управление ведется на расстоянии переходом(например 1 см от ...
Кто нибудь слышал про такое чудо - полевые транзисторы с оторванным затвором.
Как я слышал, это такой транзистор, у которого затвор отрывается от истока-стока (а не просто изолированный диэлектриком) и управление ведется на расстоянии переходом(например 1 см от ...
- Вт апр 27, 2010 19:07:17
- Форум: Аналоговая техника
- Тема: Безконтактный датчик линейного перемещения, наклона пов-ти
- Ответы: 16
- Просмотры: 3002
Re: Безконтактный датчик линейного перемещения, наклона пов-
EnRix , вы вместо ответов на поставленные вопросы будете корректировать свой пост? Это не дело.
Непойму, что неясного в моем вопросе. Если никто предложить решения данной задачи не может, буду продолжать искать.
У меня впечатление, что это опять студент, т.е. можно ему предложить любое ...
Непойму, что неясного в моем вопросе. Если никто предложить решения данной задачи не может, буду продолжать искать.
У меня впечатление, что это опять студент, т.е. можно ему предложить любое ...
- Вс апр 25, 2010 20:28:07
- Форум: Аналоговая техника
- Тема: Безконтактный датчик линейного перемещения, наклона пов-ти
- Ответы: 16
- Просмотры: 3002
Безконтактный датчик линейного перемещения, наклона пов-ти
Требуется изготовить ! датчик линейного перемещения, для измерения наклона некоторой поверхности.
Проблема в том, что датчик должен иметь высокую разрешающую способность, например до 0.1 мкм.
Установка (круглая поверхность) находится на оси, на расстоянии 10 мм на Землей, длинна установки 10 см ...
Проблема в том, что датчик должен иметь высокую разрешающую способность, например до 0.1 мкм.
Установка (круглая поверхность) находится на оси, на расстоянии 10 мм на Землей, длинна установки 10 см ...
- Вт апр 20, 2010 21:31:34
- Форум: Теория
- Тема: Параметры эл-ов экв. схем транз-ов и парам. усилит. каскадов
- Ответы: 1
- Просмотры: 754
Параметры эл-ов экв. схем транз-ов и парам. усилит. каскадов
Здравствуйте.
Продолжаю все изучать теорию, до практики руки не доходят 8). В универе параллельно читают лекции и проходят лабы (лабы это тупняк полный, не электронникой занимаемся, а оформлением отчетов...)
Столкнулся с проблемой определения дифференциальных сопротивление в эквивалентных схемах ...
Продолжаю все изучать теорию, до практики руки не доходят 8). В универе параллельно читают лекции и проходят лабы (лабы это тупняк полный, не электронникой занимаемся, а оформлением отчетов...)
Столкнулся с проблемой определения дифференциальных сопротивление в эквивалентных схемах ...
- Вт мар 30, 2010 20:13:01
- Форум: Теория
- Тема: Вопрос об H-параметрах транзистора в EWB5.12
- Ответы: 18
- Просмотры: 4003
Re: Вопрос об H-параметрах транзистора в EWB5.12
Товарищи 8)!. В симулятор EWB нашел аналог Ikmax это IKF - (Ток начала спада усиления по току).
Для 2N3702 это 1.081 А, т.е. на Iбmax=Iкmax/B = 1.081/50 = 21,62мA
Почему-то если брать ток Iб Близкий к Iбmax (т.е. 24V, 1kOm на входе) , то погрешность больше (30-35%).. а если маленький, как предложил ...
Для 2N3702 это 1.081 А, т.е. на Iбmax=Iкmax/B = 1.081/50 = 21,62мA
Почему-то если брать ток Iб Близкий к Iбmax (т.е. 24V, 1kOm на входе) , то погрешность больше (30-35%).. а если маленький, как предложил ...
- Вт мар 30, 2010 19:51:19
- Форум: Теория
- Тема: Вопрос об H-параметрах транзистора в EWB5.12
- Ответы: 18
- Просмотры: 4003
Re: Вопрос об H-параметрах транзистора в EWB5.12
Спасибо aen, runsolar!
runsolar
Да, действительно не понял, что Ukэ... надо книгу посмотреть... а что значит максимальный ток базы.. как его определить из параметров EWB... Это от мощности зависит... или обратного тока коллекторного перехода IS
runsolar
Да, действительно не понял, что Ukэ... надо книгу посмотреть... а что значит максимальный ток базы.. как его определить из параметров EWB... Это от мощности зависит... или обратного тока коллекторного перехода IS
- Вт мар 30, 2010 19:40:02
- Форум: Теория
- Тема: Вопрос об H-параметрах транзистора в EWB5.12
- Ответы: 18
- Просмотры: 4003
Re: Вопрос об H-параметрах транзистора в EWB5.12
aen
Разве вы подали прямые напряжения?... опечатка? или я что-то не понимаю.
Насчет намудрили, да, вроде понятно стало.
Только каким образом вы так хорошо подобрали 10к, 1В и 5В на выходе... объясните.. я не понял,. ток базы 73 мкА, 37мА на выходе, 37000/73=506 очень близко к установленным 500.
Разве вы подали прямые напряжения?... опечатка? или я что-то не понимаю.
Насчет намудрили, да, вроде понятно стало.
Только каким образом вы так хорошо подобрали 10к, 1В и 5В на выходе... объясните.. я не понял,. ток базы 73 мкА, 37мА на выходе, 37000/73=506 очень близко к установленным 500.
- Вт мар 30, 2010 19:25:33
- Форум: Теория
- Тема: Вопрос об H-параметрах транзистора в EWB5.12
- Ответы: 18
- Просмотры: 4003
Re: Вопрос об H-параметрах транзистора в EWB5.12
Да, все сходится... но вы подаете переменное напряжение генератором... Статический коэффициент определяется ведь при постоянном токе...
При постоянном (и переменном) непонятно, почему Uкэ = const(5В; 1В) почему не КЗ ?
То есть мы подоткрываем переходы, чтобы ток свобдно тек и было короткое ...
При постоянном (и переменном) непонятно, почему Uкэ = const(5В; 1В) почему не КЗ ?
То есть мы подоткрываем переходы, чтобы ток свобдно тек и было короткое ...
- Вт мар 30, 2010 18:50:22
- Форум: Теория
- Тема: Вопрос об H-параметрах транзистора в EWB5.12
- Ответы: 18
- Просмотры: 4003
Re: Вопрос об H-параметрах транзистора в EWB5.12
попробовал сделать, как вы сказали... что-то не то получилось... прилагаю изображение схемы:
Отношение вышло 913/1087=0,84.. хотя в параметрах стоит rF=50
Пробовал еще напряжение прямое подать на Ukэ... что-то похожее на правду возникает, но еще не совсем(особенно при большом rB, если задать в ...
Отношение вышло 913/1087=0,84.. хотя в параметрах стоит rF=50
Пробовал еще напряжение прямое подать на Ukэ... что-то похожее на правду возникает, но еще не совсем(особенно при большом rB, если задать в ...
- Вт мар 30, 2010 16:58:08
- Форум: Теория
- Тема: Вопрос об H-параметрах транзистора в EWB5.12
- Ответы: 18
- Просмотры: 4003
Вопрос об H-параметрах транзистора в EWB5.12
тот же вопрос фактически относится к любой моделирующей схемы программе (PSpice, Multisim и т.д.)
В EWB существует множество параметров транзистора для различных режимов...
У меня возникла проблема в определении параметра H21э... в EWB это Forward current gain coefficient rF...(как я понимаю) в ...
В EWB существует множество параметров транзистора для различных режимов...
У меня возникла проблема в определении параметра H21э... в EWB это Forward current gain coefficient rF...(как я понимаю) в ...