Приведите обмоточные данные дросселя. Собирал на л6561 ккм до 400 ватт, как бы таких проблем не замечал. Но всегда делал модель с живимы данными дросселя, так как есть моделька л6561. Там zcd и подбиралось..
Заголовок сообщения: Re: Перегрев MOSFET в корректоре коэффициента мощности на L6
Добавлено: Сб май 17, 2014 14:25:43
Первый раз сказал Мяу!
Зарегистрирован: Ср май 14, 2014 13:40:45 Сообщений: 34
Рейтинг сообщения:0
Staska писал(а):
Приведите обмоточные данные дросселя.
Сердечник Е 25/13/7, материал Epcos N87, зазор на одной половине 1мм., другая без зазора, индуктивность 1.4 мГн, 110 витков основная обмотка, 15 вспомогательная, диаметр провода 0.3 мм.
Сердечник Е 25/13/7, материал Epcos N87, зазор на одной половине 1мм., другая без зазора,
Может зазор только на боковых кернах ? А то если так, то все плохо, так сердечник работает на половину.
Нужен зазор примерно по 0.5-0.7 с каждой половинки, для суммарного зазора 1-1.5 мм. Конденсатор параллельно вспомогательной обмотке убрать, обмотку уменьшить до 11-12 витков.
а где ты взял или как получил именно такие намоточные данные дросселя? а не многовато ли 15 витков? судя по даташиту, должно быть не более 11 витков. конденсатор параллельно обмотке выбросить однозначно. схему сделать точно по даташиту. картинка на затворе - еще не показатель. дай картинку на стоке.
_________________ Мудрость приходит вместе с импотенцией... Когда на русском форуме переходят на Вы, в реальной жизни начинают бить морду.
E25 при широком диапазоне питания дотянет и до 80 ватт, 40 с такой обмоткой точно выдаст. Но соотношение вспомогательной обмотки и кривого зазора - не есть гут.
но сейчас работаю над вариантами, где вывод ZCD через RC цепочку соединен не со вспомогательной обмоткой, а со стоком транзистора.
Цитата:
а где ты взял или как получил именно такие намоточные данные дросселя?
Пользовался статьей: А.Кузнецов.Трансформаторы и дроссели для ИИП. Рассчитал исходя из максимального пикового тока и требуемой индуктивности.
Цитата:
а не многовато ли 15 витков? судя по даташиту, должно быть не более 11 витков.
не многовато, если правильно рассчитать Rzcd, чтобы ток через вывод ZCD не превышал 1-3 мА. Уменьшать количество витков тоже пробовал, ничего не поменялось, даже 7-8 витков делал и Rzcd менял...
Цитата:
схему сделать точно по даташиту.
Схема сделана точно по даташиту, но номиналы пересчитаны на 40 Вт, потому что в даташите расчет на 80 Вт.
Цитата:
дай картинку на стоке.
Чуть позже будет.
Цитата:
Но соотношение вспомогательной обмотки и кривого зазора - не есть гут
Что значит " соотношение вспомогательной обмотки и кривого зазора"? При чем тут зазор и вспомогательная обмотка и какое там может быть соотношение? От зазора зависит ток насыщения дросселя и, соответственно, количество витков основной обмотки, а от количества витков основной обмотки зависит количество витков вспомогательной через коэффициент трансформации, который должен быть выбран таким образом, чтобы, как я уже упоминал, ток через вывод ZCD не превышал 1-3 мА.
Последний раз редактировалось Starichok51 Сб май 17, 2014 19:25:39, всего редактировалось 1 раз.
Но однако- схема на 80 ватт прекрасно работает и при 40 ватах, сердечник ведь такой же.. Я бы там только изменил сопротивление датчика тока. Но имхо, схема дубовая, и как то проблем такого рода вплоть до киловатта не было. Кстати, можно zcd и совсем выкинут. Почитайте про fot модуляцию.
Кстати, можно zcd и совсем выкинут. Почитайте про fot модуляцию.
вы ошибаетесь. В режиме FOT, о котором я писал несколькими сообщениями выше, вывод ZCD задействован. Вы можете обосновать необходимость перехода в данный режим при мощности меньше 100 Вт?
_________________ "То, что я понял, - прекрасно, из этого я заключаю, что остальное, что я не понял, - тоже прекрасно". Сократ.
Заголовок сообщения: Re: Перегрев MOSFET в корректоре коэффициента мощности на L6
Добавлено: Вс май 18, 2014 00:03:17
Первый раз сказал Мяу!
Зарегистрирован: Ср май 14, 2014 13:40:45 Сообщений: 34
Рейтинг сообщения:0
Staska писал(а):
Но однако- схема на 80 ватт прекрасно работает и при 40 ватах
Это не так. Посмотрите таблицы в даташите, в которых приведена зависимость PF от входного напряжения при полной нагрузке (80 Вт) и половинной (40 Вт), там вы увидите что при 80 Вт и Uвх=220 В - PF~0.992, когда при 40 Вт и Uвх=220 В - PF~0.86.
Цитата:
Я бы там только изменил сопротивление датчика тока
И тут вы не правы. Если менять Rcs (токовый шунт), то необходимо пересчитывать и Rmulth (R4, R7) и Rmultl (R12), потому что мощность зависит не только от шунтов, но и от вышеупомянутых сопротивлений. Также придется пересчитывать и цепочку Control Loop обратной связи, т.к. она зависит от входной мощности.
Сейчас этот форум просматривают: нет зарегистрированных пользователей и гости: 25
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения